【課題】無機結晶膜上に他種の膜を積層して素子化しても性能や信頼性の低下を招くことなく利用することができる膜構造を有する無機結晶膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】無機結晶膜は、基材上に形成されており、少なくとも二層構造であり、基材に接する下層は緻密層であり、膜の最上層は充填した粒子が互いに結合してなる結合層である。無機結晶膜の製造方法は、無機結晶膜となる金属種を含有する化学溶液を基材に塗布する塗布工程、塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥工程、および、乾燥した膜を焼成する焼成工程、を備え、上記塗布工程、乾燥工程および焼成工程を１セットとして複数回繰り返す方法である。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体^１２Ｃを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を０．０１質量％以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば１２００℃以上２３００℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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本発明は、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法に関し、より詳細には、蒸着された薄膜を熱処理時引き起こされる圧縮応力を用いて、単結晶ナノワイヤを製造する方法に関する。このため、基板を提供するステップと、該基板の上に該基板との熱膨張係数の差が２ｘ１０^−６／℃以上の物質の薄膜を設けるステップと、該薄膜の設けられた基板を熱処理して該膜に該基板との熱膨張係数の差による引張応力を引き起こすステップと、該基板を冷却させることによって該膜に圧縮応力が引き起こされ、該物質の単結晶ナノワイヤが成長するようにするステップとを含む、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 公知の金属薄膜と比較して、より優れた物性を付与しうる金属膜を提供する。
【解決手段】シリコン、酸化シリコン、酸化ベリリウム、酸化アルミニウムのいずれかよりなる基板上に形成されたＴａ膜、Ｗ膜、Ｃｒ膜、Ｍｏ膜のいずれかである金属膜であって、該金属膜は立方晶系の結晶構造を有し、該金属膜は面内方向において１０μｍ以上の範囲にわたって周期的な規則性を示す結晶方位を有し、該結晶方位は、｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面という各結晶面が現れるように、特定の結晶軸方向を回転軸として徐々に回転する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の優れた大型の有機単結晶の形成方法及びその有機単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機単結晶を構成する有機物が溶解した溶液中から有機単結晶を育成する方法において、前記溶液中にゲル化剤を投入することによりゲルを形成し、ゲル中で結晶成長を行う。４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド−４−ニトロフェニルヒドラゾン、または（−）−４−（４’−ジメチルアミノフェニル）−２−（２−ヒドロキシプロピルアミノ）シクロブテン−３，４−ジオン等において好適に実施される。 （もっと読む）

【課題】超伝導ストリップにおけるバッファ層等として使用される薄膜層の形成に関し、双軸の結晶方向を持つ薄膜層の製造方法を提供する。
【解決手段】所望の薄膜層に対応する組成の原子１１をストリップの形状を持つ基板２上に複数回交互に繰り返し積層させ、この措置とは時間的及び空間的に分離した形で、この積層させた原子に、基板に対して所定の角度範囲内の角度（α）に方向を調整した高エネルギービーム１２を照射する。 （もっと読む）