【課題】ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を蓋体に接着しないタイプの単結晶製造装置において、種結晶の破損や単結晶の品質低下を防止することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置の蓋体４０の略中央部には、突部４１が設けられている。突部４１は、蓋体開口部を介して坩堝本体の内側に向けて突出するように配置される。種結晶１０は、ガイド開口部４３ｈに挿通された突部４１の当接面４１ａと支持部４３２との間に配置される。突部４１に形成されたねじ山４１ｓが係合部４３１に形成されたねじ溝４３ｇに螺合されることにより、当接面４１ａが種結晶１０における結晶成長面とは反対の裏面全面を突部４１に対して押圧するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ドーパントとＰ型ドーパントとのバランスをより制御しやすくすることによって、半絶縁性の優れた炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素原料２０を坩堝１０に配置する工程と、坩堝１０に配置された炭化ケイ素原料２０を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料２０を加熱する工程では、坩堝１０に水素ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の密度が比較的高い場合であっても、炭化ケイ素焼結体の内部にシリコンを十分に含浸させることができる貼り合わせ基板用支持基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ基板用支持基板（支持基板）の製造方法は、ケイ素を含浸させるための含浸導入部を炭化ケイ素焼結体に設けるステップＳ１と、少なくとも炭化ケイ素を含むスラリー層を炭化ケイ素焼結体の外面に形成するステップＳ２と、スラリー層を形成した炭化ケイ素焼結体に溶融シリコンを含浸させるステップＳ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】積層基板６に存在する転位には、表面から中間深さまで伸びている転位ａ、表面から基板との界面８まで伸びている転位ｂ、表面から界面を越えて基板４にまで伸びている転位ｃが存在するところ、その出現深さを特定する方法が存在しない。転位の出現深さを特定できる技術を提供する。
【解決手段】 半導体層の表面からエッチングする。そのときに、エッチピットの内部に平坦底面ｆａ，ｆｂが出現するまでエッチングするか、あるいは、半導体層２を貫通する転位に沿って形成されるエッチピットが半導体層２を貫通する時間以上に亘ってエッチングする。その後にエッチピットの内部の出現した平坦底面ｆａ，ｆｂの深さを特定する。その深さが転位の出現深さに等しいことから、転位の出現深さが特定できる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】欠陥を生成させるおそれが少なく、かつ均質なＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたＳｉＣ種結晶１２を用いて、ＳｉＣ種結晶１２の表面に新たな結晶を成長させる第１成長工程を備えたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）ＳｉＣ種結晶１２は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。（２）ＳｉＣ種結晶１２の主成長面上にある｛０００１｝面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。（３）主方向に沿って、｛０００１｝面最上位部側から外周に向かって存在する副成長面を、順次、第１副成長面、第２副成長面、…第ｎ副成長面（ｎ≧２）とする場合、第ｋ副成長面（１≦ｋ≦ｎ−１）のオフセット角θ_kと第（ｋ＋１）副成長面のオフセット角θ_k+1との間に、θ_k＜θ_k+1の関係が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶成長に伴う蓋材の変形によりＳｉＣ単結晶が劣化することを抑制する。
【解決手段】台座５を蓋材１ｂと別部材で構成すると共に、台座５の材料としてＳｉＣと熱膨張係数がほぼ同じものを選択する。このようにすれば、ＳｉＣ単結晶４の結晶成長後の冷却過程において蓋材１ｂにＳｉＣ多結晶が成長した影響で蓋材１ｂが変形したとしても、接合部材６を介して蓋材１ｂに貼り合わされた台座５にはその影響があまり伝わらない。さらに、台座５も加熱により熱膨張することになるが、台座５の熱膨張係数がＳｉＣの熱膨張係数とほぼ同じになるようにしているため、ＳｉＣ単結晶基板３は台座５の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。また、蓋材１ｂと台座５との間に薄板状の緩衝材７を配置し、緩衝材７の両面に接合部材８、９を配置する。これにより、より結晶成長後の蓋材１ｂの変形による影響が台座５に伝わり難くなるようにできる。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を安定して製造可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造方法は、溶液成長法による。ＳｉＣ単結晶の製造方法では、Ｓｉと希土類元素とを含有し、Ｓｉと希土類元素との総含有量に対する希土類元素の含有量が６０ａｔ％以上である原料５を収納した容器４を準備する。そして、原料５を溶融して融液を生成し、かつ、融液にＣを溶解してＳｉＣ溶液を生成する。ＳｉＣ溶液にＳｉＣ単結晶からなる種結晶７が浸漬される。