【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 （もっと読む）

【課題】 大口径かつこれまでのシリコンプロセスを流用可能な窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法を提案する。
【解決手段】 半導体材料として優れた特性を持つ窒化ガリウム系化合物を比較的安価なＳｉ基板上に形成することを特徴とする。Ｓｉ基板上へ形成することにより、これまでのシリコンプロセスを活用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】気相ダイヤモンドの合成反応における反応ガスの導入量を精密かつ容易に制御できる気相ダイヤモンドの合成方法および気相ダイヤモンドの合成反応に有用である酸素の導入量を精密かつ容易に制御できる気相ダイヤモンドの合成方法を提供すること。液体原料である有機溶媒等を霧化しその霧化状有機溶媒等と水素ガスとの反応ガスを調製することができる気相ダイヤモンドの合成装置を提供すること。
【解決手段】熱フィラメント式ダイヤモンドの合成装置本体と、この内部に該本体外部に設置した液体原料制御供給部と連通する静電霧化器を内設してなる気相ダイヤモンドの合成装置を使用し、この合成装置の内部に水素ガスを充満すると共に前記液体原料制御供給部に有機溶媒等を供給し、該有機溶媒等を静電霧化器で霧化しその霧化状有機溶媒と水素ガスとの反応ガスを調製して気相ダイヤモンドの合成反応を行うことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 成長点の位置制御を安定して行いつつ、格子定数の異なる基材上にナノレベルの結晶成長を行わせる。
【解決手段】 サンプルＳ上に金属針２３ａの先端を配置した後、金属針２３ａの先端を昇温させることにより、サンプルＳと金属との合金融液を生成し、合金融液が生成され状態で、気相状の有機金属化合物を合金融液に接触させることにより、触媒反応により合金融液中に元素の形で取り込ませ、合金融液中で有機金属化合物の構成元素の過飽和現象を生じさせて、合金融液とサンプルＳとの界面に過剰の元素を析出させることで、ワイヤ状の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌＮ単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝（１０）の貯蔵領域（１２）内にあるＡｌＮ供給材料（３０）の一部から生成する。ＡｌＮ単結晶（３２）を坩堝（１０）の結晶領域（１３）内で気相から成長させる。少なくとも１つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の１つは、坩堝（１０）の内部帯域（１５）と、坩堝（１０）の外部帯域（１１）との間で、特に２方向に拡散することができる。
図１

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