【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＳＥ法を用いて、不純物濃度の面内分布のバラツキが充分に抑制されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置を提供する。
【解決手段】準安定溶媒エピタキシャル法により、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法であって、基板設置治具上に、複数の底面スペーサを所定の間隔を設けて配置し、底面スペーサ上に、炭素原子供給基板、複数の上部スペーサ、Ｓｉ板および単結晶ＳｉＣ種基板を、順に積み重ね、その後、Ｓｉの融点よりも高い所定の温度まで昇温して、単結晶ＳｉＣ種基板上に、単結晶ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させて、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１０は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝１０は、収容体１１と、中空体１２とを含む。収容体１１は、開口を有し、原材料を収容する。中空体１２は、収容体１１の内に収容され、収容体１１の開口側に向かって径が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるＳｉＣ単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１の加熱を開始すると、分離壁４の中空部分に露出する粉末原料５から生じた昇華ガスが成長空間領域６に供給される。そして、坩堝１の加熱を開始してから一定時間後に蓋体１ｂが容器本体１ａから離れるように相対的に移動させ、分離壁４の他端側の端面４ｅを容器本体１ａの底面から離すことで、分離壁４の他端側に接していた粉末原料５を新たな昇華ガス供給面として容器本体１ａ内に露出し、当該露出部分から昇華ガスをガス供給通路７および貫通穴４ｄを通過して成長空間領域６に供給することで、ＳｉＣ単結晶８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法と、それを用いて作られた炭化珪素基板とを提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素から作られた第１および第２の材料基板１１、１２のそれぞれは、第１および第２の裏面と、第１および第２の側面と、第１および第２の表面とを有する。第１および第２の裏面は支持部３０に接合されている。第１および第２の側面は、第１および第２の表面の間に開口を有する隙間を介して互いに対向している。開口上で隙間を閉塞する閉塞部７０が形成される。第１および第２の側面からの昇華物を閉塞部７０上に堆積させることで、開口を塞ぐ接合部ＢＤａが形成される。閉塞部ＢＤａが除去される。第１および第２の表面の上に炭化珪素単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】優れた特性の炭化ケイ素半導体素子を作製することが可能な、ステップテラス構造を持った炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の（０００１）面に対して傾いた主面を有する炭化ケイ素単結晶基板であって、前記主面はステップｓとテラスｔとのステップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造における前記ステップｓの平均高さｈが０.２５ｎｍ以上３ｎｍ
以下であり、前記主面の（０００１）面に対する傾斜角をθとするとき、前記主面内のいずれかの場所において、前記ステップｓに沿う方向に対して垂直な方向に、前記ステップｓと前記テラスｔとが連続する１０対の前記ステップテラス構造におけるテラス幅Ｗ_１〜Ｗ_１０のうち９０％以上が、Ｗ_０＝ｈ／ｔａｎθで求まる平均テラス幅Ｗ_０との相対誤差が１０％以内にある。 （もっと読む）

