【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐電圧特性を向上させることが可能な単結晶基板を提供する。
【解決手段】 本発明の単結晶基板は、炭化ケイ素の単結晶からなり、イットリウム、ジルコニウム、マグネシウムおよびカルシウムのうち少なくとも１つを微量添加物として含む。このような微量添加物を含んでいることから、耐電圧特性を向上させることができる。
また、本発明の半導体素子は、上記の単結晶基板１と、単結晶基板１上に設けられた、炭化ケイ素からなるｐ型半導体層３と、単結晶基板１に設けられた第１電極４と、ｐ型半導体層３に設けられた第２電極５とを有する。 （もっと読む）

【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長表面の保温や形状制御を行い易くすることができるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器７と成長結晶引上保温ガイド１０との間に隙間を設け、この隙間を通じて原料ガス３のうちの未反応ガスが外側に排出されるようにする。つまり、台座９の外周を通過して真空容器６の上方から未反応ガスを排出する形態ではなく、台座９の下方においてＳｉＣ単結晶２０の径方向外側に向かって未反応ガスを排出する形態とする。このため、台座９の外周を通過する場合と比較して、排出経路の幅を広くすることが可能になり、排出経路の詰まりを更に抑制することが可能になる。また、台座９の外周の排出経路の詰まりを見込む必要がないため、第２加熱装置１４の制御に基づいてＳｉＣ単結晶２０の成長表面の保温や形状制御を行うことが容易となる。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を有するＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が０．５個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の欠陥レベルが低く、より大きく、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。なお、マイクロパイプ密度は、表面上にある全マイクロパイプの総数を、ウェハの表面積で割ったものを表す。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Ａでドーピングした基板と、ドーパントを基板よりも小さい濃度Ｂでドーピングしたエピタキシャル成長層と、基板とエピタキシャル層との間に、ドーパントをドーピングした２層以上積層した多層構造で形成されたバッファ層とを有し、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Ｃが、バッファ層の厚さをｄ、エピタキシャル成長層からの各層までの平均距離をｘ、所定の割合をＰとして、［Ｂ＋（Ａ−Ｂ）×ｘ／ｄ］×（１−Ｐ）≦Ｃ≦［Ｂ＋（Ａ−Ｂ）×ｘ／ｄ］×（１＋Ｐ）とした。 （もっと読む）

【課題】 軸オフのウェーハを得るための従来技術において、より大きな結晶は、一般に結晶の垂線から離れて配向され、ついで軸オフの種結晶を産生するためにウェーハが配向方向に向かって切断される。垂線から離れて結晶を配向することは、結晶と同じサイズのウェーハを切断するために利用可能な有効な層厚を低減する。
【解決手段】 半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約１００ｍｍの直径を有する。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面Ｓ１を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面Ｓ１と対向する第２の側面Ｓ２を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤａは、第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２の間で第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いにつないでいる。接合部ＢＤａの少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている。 （もっと読む）

【課題】 低オフ角のＳｉＣ基板上においても、エピタキシャル層表面の三角欠陥およびステップバンチングの発生を抑制できるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法およびそれによって得られるＳｉＣエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長シーケンスが、ＳｉＣ基板２１上に、第１の温度で第１のエピタキシャル層２２を成長させるステップと、前記第１の温度よりも低温の第２の温度で第２のエピタキシャル層２３を成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い延性および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 （もっと読む）