ＳｉＣ溶液のうち、種結晶近傍部分の温度を他の融液部分の温度よりも低くして、種結晶７上に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化ケイ素と格子定数が異なるシリコン基板上に、結晶欠陥が少なくかつ高品質の立方晶炭化ケイ素膜を有する立方晶炭化ケイ素膜付き基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板１は、シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化ケイ素膜３が形成され、このシリコン基板２の立方晶炭化ケイ素膜３との界面近傍に、シリコン基板２の表面２ａから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔４が多数形成されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第１の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第２の工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造時間及び製造コストを増大させることなく、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位の発生が抑制された高品質の炭化珪素単結晶を製造できる種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶２００を製造するために用いられ、単結晶２００が成長を開始する面である成長面２０ａを有する種結晶１Ａ及び種結晶１Ｂであって、種結晶１Ａ及び種結晶１Ｂは、炭化珪素単結晶からなる基板１０と成長面２０ａを有する遮断膜２０とを有し、基板表面１０ａは、遮断膜２０で覆われており、遮断膜２０のＸ線ロッキングカーブの半値幅が、２０アーク秒以下である。 （もっと読む）

【課題】単結晶に割れ等の損傷を起こすことなく、種結晶の成長面の全ての領域から、多結晶のない良質な炭化ケイ素単結晶を成長させる。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、炭化ケイ素を含む昇華用原料２１および種結晶２７を坩堝７内に対向して配置し、昇華用原料２１を加熱して生じる昇華ガスＧによって種結晶２７上に炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶４１の製造方法であって、炭化ケイ素を含む粉体を加圧成形したのち仮焼して、所定の硬度を有する昇華用原料２１を作製するステップと、昇華用原料２１を坩堝７内の上部に配置し、種結晶２７を坩堝７内の底部６に載置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる設備及び方法を提供する。昇華技術を使用するＳｉＣ結晶の成長は好ましくは、２つの段階の分けることができる。成長の第２の段階の間には、結晶は通常の方向に成長すると共に、横方向に拡がる。転位及び他の材料欠陥は、軸方向に成長した材料中に伝播することがあるが、横方向に成長した材料中での欠陥の伝播及び発生は、なくらならないまでも実質的に減少する。結晶が所望の直径に拡張した後で、第２の段階を開始し、ここでは横方向の成長を抑制し、通常の成長を促進する。実質的に減少した欠陥密度は、横方向に成長した第１の段階の材料に基づく軸方向に成長した材料中で維持される。 （もっと読む）

【課題】被加工物の被加工面を加工することにより平坦性が高く、かつ加工変質層のない被加工面を形成することのできる加工方法を提供する。
【解決手段】処理溶液３０中に被加工面２０ａを有する被加工物２０を設置する被加工物設置工程と、光触媒膜１２を被加工面２０ａに対向させて処理溶液３０中に設置する光触媒膜設置工程と、光触媒膜１２に光を照射して、光触媒膜１２の光触媒作用により処理溶液３０から活性種４０を生成させる活性種生成工程と、処理溶液３０に添加されたラジカル捕捉剤４２により、処理溶液３０中における活性種４０の拡散距離を制御する活性種拡散距離制御工程と、被加工面２０ａの表面原子２２と活性種４０を化学反応させ、処理溶液３０中に溶出する化合物５０を生成させることにより被加工物２０を加工する加工工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得る。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶に窒素をドープし、かつ、窒素の濃度を２×１０¹⁹ｃｍ^-3より多くする場合に、Ａｌも同時にドープすると共にＡｌ／Ｎ比が５％以上となるようにする。これにより、積層欠陥を低減することができる。さらに、Ａｌ／Ｎ比が４０％以下となるようにすることで、比抵抗を小さくすることができ、デバイスに望まれる比抵抗を得ることができる。したがって、デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】互い異なる内径を有するマイクロパイプを塞いだシリコンカーバイド基板生産物を製造できるシリコンカーバイド基板生産物の製造方法、該製造方法により製造されたシリコンカーバイド基板生産物を提供する。
【解決手段】複数のマイクロパイプ１１０を有するシリコンカーバイド基板１の主面１０２に樹脂を塗布することにより、複数のマイクロパイプ１１０を樹脂で塞ぐ複数の塗布工程と、樹脂を硬化させる硬化工程とを有し、複数の塗布工程において、工程毎に樹脂の粘度を異ならせることを特徴とする。これにより、粘度の低い樹脂により内径の小さいマイクロパイプを塞ぐことができ、また、粘度の高い樹脂により内径の大きいマイクロパイプを塞ぐことができる。従って、簡易な方法により複数のマイクロパイプ１１０を塞いだシリコンカーバイド基板生産物１ａを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）