【課題】 欠陥密度の小さいＳｉＣ半導体基板を形成する。
【解決手段】 ＳｉＣ単結晶の下地ウェハ表面に多孔質層を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、アニール処理を行ってその多孔質層表面の空孔を閉塞した後に（ステップＳ３）、その上にＳｉＣのホモエピタキシャル層を形成する（ステップＳ４）。最後に多孔質層の部分を切断して下地ウェハの側からホモエピタキシャル層の側を分離する（ステップＳ５）。多孔質層表面の空孔閉塞後にホモエピタキシャル層を形成することによりその欠陥密度が大幅に小さくなり、これを各種デバイスのＳｉＣ半導体基板として用いることによりその製造歩留まりを向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。
【解決手段】 １４００〜１８００℃に加熱した金属触媒体に水素ガスを接触させて生成した水素ラジカルにより、７００℃以上９００℃未満に加熱したケイ素基板の表面近傍でモノメチルシランを分解してケイ素基板表面に立方晶炭化ケイ素結晶膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

単一のるつぼから複数の結晶リボンを同時に成長させる方法および装置は、複数のメニスカス形成部を用いる。るつぼにおいて作り出される半導体材料の溶融物は、複数のメニスカス形成部により複数の別個の溶融小区域に区分され、その溶融小区域のうちの１つから間隔のあいたストリングの対を引き出すことによって、複数のリボンを成長させる。この装置を用いることにより隣接したリボン間の干渉が減り、制御された幅を有する離散的で実質的に平坦な結晶リボンの連続成長が促進される。
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本発明は、非コングルエントな気相化を呈し、単結晶又は多結晶形態で存在可能な化合物本体を単結晶状態で形成する装置（１０）において、前記本体の多結晶供給源が形成される基板（４２）及び前記本体の単結晶種（４６）を有する少なくとも１個の第１室（２０）と、第２室（１４）とを備え、前記基板は前記２室の間に配置されることを特徴とし、前記基板に前記本体を多結晶の形態で堆積させることのできる前記第２室に、前記本体のガス状前躯体を供給する手段（３６）と、前記基板を前記種の温度より高く維持して、前記多結晶供給源を昇華させ、前記本体の種に単結晶形態で堆積させる加熱手段（２６）とを具備する装置に関する。
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【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

単一ポリタイプの単結晶炭化珪素を開示する。直径は７５ミリメートルより大きく１２５ミリメートル未満であり、抵抗率は１０，０００オーム−ｃｍよりも高く、マイクロパイプ密度は２００ＣＭ^−２未満であり、浅準位のドーパントの合計濃度は５Ｅ１６ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。
【解決手段】平滑性（表面粗さ）が±１５０ｎｍ以内である炭化珪素単結晶及び当該材料を得るために、三フッ化窒素を含有するガスをプラズマ励起し炭化珪素単結晶の表面を平滑化する。なお、三フッ化窒素ガスの圧力が０．５〜１０Ｐａであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 格子欠陥の少ない高品質のＳｉＣ単結晶膜を形成する。
【解決手段】 ＳｉおよびＣを含んだ原料ガスを用いて化学気相成長法によってＳｉＣ単結晶基板４上にＳｉＣ単結晶膜を形成する際、ＳｉＣ単結晶基板４を第１加熱部で加熱し、ＳｉＣ単結晶基板４とは別に原料ガス流通方向上流側に設けられた第２加熱部でＳｉ材料５を加熱する。Ｓｉ材料５は加熱によってその蒸気圧が変化するため、それによって成膜中の反応管２内のＳｉ分圧を制御する。これにより、ＳｉＣ単結晶基板４のマイクロパイプを高い率で閉塞し、格子欠陥の少ないＳｉＣ単結晶膜を形成することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥、螺旋転位、刃状転位、及び積層欠陥をほとんど含まず、高品質のＳｉＣ単結晶並びにＳｉＣ種結晶を提供すること。
【解決手段】第１成長工程においては、｛１−１００｝面からオフセット角度±２０°以下の面、または｛１１−２０｝面からオフセット角度±２０°以下の面を第１成長面として第１成長結晶を作製し、中間成長工程においては、第（ｎ−１）成長面より４５〜９０°傾き、且つ｛０００１｝面より６０〜９０°傾いた面を第ｎ成長面として第ｎ成長結晶を作製し、最終成長工程においては、第（Ｎ−１）成長結晶の｛０００１｝面よりオフセット角度±２０°以下の面を最終成長面３５として、上記最終成長面３５上に螺旋転位及び刃状転位が低減されたバルク状のＳｉＣ単結晶３０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理に対しても電気伝導度の変化し難い半絶縁性炭化珪素単結晶および半絶縁性炭化珪素単結晶ウェハの提供を主たる目的とする。
【解決手段】 室温で１×１０^５Ωｃｍ以上の電気抵抗率と、原子空孔が複数集合した空孔クラスターを有する半絶縁性炭化珪素単結晶およびこれから得られるウェハである。 （もっと読む）

エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に第１の形態を形成することによって作製される。第１の形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第１のエピタキシャル炭化ケイ素層を、第１の形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長させる。次いで、第２の形態が．、第１のエピタキシャル層内に形成される。第２の形態は、結晶学的方向に対して非平行に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第２のエピタキシャル炭化ケイ素層が、第２の形態を備える第１のエピタキシャル炭化ケイ素層の表面上に成長される。
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オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第１の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の成長を中断し、第１の層の厚みを減少させるために該第１の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断／エッチング／再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも１つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

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【課題】マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面を改良するため、真空下で、約1200℃以上2300℃以下の温度で単結晶炭化ケイ素基板を加熱する。また、前記特長を有する単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、密閉容器内に設置して、高温熱処理を行うことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、前記単結晶炭化ケイ素基板上に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。好ましくは、前記加熱処理を、減圧下で約1600℃以上1800℃以下の範囲の所定の温度で行うことによって、成長する単結晶炭化ケイ素の表面の平坦度を制御する。 （もっと読む）

炭化珪素ベースのバイポーラデバイスにおいて、積層欠陥核生成を減らし、そして順方向電圧（Ｖｆ）ドリフトを低下させるための基板とエピタキシャル層とを作製する方法を開示している。本発明方法は、炭化珪素基板の表面を非選択性エッチングして、表面損傷及び表面下損傷の両方を除去する工程；その後で、選択性エッチングによって同じ表面をエッチングし、それによって、その後に終端する傾向があるか又は該基板表面上でその次のエピタキシャル層成長中に貫通欠陥として伝播する傾向がある該基板表面に達している少なくともいくらかのベーサルプレーン転位からエッチング生成構造を発生させる工程、そして、その後に、二回エッチングされた表面上に炭化珪素の第一エピタキシャル層を成長させる工程を含む。
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反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程；緩衝ガスを加熱する工程；およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第１の物質の少なくとも１つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第２の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。 （もっと読む）

制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法を開示している。
前記方法は、昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程；水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程；そして、一方、得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで該成長結晶中の点欠陥の数を増加させるのに充分に高いそれぞれの温度に、該原料粉末及び該種結晶を、昇華成長している間、維持する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＳｉＣ半導体１のイオン注入層２は、４Ｈ型ＳｉＣの｛０３−３８｝面から１０°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 （もっと読む）