【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１以上である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％未満である。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストの低減が可能な単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長用のシード材とフィード材のユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれの表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。フィード材１１の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、シード材１２の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ多結晶の成長による炉内の閉塞を防止し、長時間の成長を可能とする。
【解決手段】加熱容器８の内周壁面および台座９の外縁にパージガスを流動させる。これにより、台座９の周囲や加熱容器８の内周壁面に多結晶が形成されることを抑制することが可能となり、原料ガス３の流路の閉塞を防止することが出来る。これにより成長結晶の成長端面以外の不要な箇所でのＳｉＣ多結晶の堆積を抑制し、成長結晶の長時間にわたる成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶に多結晶が癒着することを抑制し、より高品質なＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】台座９をパージガスが種結晶５の裏面側から供給できる構造とし、種結晶５の外縁に向けてパージガスを流動させられるようにする。このような構造とすれば、パージガスの影響により、台座９のうちの種結晶５の周囲に位置する部分に多結晶が形成されることを抑制できる。これにより、ＳｉＣ単結晶２０を長尺成長させたとしても、多結晶のせり上がりによりＳｉＣ単結晶２０の外縁部に多結晶が癒着することを防止することが可能となる。したがって、外縁部の品質が損なわれることなくＳｉＣ単結晶２０を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体自立基板上に形成される電子デバイスの耐電圧、オン抵抗、素子寿命等のばらつきを抑えて歩留まりを向上させることが可能なＳｉＣ半導体自立基板及びＳｉＣ半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体自立基板を構成するＳｉＣ半導体結晶３は六方晶系であり、ＳｉＣ半導体結晶３の格子定数のばらつきを、ＳｉＣ半導体自立基板の主面内のａ軸方向の格子定数の標準偏差をａ軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、格子定数のばらつきが±５５ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。これにより、貫通らせん転位１ａが存在しない表面を有するＳｉＣ成長層４を得ることが可能となる。したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】異種多形の混入が無く、かつ、積層欠陥や螺旋転位などの欠陥が少ない高品質なＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の製造方法は、ＳｉＣからなる第１種結晶を用いて第１ＳｉＣ単結晶を成長させる第１成長工程と、第（ｋ−１）ＳｉＣ単結晶（２≦ｋ≦ｎ）から切り出した第ｋ種結晶を用いて第ｋＳｉＣ単結晶を再成長させる第ｋ成長工程を（ｎ−１）回（ｎ≧２）繰り返す再成長工程とを備えている。第１種結晶の成長面のオフセット角θ₁は４°＜θ₁≦３０°。（ｎ−１）回（ｎ≧２）の第ｋ成長工程の内、少なくとも１回は、θ_k＜θ_k-1の関係を満たす。第ｎ種結晶の成長面のオフセット角θ_nは、θ_n＜θ₁である。第ｋ種結晶（１≦ｋ≦ｎ）は、すべてオフセット方向上流側端部に螺旋転位発生領域を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置を大型化せずに単結晶の製造効率を向上させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８内に収容した昇華性の原料６の表面６ａ上に熱伝導体１１Ａを配置する熱伝導体配置工程と、ルツボ８及び熱伝導体１１Ａを加熱して原料６を昇華させ、熱伝導体１１Ａを下降させながら、昇華した原料６のガスを、ルツボ８を密閉する蓋体９に固定した種結晶１０に付着させて再結晶させ、単結晶１５を成長させる成長工程とを含む単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＸ（ＸはＳｃ及びＹを除く遷移金属、Ａｌ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＲ（ＲはＳｃ及びＹを含む希土類元素から選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、昇華再結晶法による単結晶成長において、高くかつ安定した昇華速度を示す炭化ケイ素粉体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が１００℃以上７００μｍ以下であり、かつ比表面積が０．０５ｍ^２／ｇ以上０．３０ｍ^２／ｇ以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が５μｍ以上２００μｍ以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が２０μｍ以下の炭化ケイ素粉体を、温度１９００℃以上２４００℃以下、圧力７０ＭＰａ以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度１．２９ｇ／ｃｍ^３以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造された複数のｎ型ＳｉＣ単結晶インゴット間の窒素濃度のばらつきを抑えることができるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態におけるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法は、坩堝７が配置される領域を有するチャンバ１を備えた製造装置１００を準備する工程と、坩堝７が配置される領域を加熱し、かつ、チャンバ１内のガスを真空排気する工程と、真空排気した後、希ガスと窒素ガスとを含有する混合ガスをチャンバ１内に充填する工程と、領域に配置された坩堝７に収納された原料を加熱により溶融して、シリコンと炭素とを含有するＳｉＣ溶液８を生成する工程と、混合ガス雰囲気下において、ＳｉＣ種結晶をＳｉＣ溶液に浸漬して、ＳｉＣ種結晶上にｎ型ＳｉＣ単結晶を育成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器８の周囲に配置される第１外周断熱材１０を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部１０ａ〜１０ｃを備えた構成とする。そして、各分割部１０ａ〜１０ｃの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材２０を備えた構造とする。これにより、複数の分割部１０ａ〜１０ｃの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複合基板が有する複数の炭化珪素基板の間の隙間への異物の残留を防ぐことができる複合基板を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面Ｂ１と、第１の裏面Ｂ１に対向する第１の表面Ｔ１と、第１の裏面Ｂ１および第１の表面Ｔ１をつなぐ第１の側面Ｓ１とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面Ｂ２と、第２の裏面Ｂ２に対向する第２の表面Ｔ２と、第２の裏面Ｂ２および第２の表面Ｔ２をつなぎ、第１の側面Ｓ１との間に隙間ＧＰを形成する第２の側面Ｓ２とを有する。閉塞部２１は隙間ＧＰを閉塞している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応室内に載置された被処理基板にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において前記反応室内に設けられる部材に堆積したＳｉＣ膜を改質するために第１のガス（例えば塩素系ガス）を供給する改質工程と、前記改質工程において改質された堆積膜を除去するために前記第２のガス（例えばフッ素系ガス、酸化ガス、水素ガス）を供給する除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】種結晶の成長面に溝を形成することなく、高品質なＳｉＣ単結晶を成長させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】種結晶３０として、（０００１）面から所定角度傾斜させた面を成長面３０ａとして有し、成長面３０ａに達する貫通転位３１を含み、成長面３０ａのうち（０００１）面の法線ベクトルを成長面３０ａに投影したベクトルの方向であるオフセット方向の端部に、成長中のＳｉＣ単結晶４０に積層欠陥３７を生成させる積層欠陥生成領域３０ｂを有するものを準備する種結晶準備工程と、種結晶３０の成長面３０ａ上に、ＳｉＣ単結晶４０を成長させるＳｉＣ単結晶成長工程と、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）