本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットあるいは、ウエハのような断片を製造する方法を開示する。アンモサーマル法によるウエハ成長における着色問題を解決するために、本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットのアンモサーマル法による成長、インゴットのウエハへのスライス、ウエハの解離あるいは分解を避ける方法によるウエハのアニールからなる。このアニールプロセスは、ウエハの透明度を改善する、および／またはウエハから汚染を除去するのに効果的である。
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【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板を提供する。
【解決手段】 本発明に係る高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板は超臨界アンモニア法においてシードに対し、該シードの成長方向に垂直な方向の結晶成長により得られる単結晶ＧａＮから形成され、表面欠陥密度が約１０²／ｃｍ²であって、該基板上に形成されるトランジスタに対しW-CDMAバンド（約２ＧＨz）が５０Ｗより低くなく、そのゲインが６０Ｖで２５ｄBより低くない性能パラメータを付与する。 （もっと読む）

【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】バルブ１を付属する反応容器３内に、原料を充填後、バルブ１を介して、外気に触れることなく窒素含有溶媒を反応容器３内に導入し、結晶を得る窒化物結晶の製造方法。反応容器３内への不純物の混入が抑制され、結果として結晶性の高い、高品質な塊状窒化物結晶が簡易でかつ安全に効率よく得られる。 （もっと読む）

【課題】冷却設備を用いることなく容器を冷却し、高純度のアンモニアを高い精度で該容器に充填することができる液化アンモニアの充填方法を提供する。
【解決手段】凝縮器にガスアンモニアを供給する供給工程と、凝縮器においてガスアンモニアを液化アンモニアにする液化工程と、凝縮器において生じた液化アンモニアを容器に供給して、容器内に液化アンモニアを充填する充填工程と、容器への液化アンモニアの出入りを停止した状態で、アンモニア充填装置内に存在する総アンモニア量Ｍ１と容器以外のアンモニア充填装置内に存在するアンモニア量Ｍ２を求める計測工程と、計測工程において求めたＭ１とＭ２の差と、容器内への液化アンモニア予定充填量（ＭＣ）との差（Ｍ１−Ｍ２−ＭＣ）に相当する量の液化アンモニアを容器から排出する充填量調整工程と、を含むことを特徴とする液化アンモニアの充填方法。 （もっと読む）

【課題】容器を効率よく冷却し、高純度のアンモニアを高い精度で充填することができる液化アンモニアの充填方法を提供する。
【解決手段】凝縮器２にガスアンモニアを供給する供給工程と、凝縮器２においてガスアンモニアを液化アンモニアにする液化工程と、凝縮器２において生じた液化アンモニアを容器３に供給し、液化アンモニアの気化による潜熱によって容器３を冷却する冷却工程と、冷却工程において液化アンモニアの気化によって生じたガスアンモニアを凝縮器２に供給する循環工程と、凝縮器２において生じた液化アンモニアを容器３に供給し、容器３内に液化アンモニアを充填する充填工程とを含む液化アンモニアの充填方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯロッドアレイ構造体と、その作製方法を提供する。
【解決手段】溶液中において基板上に直接六角柱状ＺｎＯを結晶成長させて形成したＺｎＯロッドアレイ構造体であって、１）ＺｎＯロッドは六角形の断面形状と６枚の側面を有している、２）ロッドはＺｎＯ単相からなる、３）ＺｎＯロッドはアスペクト比が３−４である、４）ＸＲＤから、（０００２）面からの回折ピークのみが観察され、高いｃ軸配向性を有する、ことを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体、及び上記のＺｎＯロッドアレイ構造体を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する酸化亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、液相で、基板上にＺｎＯロッドアレイを形成することを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体の作製方法。
【効果】シード層及び高温加熱処理を用いることなく基板上にＺｎＯロットアレイ構造体を作製し、提供することができる。 （もっと読む）

露出した｛１０−１０｝ｍ面および露出した（０００−１）窒素極性ｃ面を有する多面体形状の窒化ガリウム結晶であって、露出した（０００−１）窒素極性ｃ面の表面積は１０ｍｍ^２より大きく、露出した｛１０−１０｝ｍ面の全表面積は（０００−１）窒素極性ｃ面の表面積の半分より大きいことを特徴とする窒化ガリウム結晶を提供する。ＧａＮバルク結晶は、従来用いられているより高い温度と温度差で行う安熱法により、上方領域および下方領域をもつ高圧容器を有する耐圧窯を用いて成長された。高圧容器の下方領域の温度は５５０℃以上であり、高圧容器の上方領域の温度は５００℃以上に設定され、下方領域および上方領域の間の温度差は３０℃以上に保持される。ｃ軸に沿って最長寸法を有し、露出した大面積のｍ面を有するＧａＮ種結晶が用いられる。
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【課題】ゲルを用いた結晶化技術において、高分子結晶化剤（沈殿剤）を保持したままで確実にゲル化が可能な水溶性高分子ゲルを提供する。またそれを用いたマクロアレイの作成ならびに結晶化方法をも提供する。
【解決手段】次式Ｉ：
Ｒ¹−Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−Ｒ² （Ｉ）（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して架橋性基を表し、ｎは９以上の整数を表す。）で示されるポリエチレングリコール骨格を有する架橋性モノマーの重合物に結晶化剤が保持された水溶性高分子結晶化用ゲル、該ゲルが固定されたマイクロアレイ、及び、前記ゲルに水溶性高分子を接触させ、水溶性高分子の結晶を析出させることを特徴とする水溶性高分子の結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯウィスカー膜とその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯウィスカー膜であって、ＺｎＯ結晶を主成分（モル比５０％以上）としており、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子集積膜であり、高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であり、基板上に形成したＺｎＯウィスカー膜である、ことからなるＺｎＯウィスカー膜、酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び／又はｐＨを調整してＺｎＯ結晶を析出させ、基板上にＺｎＯウィスカー膜を形成させることからなるＺｎＯウィスカー膜の製造方法及びその電子デバイス材料。 （もっと読む）

