【課題】 不良部分のない大きな高分子単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】 培養液中で、ニワトリ卵白リゾチームの単結晶を成長させた（ａ）、この単結晶の一部を、波長193nmの固体紫外短パルスレーザ光を照射することによりアブレーション除去した（ｂ）、その後再度培養を開始したところ、加工面を起点にして結晶が再成長し、大きな結晶を得ることができた（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】特定方向に大きく成長した結晶を製造する。
【解決手段】同一原料溶液中で種結晶を育成し続けるのではなく、第１原料溶液１ｓ中でＴＧＳ系種結晶Ｃ１をある程度育成した後、ドーパントの濃度が異なる第２原料溶液２ｓ中へ成長中種結晶Ｃ１を移して育成する。これを繰り返して、特定方向に大きく成長させる。
【効果】ｂ軸方向の成長を抑え、ａ軸方向，ｃ軸軸方向に大きく成長したＴＧＳ結晶を効率良く製造することが出来る。 （もっと読む）

本発明は、複数のウェルであって、各ウェルはその中に異なる結晶化媒体を含む、マルチウェル結晶化プレートに関する。各結晶化媒体は、少なくとも二つの異なるパラメータに従って変動する。第1パラメータは少なくとも一つの条件を有し、第2パラメータは少なくとも二つの異なる条件を有し、それによって、マルチウェルプレートは、基質の結晶化条件の最適化の促進を可能とする。基質の結晶化条件を最適化するための方法も開示される。
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本発明は、マイクロ流体デバイス及びその使用方法を提供する。本発明は、マイクロ流体デバイスの使用、マイクロ流体デバイスの中で実行される反応を解析するための装置及びシステム、ならびにマイクロ流体デバイスの使用で得られるデータの生成、保存、編成、及び解析のためのシステムをさらに提供する。本発明は、一部の実施形態において結晶形成に有用なマイクロ流体システム及びデバイスを使用し、製作する方法をさらに提供する。
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電気光学素子として有用な新規な４−ジメチルアミノ−４−スチルバゾリウムトシレート（ＤＡＳＴ）の結晶を提供する。
本発明では、ＤＡＳＴの双晶によって、電気光学素子として用いるに有効な大きさのＤＡＳＴを提供できた。
ＤＡＳＴ双晶は、種結晶法あるいは斜面結晶育成法によって得ることができた。 （もっと読む）

結晶制御振動子は、振動子に使用するのに適した材料から形成される結晶を含む。しかし、材料自体の熱膨張特性は、振動子の動作温度範囲にわたって振動子の周波数の温度依存性を制御可能にする。調時装置は、結晶制御振動子を組み込むことができる。 （もっと読む）