【課題】横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化珪素層１１を形成する工程と、立方晶炭化珪素層１１を選択除去し、結晶成長領域の結晶方位面が｛１００｝面となる所望のパターンの立方晶炭化珪素シード層１１ａを形成する工程と、この立方晶炭化珪素シード層１１ａ上に立方晶炭化珪素を成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素結晶の成長温度を大幅に低下させ、しかも成長速度を大幅に高めることができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素酸化物と炭素の混合物を加熱して、平板状炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法であって、前記混合物が、ケイ素酸化物と炭素が内部で接触した粒子を含んでなる。好ましくは、前記混合物の窒素吸着比表面積が、前記混合物から炭素除去して得られるケイ素酸化物の窒素吸着比表面積の７０％以下であり、かつ前記ケイ素酸化物の窒素吸着比表面積が５０ｍ^２／ｇ以上である。１つの態様として、金属ケイ素を前記混合物と混合し、溶融状態の前記金属ケイ素を前記炭化ケイ素種結晶に接触させる。もう１つの態様として、金属ケイ素を前記平板状炭化ケイ素種結晶に接触させて層状に配置し、溶融状態の層状の金属ケイ素を介して、炭化ケイ素単結晶を前記炭化ケイ素種結晶上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する炭化ケイ素単結晶を製造することが可能な炭化ケイ素単結晶の製造装置及び当該装置で製造された炭化ケイ素単結晶により作製される炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】改良レイリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する装置であって、台座２０は、当該台座２０の外周側面が種基板３０の外周側面よりも外側に位置するとともに、種基板３０を保持するフィクサー２１を当該台座２０の外周側面から下側に向けて当該台座２０の底面２０ａよりも下側に突き出た状態で備えており、種基板３０は、当該種基板３０の一方の面（裏面）と台座２０の底面２０ａとの間に接着剤が一切塗布されず、当該種基板３０の外周側面とフィクサー２１との間に接着剤Ｇが塗布された状態で当該フィクサー２１に保持されて固定されている。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】成長炉内を均熱化することが可能であり種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により原料溶液２からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶３を有する成長炉４と、該種結晶３を支え且つ種結晶３から熱を成長炉４の外部に伝達するための支持軸５と、前記原料溶液２を収容する坩堝６と、前記坩堝６を成長炉４内の内壁から距離をおいて保持するための支持部８と、前記成長炉４を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体９とを含んで成る溶液法ＳｉＣ単結晶製造装置１を用いるＳｉＣ単結晶製造方法であって、前記支持部８の少なくとも一部として、坩堝６を支える方向の熱伝導率（ＴＣ_Ｖ）と前記方向に垂直な方向の熱伝導率（ＴＣ_Ｈ）との間にＴＣ_Ｈ＞ＴＣ_Ｖの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部１１を用いる。 （もっと読む）

【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】複数元素から成る半導体単結晶を溶液法により製造する装置であって、溶液を収容する坩堝の内底への多結晶晶出を低減できる製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造装置において、
上記坩堝は底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合しており、
該内包された断熱材は、その下端から上方へ向けて径が漸減している
ことを特徴とする。上記製造装置を用いた製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル６０，７０に、各ガス供給口６８，７２からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口６８，７２の第１ガス排気口９０側に各整流板６９，７３を設けた。これにより、各ガス供給口６８，７２から噴射（供給）された反応ガスが、第１ガス排気口９０に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ１４に向けて略均一化して、各ウェーハ１４をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】貫通転位欠陥の少ない良質の大口径｛0001｝面ウェハを再現性良く製造できるSiC単結晶育成用種結晶、SiC単結晶の製造方法、及びSiC単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によりSiC単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の２点間を結んだ長さが最大２ｍｍ以下である大きさを有すると共に、SiC単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から２ｍｍ以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたSiC単結晶育成用種結晶、これを用いたSiC単結晶の製造方法、及びSiC単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶に起因した炭化珪素単結晶の品質の低下を抑制可能な炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】種結晶１００の主面１００ｂが開口部側に向き、種結晶１００の主面１００ａが底部３３側に向くように、種結晶１００を固定部材２００に固定し、炭化珪素部材１５０の主面１００ａは、種結晶１００の主面１００ｂに対向し、炭化珪素部材１５０の主面１００ａと種結晶１００の主面１００ｂとの間に空間Ｓを設けて、炭化珪素部材１５０を固定する。 （もっと読む）

【課題】坩堝内部の温度勾配を小さくしても、原料を残さず昇華させることが可能な炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部を有し、原料２０が配置される坩堝本体３０と、坩堝本体３０の開口部を塞ぐ蓋体４０とを備えた坩堝５０と、坩堝本体３０の側部３０ｂの外側に位置し、坩堝５０を誘導加熱する加熱コイル８０とを有する炭化珪素単結晶の製造方法であって、底部３０ａの電気伝導率は、側部３０ｂの電気伝導率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 製造後半にＣ／Ｓｉ比が高くなることによって生じる品質の低下を抑制した４Ｈ型炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料準備工程Ｓ１１では、Ｃ／Ｓｉ比が０．７以下であり、Ｃ／Ｓｉ比が異なる原料２０ａ、原料２０ｂ及び原料２０ｃを準備し、原料配置工程Ｓ１２では、高温に加熱される位置にある原料２０ほど、Ｃ／Ｓｉ比が高くなるように、原料２０を配置する。 （もっと読む）

【課題】種結晶付近の炭化珪素単結晶から製造された炭化珪素単結晶ウエハにクラックが発生することを抑制し、歩留まりを向上させた炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる種結晶１００を坩堝５０の一方側に配置し、炭化珪素単結晶３００の原料２０を坩堝５０の他方側に配置する。次に、原料２０を加熱し、種結晶１００上に炭化珪素単結晶３００を成長させる。その後、種結晶１００を坩堝５０から取り外し、坩堝５０の蓋体４０側に面していた種結晶１００の表面層を除去した後に、炭化珪素単結晶３００をスライスする。 （もっと読む）

【課題】成長結晶端部のクラック発生を防止して、溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−Ｃ溶液面に接触させたＳｉＣ種結晶の下面にＳｉＣ単結晶を成長させる、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法において、結晶成長が完了した時に、成長したＳｉＣ単結晶が接触している上記溶液面の近傍のＳｉ−Ｃ溶液のＣ濃度を低下させた後に、上記成長したＳｉＣ単結晶を上記溶液面から引き上げることを特徴とする溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法。成長したＳｉＣ単結晶が接触している上記溶液面の近傍のＳｉ−Ｃ溶液のＣ濃度を７at％以下に低下させることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を得る。
【解決手段】 原料を充填する充填部を有する坩堝と、坩堝の蓋となる蓋体と、蓋体に充填部に対向して設けられた種結晶を取り付ける台座と、坩堝から前記台座に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイドと、充填部の上部に設けられた、その上面が単結晶多結晶分離用ガイドに対向して設けられ単結晶多結晶分離用ガイドを下方から放射加熱する放射面である、原料ガス整流ガイドとを備えることにより、分離用ガイドの温度を台座に取り付けられた種結晶より高温にする。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料２０を坩堝１０に配置する配置工程と、坩堝１０に配置された炭化珪素原料２０を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料２０を再結晶させる成長工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、成長工程では、坩堝１０に水素を導入する。 （もっと読む）