第１の結晶組成物がガリウムと窒素を含む、結晶組成物を成長させる方法。この結晶組成物は約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有し、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。一態様で、この材料は１立方センチメートル当り約３×１０^１８未満の濃度の酸素量を有し、第１の結晶組成物の所定の体積中には二次元の平面境界欠陥がない。
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【課題】 圧電体や蛍光体等として有用なペロブスカイト酸化物において結晶の方位を揃えて結合した単結晶を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】 一般式ＭＴｉＯ₃：Ｘで表されるペロブスカイト酸化物（Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒもしくはＰｂ、またはそれらの混合系を表し、Ｘは、存在するときは、ＰｒまたはＥｕを表す）の単結晶を製造する方法であって、（１）上記酸化物ＭＴｉＯ₃：Ｘのナノ結晶粒子、または（２）Ｔｉのアルコキシド、上記金属Ｍのアルコキシド、水酸化物、ハロゲン化物、ジケトネートもしくは硝酸塩、および、Ｘが存在するときは、Ｘのアルコキシドから成る混合物を、水およびアルコールを含む媒質に分散させて70°〜200℃の温度下に水熱処理する工程を含む方法。ナノメートルサイズの結晶がエピタキシャル結合しているペロブスカイト酸化物単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム含有窒化物結晶の単結晶、その製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガリウム含有窒化物結晶を製造するアンモノ塩基性方法において、オートクレーブ１内の溶解領域１３を低温領域としてフィードストック１６を配置し、結晶化領域１４を高温領域として種結晶１７を配置する。これにより、ガリウム含有窒化物を超臨界窒素含有溶媒中にアルカリ金属含有成分の存在下に少なくとも１つの種結晶１７上に結晶させる。 （もっと読む）

【課題】粒径が30−250nmの範囲にあって、球形を有し、粒径がよく揃ったフェライトナノ粒子を製造するための、新しい製造方法を提供する。
【解決手段】２価鉄イオンと二糖類を含有する水溶液にフェライト微粒子の種結晶を分散させ、この水溶液にNaOHなどのアルカリを添加し、さらにこの水溶液にNaNO_３などの酸化剤を添加し、反応させることによって、フェライトナノ粒子を合成する。こうして合成されるフェライトナノ粒子は、粒径が30−250nmの球形を有し、粒径が非常によく揃っており、水中において凝集せず、分散性が良好であり、例えばバイオテクノロシーや医療の分野などの各種の用途の磁性ナノ粒子として適した性質を示す。 （もっと読む）

【課題】原料や種結晶としてリチウムガレートを用いることなく、水熱合成法によってリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られるリチウムガレート単結晶を提供する。
【解決手段】水酸化リチウム及び／又は炭酸リチウムを含んだアルカリ溶媒の存在下で、酸化ガリウム多結晶を原料にして、水熱合成法によりリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたリチウムガレート単結晶である。 （もっと読む）

結晶組成物を提供する。この結晶組成物は、ガリウム及び窒素を含んでいてよく、また約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有していてよく、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード１０、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質９、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ３内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシード１０の表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、シード１０上のｍ軸方向の結晶成長速度をシード１０上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたＩＩＩ族結晶。ＩＩＩ族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のＩＩＩ族窒化物、非晶質ＩＩＩ族窒化物、ＩＩＩ族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は５５０℃以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのＮＨ₃分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、ＮＨ₃分解は反応容器をＮＨ₃で充填した後に更なるＮ₂圧力を加えることによって回避できる。
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ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノオーダーの平均粒子径を有するナノ粒子、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノ粒子は、平均粒子径が１０ｎｍ以下で、粒子径の変動係数が２０％以下であり、且つ、金属酸化物の単結晶からなるもの、あるいは、二酸化ケイ素からなるものである。また、本発明の製造方法とは、水溶性化合物の存在下で、金属フッ化物錯体水溶液またはケイ素のフッ化物錯体水溶液から液相析出法によりナノ粒子を析出させるものである。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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