【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

耐圧釜を用いて超臨界アンモニアの中で窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶を成長する方法を開示する。大表面積のＧａＮ結晶が作られるが、それはカルシウム、マグネシウム、またはバナジウム、または１％未満のインジウムを含み得る。
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【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法による単結晶窒化物の製造において、原料としての窒化物含有成型体ならびにこれを用いた単結晶窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族元素の窒化物と鉱化剤とを含有する窒化物含有組成物をプレス成型等により窒化物含有成型体Ｂを成型する。つづいて、該窒化物含有成型体Ｂと種結晶Ａとを、超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体（溶媒Ｃ）中に配置することにより、窒化物含有成型体Ｂを構成する窒化物含有組成物を超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体に溶解し、溶解した窒化物含有成型体Ｂを種結晶Ａに供給して結晶育成する。 （もっと読む）

【課題】結晶の析出位置を制御し、結晶の収率を向上させ、また、結晶への不純物混入を防止して結晶を高純度化するソルボサーマル法による結晶製造方法、結晶製造装置を提供する。
【解決手段】溶媒と臨界密度の異なる物質を反応容器内に所定量存在させ、ソルボサーマル法により結晶成長を行う結晶製造方法、結晶製造装置である。 （もっと読む）

【課題】黄色ブドウ球菌感染症の予防・治療薬の開発等に有用な新たなポリペプチド等を提供する。
【解決手段】Ｔ細胞増殖活性を有する黄色ブドウ球菌由来の特定なアミノ酸配列等を含むポリペプチド、それをコードするポリヌクレオチド、前記ポリペプチドの結晶等を提供する。これらを用いることにより新たな機序の黄色ブドウ球菌感染症の予防・治療薬の開発が可能となる。特に、本発明の結晶のＸ線構造解析から得られた構造座標を用いることによりin silicoでの黄色ブドウ球菌感染症の予防・治療薬の開発が可能となる。 （もっと読む）

本発明は、簡単にかつ効率的に生体高分子結晶を得ることができる生体高分子結晶生成装置及び生成方法である。本発明では、生体高分子試料を収容した第一容器、生体高分子の結晶化に際して緩衝剤として作用するゲルを収容した第二容器、及び生体高分子の結晶化に際して分子の凝集化を促進するための機能を果たす沈殿化剤溶液を収容した第三容器をそれぞれ準備し、これらを所定の態様で結合して生体高分子試料と沈殿化剤溶液とをゲルを介して接触させることにより生体高分子の結晶化を行わせるようにする。
本発明によれば、多種、多数の蛋白質結晶用試料が必要となる場合であっても、所望の生体高分子溶液に対応した所望のゲル及び沈殿化剤溶液を備えた生体高分子結晶生成装置を迅速容易に得ることができる。
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本発明は、アルカリ金属イオンを含む超臨界アンモニア含有溶媒中のガリウム含有フィードストックの溶解により作られる超臨界アンモニア含有溶液から、結晶化温度及び／又は圧力下で、より小さいエレメンタリーシードの上でガリウム含有窒化物を選択的に結晶化して、より大きい面積のガリウム含有窒化物の基板を得る方法に関し、２以上のエレメンタリーシードを備える工程と、２以上の離れたシードの上で選択的な結晶化を行い、組み合わせた、より大きい合成シードを得る工程とを含む。組み合わせた、より大きな合成シードは、新しい成長工程のシードに用い、そして、ガリウム含有窒化物の単結晶のより大きな基板を得るために用いる。
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現在、超臨界アンモニア含有溶液の雰囲気下において、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）の一般式を有する、ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセスに使用される改良されたミネラライザが提案されている。
本発明によれば、確実に、Ｉ族元素のイオン、特にナトリウムのイオンが存在するように、Ｉ族元素をなす群から選択された他の元素及びII族元素と共に、Ｉ族元素イオン、好ましくはナトリウムイオンが存在するように、また任意ではあるがII族元素、好ましくはカルシウム若しくはマグネシウムのイオンと共に、超臨界溶媒のアンモノ塩基性を弱める酸素フリーの化合物を含む１以上の物質が存在するように、適当にミネラライザを選択することにより、得られる製品の成長速度及び品質を制御することができる。
このようにして得られた改良されたバルク単結晶は、オプトエレクトロニクスの分野において主に使用することが意図されている。
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【課題】
本発明の目的は、水熱合成法によって製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブといった圧力容器内にヘビーケーキを発生することの無い人工水晶の製造方法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成する為に本発明は、アルカリ溶液に４．０±０．５wt％のNaOHを主溶質として使用する水熱合成法により製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブ内の育成温度をTとした場合、次の式１で得られる圧力Pよりも高い圧力に制御することにより、ヘビーケーキを発生させない人工水晶の製造方法である。
P = 6×10＾-18×T＾7.95 （誤差10％を含む） - 式１ （もっと読む）