【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に対して、２Ｈ−ＳｉＣ単結晶のみを、簡易かつ効果的に形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）単結晶基板の一主面上に、ＡｌＮ膜を形成し、前記ＡｌＮ膜上に２Ｈ−ＳｉＣ単結晶を形成する２Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、前記一主面の法線が、[１１１]方向から[０１１]方向または[１１２]方向に対して、０°より大きく３０°より小さい角度のオフカット角を有しており、より好ましくは、[１１１]方向から[０１１]方向に対して５°以上２０°以下、または[１１１]方向から[０１１]方向に対して６°以上２２°以下である。 （もっと読む）

【課題】 貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。
【解決手段】基底面（０００１）より傾斜角の大きいストライプ２の傾斜面２ａを貫通する貫通らせん転位４を基底面内の欠陥４ａに構造転換し、傾斜面２ａの間で欠陥４ａを貫通らせん転位と同方向へ伝播させ、ストライプ２の上側をｃ軸方向に貫通らせん転位４が貫通しない部位（ｃ軸方向に貫通する欠陥の密度を減らした領域）ｘ１として特定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板にエピタキシャル膜を形成する際に生じる裏面が粗くなることを抑制することにより、炭化珪素単結晶ウエハの裏面の研磨によって生じる炭化珪素単結晶ウエハの品質の低下を抑制するとともに、工数を減少させることができる炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶ウエハの製造方法は、炭化珪素からなる主面３０ａを有するプレート３０の主面３０ａ上に基板１０を載置し、基板１０上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の種結晶に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることができ、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長速度を面内においてより均一にできるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱容器８の中心軸に対して内壁面を傾斜させた台座部９を備え、この台座部９の内壁面に対して周方向に並べた複数の平坦面に種結晶５を配置する。このように、複数の種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることで１ラン当たりのウェハの取れ数を多くすることが可能となる。そして、種結晶５が配置される台座部９の内壁面を加熱容器８の中心軸に対して傾斜させることで、台座部９の裏面からの冷却と、第１加熱装置１１によって加熱された加熱容器８からの輻射熱効果により、種結晶５の表面での温度分布をほぼ均一にできる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であり、信頼性を向上させることができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板１として、単結晶ＳｉＣと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層３を形成する工程および半導体素子の構成要素４〜１０、１４〜１７を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、接合工程では、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合する。このような製造方法では、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１とを半導体素子の動作温度以下の温度で接合しているため、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、ＳｉＣ半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、ＳｉＣ半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ溶液を収容する容器、
該容器内の該ＳｉＣ溶液を適温に維持する温度制御手段、
ＳｉＣ種結晶をその結晶成長面の裏面全体に面接触した状態で保持する保持手段として作用し、且つ、該ＳｉＣ種結晶を冷却する冷却手段として作用する下端部を有する保持軸、および
該結晶成長面にＳｉＣ単結晶が継続的に成長するように、該結晶成長面を該ＳｉＣ溶液に接触させた状態に維持するための該保持軸の位置制御手段、
を備えたＳｉＣ単結晶の製造装置であって、
該保持軸の下端部は、該面接触した該結晶成長面の面内温度分布を均一化するための均熱手段を有することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ＳｉＣ種結晶近傍に炭素を供給しやすいＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１００内の坩堝６は、内径ＩＤＴを有する上部収納室６２１Ａと、上部収納室６２１Ａの下方に配置され、内径ＩＤＴよりも小さい内径ＩＤＢを有する下部収納室６２２Ａとを備える。誘導加熱装置３は、上部収納室６２１Ａの周りに配置される上部コイル部３１１と、下部収納室６２２Ａの周りに配置される下部コイル部３１２とを備える。下部コイル部３１２は、上部コイル部３１１が上部収納室６２１Ａ内のＳｉＣ溶液８に生成する電磁力よりも大きい電磁力を、下部収納室内６２２ＡのＳｉＣ溶液８に生成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察されるものである。シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれにおいて、表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値は、フィード材１１の方がシード材１２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されない。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１以上である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％未満である。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストの低減が可能な単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長用のシード材とフィード材のユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれの表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。フィード材１１の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、シード材１２の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】より高純度な炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素多結晶インゴット形成用の坩堝１内で、珪素と炭素を原料２とする昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を形成する工程と、種結晶取り付け部８ｃに種結晶基板１１が取り付けられた炭化珪素単結晶形成用の坩堝８内で、昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を昇華させて炭化珪素単結晶インゴット１２を形成する工程と、を備えた （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 （もっと読む）

【課題】多結晶の生成を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】
チャンバ１内には、治具４１と、坩堝６とが格納される。坩堝６には、ＳｉＣ溶液が収納される。治具４１は、シードシャフト４１１と蓋部材４１２とを備える。シードシャフト４１１は、昇降可能であり、下面にＳｉＣ種結晶９が取り付けられる。蓋部材４１２は、シードシャフト４１１の下端部に配置される。蓋部材４１２は、下端が開口する筐体であって、シードシャフトの下端部が内部に配置される。ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。さらに、蓋部材４１２の下端は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。そのため、蓋部材４１２は、ＳｉＣ溶液のうち、ＳｉＣ単結晶周辺の部分を覆い、保温する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察され、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１未満である。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減することが可能なシード材とフィード材とのユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、かつ、表層のＸ線回折により（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察されるものである。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が、シード材１２よりもフィード材１１の方が小さい。 （もっと読む）