【課題】 加熱温度を均一に保ち、結晶品質の良好な単結晶を製造できる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、坩堝１０と筒状部材４０と加熱部材６０とを備え、坩堝１０の底部側には、昇華用原料２０が配置され、坩堝１０の底部に対向する坩堝蓋体１０ｂ側には、種結晶３０が配置され、筒状部材４０は、筒状形状であり、導電性材料が用いられ、加熱部材６０は、筒状部材４０の外側に配置され、筒状部材４０を誘導加熱により加熱し、筒状部材４０の内側には、坩堝１０が配置され、筒状部材４０の側壁は、坩堝１０の底部と坩堝蓋体１０ｂとをつなぐ坩堝１０の側壁と対向し、坩堝１０と筒状部材４０との間には、空間Ｓが形成される。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低減を図ることが可能な炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。ベース部材２０は、境界領域１１と下地領域１２とを含む。境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。下地領域１２は、主表面に対して垂直な方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、ＳｉＣ単結晶基板１における不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】複数の炭化珪素単結晶を有する複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と異なる材料から作られた支持層３１と、支持層３１上に形成された炭化珪素層３２とを有するベース部３０が準備され、前記ベース部３０の炭化珪素層３２上に第１および第２の炭化珪素単結晶１１、１２の各々が接合される。前記接合する工程は、前記炭化珪素層３２に前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々を対向させる工程と、前記炭化珪素層１１，１２のうち前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２に対向する部分のそれぞれを、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２上に昇華および再結晶させることによって、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々に前記炭化珪素層３２を接合する工程とを含む複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 成長結晶である単結晶が種結晶取付部から受ける熱応力を抑制することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素単結晶の製造装置１は、昇華用原料１３が収容される坩堝本体５と、前記昇華用原料１３に対向する部位に、種結晶２３を支持する第１の種結晶取付部２１が設けられた蓋体３と、を備え、前記第１の種結晶取付部２１は黒鉛から形成され、前記種結晶２３および前記昇華用原料１３は炭化ケイ素から形成され、前記第１の種結晶取付部２１は、蓋体３とは別体の薄板で形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】 単結晶全体で均一な不純物の含有濃度を有する炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素を含有する炭化ケイ素含有原料に所定の不純物２５を添加して昇華用原料１３を作製し、昇華用原料１３を坩堝７内に収容したのち、昇華用原料１３を加熱して発生させた昇華ガスによって炭化ケイ素からなる種結晶２３上に、不純物２５を含む単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。炭化ケイ素含有原料に対する不純物２５の添加量を変えて不純物の含有濃度が異なる複数の昇華用原料１３ａ，１３ｂを作製するステップと、複数の昇華用原料のうち含有濃度が低い昇華用原料１３ｂを加熱温度が高い坩堝７内の高温部Ｈに配置し、含有濃度が高い昇華用原料１３ａを加熱温度が低い坩堝７内の低温部Ｌに配置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】溶液法により結晶性の高いＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉ／Ｘ（ＸはＳｉ以外の１種以上の金属）の融液を溶媒とするＳｉＣ溶液２４の内部から溶液２４の表面に向けて温度低下する温度勾配を形成し、ＳｉＣ種結晶基板１４の下面をＳｉＣ溶液２４に接触させてＳｉＣ単結晶を成長させる溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、ＳｉＣ溶液２４の表面の温度勾配ｙ（Ｋ／ｍ）、及び（種結晶保持軸１２の熱伝導率）×（種結晶保持軸１２の断面積）の値である抜熱指標ｘ（Ｗ・ｍ／Ｋ）が、式：ｙ＜４９６８７ｘ＋４７２．２２を満たす条件下で、ＳｉＣ種結晶基板１４の下面をＳｉＣ溶液２４に接触させてＳｉＣ単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ張り合せ基板の製造方法は、複数の炭化珪素（ＳｉＣ）からなる単結晶体を準備する工程Ｓ１０と、集合体を形成する工程Ｓ２０と、単結晶体同士を接続する工程Ｓ３０と、集合体をスライスする工程Ｓ６０とを備える。工程Ｓ２０では、複数のＳｉＣ単結晶インゴットを、珪素（Ｓｉ）を含むＳｉ層を間に挟んで並ぶように配置して単結晶体の集合体を形成する。工程Ｓ３０では、集合体を加熱することにより、Ｓｉ層の少なくとも一部を炭化珪素化するとともに、Ｓｉ層において炭化珪素化した部分により、隣接するＳｉＣ単結晶インゴット同士を接続する。工程Ｓ６０では、ＳｉＣ単結晶インゴット同士が接続された集合体をスライスする。 （もっと読む）

【課題】所望の口径の結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶１３からＳｉＣ単結晶１４を成長させる際において、Ｘ線発生装置２１とイメージ管２２を用いて結晶口径を測定する。そして、上下動機構１７により結晶１４のガイド部材６ａへの挿入量を変化させて、測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む。 （もっと読む）

【課題】種結晶が有するマイクロパイプ欠陥を効果的に閉塞し、マイクロパイプ欠陥の伝播がない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロパイプ欠陥１を有する炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３の変質層５を除去する除去工程と、前記除去工程後の前記マイクロパイプ欠陥１を前記炭化ケイ素種結晶２の裏面４から充填材６で満たす充填工程と、前記充填工程後の前記炭化ケイ素種結晶２の結晶成長面３に炭化ケイ素単結晶を成長させる成長工程とを備える炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が１°以上６°以下の炭化珪素単結晶基板上に、ドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法であり、上記エピタキシャル膜が、０．５μｍ以下のドープ層と０．１μｍ以下のノンドープ層とを繰り返し成長させており、そのエピタキシャル成長において、ドープ層を形成する場合には材料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比(C/Si比)を１．５以上２．０以下とし、その時にドーピングガスである窒素を導入してドープ層とする。ノンドープ層を形成する場合にはC/Si比を０．５以上１．５未満とする。 （もっと読む）

【課題】所望の平面形状を有する炭化珪素基板を容易に得ることができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に互いに対向する第１の面Ｆ０ｋおよび第２の面Ｂ０ｋを有し、かつ炭化珪素からなる材料基板１０ｋが準備される。材料基板１０ｋが、炭化珪素が炭化されることによって得られる材料からなる炭化部７０ｋと、炭化珪素からなる炭化珪素部９０ｋとに区分されるように、材料基板１０ｋが部分的に炭化される。材料基板１０ｋを部分的に炭化するこの工程は、第２の面Ｂ０ｋが部分的に炭化されるように行われる。平面視における材料基板１０ｋの形状を調整するために、材料基板１０ｋの一部が除去される。材料基板１０ｋの一部を除去するこの工程は、炭化部７０ｋを加工する工程を含む。 （もっと読む）