【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液の周辺領域の温度がばらつくのを抑制しつつ、ＳｉＣ種結晶の近傍領域を効率良く冷却可能な、溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】シードシャフト３０と、坩堝１４とを備える。シードシャフト３０は、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有する。坩堝１４は、ＳｉＣ溶液１６を収容する。坩堝１４は、本体１４０と、中蓋４２と、上蓋４４とを備える。本体１４０は、第１筒部３８と、第１筒部３８の下端部に配置される底部４０とを備える。中蓋４２は、本体１４０内のＳｉＣ溶液１６の液面の上方であって第１筒部３８内に配置される。中蓋４２は、シードシャフト３０を通す第１貫通孔４８を有する。上蓋４４は、中蓋４２の上方に配置される。上蓋４４は、シードシャフト３０を通す第２貫通孔５２を有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコンカーバイト素子を構成しているエピタキシャル層の品質は、高性能素子を作るうえで重要であり、特に、電気的耐圧を下げるパーティクルを減らす事は、最重要事項である。
一方、エピタキシャル層製膜時、エピタキシャルを製膜する単結晶シリコンカーバイトウエファー以外の部分にもシリコンカーバイトが、多く析出し、それらがカーボン、金属、石英ガラス製の反応炉構成部材表面から剥離しガスの流れにより成長中のエピタキシャル層に混入しパーティクルが形成されていた。
特に、距離的に近いため、ウエファーが乗っているサセプターからのシリコンカーバイト析出物の剥離が問題であった。
【解決手段】 サセプター上にシリコンカーバイト板をパーティクル吸着板として取り付け、析出したシリコンカーバイトが、剥離しないようにした。 （もっと読む）

【課題】ガイドに多結晶が付着することを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器９には、中空部９ｂを構成する側部９ｄに当該反応容器９の中心軸に沿った導入通路９ｃを形成する。ガイド１０には、内部が空洞とされて空洞部１０ｃを構成すると共に空洞部１０ｃを導入通路９ｃと連通する連通孔１０ｄを形成し、筒部１０ａの内周壁面に空洞部１０ｃと中空部９ｂとを連通する第１出口孔１０ｅを形成する。そして、導入通路９ｃおよび空洞部１０ｃを介して第１出口孔１０ｅから不活性ガス１６またはエッチングガスを中空部９ｂに導入する。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ長尺な単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内には、単結晶９の原料２および種結晶４が対向配置される。また坩堝１内には、原料２が昇華したガスを種結晶４へと導くガイド３および種結晶４の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング６が配設される。坩堝１の内壁、ガイド３およびタンタルリング６で囲まれる密閉空間には、断熱材５が配設される。以上の構成の坩堝１を加熱して原料２を昇華させることにより、種結晶４上に単結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。
【解決手段】ａ面成長を繰り返して｛０００１｝面口径の大きいＳｉＣ単結晶を製造する場合において、成長面の総面積（Ｓ₂）に対するＳｉ面側ファセット領域の面積（Ｓ₁）の割合Ｓ_fcaet（＝Ｓ₁×１００／Ｓ₂）が２０％以下に維持されるように、ＳｉＣ単結晶をａ面成長させる。 （もっと読む）

【課題】内部の歪を緩和し、大口径の炭化珪素結晶ウエハに生じる反りを抑制することができる炭化珪素結晶インゴット、炭化珪素結晶ウエハおよび炭化珪素結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４インチ以上の表面を有し、ｎ型ドーパントの濃度が１×１０¹⁵個／ｃｍ³以上１×１０²⁰個／ｃｍ³以下であり、金属原子の濃度が１×１０¹⁴個／ｃｍ³以上１×１０¹⁸個／ｃｍ³以下、かつｎ型ドーパントの濃度以下であって、金属原子の濃度勾配が１×１０¹⁷個／（ｃｍ³・ｍｍ）以下である炭化珪素結晶インゴットと、それを用いて作製された炭化珪素結晶ウエハ。前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化珪素基板における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる単結晶炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の単結晶炭化珪素基板５０は、４Ｈのポリタイプの結晶構造を有し、１×１０¹⁶個／ｃｍ³を超える原子濃度で導電型不純物として添加された窒素原子を有し、直径５ｃｍの円を包含する主面を有する。また単結晶炭化珪素基板５０はファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなる。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を成長させることができる単結晶の製造方法と、それに用いる種結晶固定剤とを提供する。
【解決手段】種結晶固定剤３１を用いて台座４１に種結晶１１の裏面が固定される。種結晶１１の裏面が固定される際、加熱により種結晶固定剤３１が硬化させられる。種結晶固定剤３１は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、ダイヤモンド微粒子とを含む。台座４１に固定された種結晶上に単結晶が成長させられる。 （もっと読む）