【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座１０とヒータ１１とを別体にすると共に、排気ガス出口１１ａが台座１０よりも下方位置に配置されるようにすることで台座１０によって覆われないようにし、台座１０が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、ＳｉＣ単結晶の成長中に原料ガス３のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス３のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化珪素層１１を形成する工程と、立方晶炭化珪素層１１を選択除去し、結晶成長領域の結晶方位面が｛１００｝面となる所望のパターンの立方晶炭化珪素シード層１１ａを形成する工程と、この立方晶炭化珪素シード層１１ａ上に立方晶炭化珪素を成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成時のオートドープを確実に抑制することで、エピタキシャルウェーハの抵抗率均一性を向上させ、周縁部まで効率的にデバイスの形成が可能なエピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。この堆積物除去工程では、シリコン単結晶基板１０の面取り部１０ｃを、例えば鏡面研磨することによって、第一の成長工程Ｓ１で生じた堆積物Ｐを除去する。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】一定量のシリコン原料ガスをシリコンエピタキシャル成長装置の反応室に供給できるシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料混合ガス集中供給装置１で生成した原料混合ガス中のシリコン原料ガスの濃度値を常時測定する複数の濃度値測定装置１８ａ，１８ｂと、前記濃度値、又は前記濃度値から計算された補正値を各シリコンエピタキシャル成長装置１１，１２，１３にデジタル信号で伝達する伝達手段１７と、前記濃度値若しくは前記補正値に基づいて、各シリコンエピタキシャル成長装置１１，１２，１３内の反応室１１ｃ，１２ｃ，１３ｃに供給する前記原料混合ガスの量を随時補正する流量制御装置１４，１５，１６と、を具備するシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム１０とする。 （もっと読む）

【課題】直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程Ｓ２００と、切り出したウエーハについてラング法によるＸ線トポグラフィ測定を行い、（１１−２０）面のＸ線回折像が得られるＸ線の入射角度ωに対し、±０．１５°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したＸ線によりＸ線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程Ｓ５００と、選別されたウエーハの被成膜面上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程Ｓ８００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する。
【解決手段】貫通転位３の転位線の方向が揃えられ、貫通転位３の転位線の方向と［０００１］ｃ軸とが平行となるようにする。［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長過程において発生する表面欠陥を大幅に減少させることができ、後工程を簡略化しながら半導体デバイスとしての品質を確保できる単結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上にエピタキシャル成長によって単結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を形成させる単結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板の製造方法であって、
上記単結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を、平坦性の高い表面とその中に点在する表面ピットからなる表面状態となるよう形成する第１の成長段階と、
上記第１の成長段階で得られた単結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を、脱離律速の領域において表面の上記表面ピットを埋めるようさらにエピタキシャル成長させる第２の成長段階とを行う。 （もっと読む）

【課題】高品質のエピタキシャル膜を製造することができる、新たな炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法であって、圧力条件又は基板温度条件のうち、いずれか一方の条件を固定したまま、成膜途中で、他方の条件を、高い設定条件と低い設定条件との間で切り替えることを特徴とする炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板に含まれる基底面転位がエピタキシャル膜に引き継がれるのを抑制して、高品質のエピタキシャル膜を成膜することができるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供し、また、これにより得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる結晶成長工程において、エピタキシャル成長の主たる時間を占める結晶成長主工程での成長温度Ｔ₁に対し、低い設定温度Ｔ₀と高い設定温度Ｔ₂との間で、成長温度を上下に変化させる温度切り替え操作を伴う結晶成長副工程を含むエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法であり、また、この方法を用いて得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０の円板部１０ａの背面に温度調整パイプ１１ａを備え、温度調整パイプ１１ａによって台座１０の円板部を冷却する。これにより、種結晶５の表面の温度を所望温度に維持しつつ、台座１０の周囲の温度をそれよりも高温にすることができる。つまり、台座１０の円板部１０ａを背面側から冷却することにより、相対的に台座１０の周囲の温度を台座１０の中央部よりも高温にできるので、エッチングガスを使用しなくても、種結晶５が設置される台座１０の周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱して膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用でき、膜厚均一性の高い高品質のＳｉＣ膜を実現できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、成膜室１０２と、成膜室１０２内に珪素のソースガスを含む第１の反応ガス１３１をＳｉＣウェハ１０１上に供給する第１のガス供給路１４０と、炭素のソースガスを含む第２の反応ガス１３２を供給する第２のガス供給路１４１とを用いて構成し、第１のガス供給路１４０は先端が成膜室１０２内のＳｉＣウェハ１０１の近傍まで延びており、第２のガス供給路１４１は成膜室１０２上部に設けられ、第１のガス供給路１４０から供給された第１の反応ガス１３１と第２のガス供給路１４１から供給された第２の反応ガス１３２とを用いてＳｉＣウェハ１０１上でＳｉＣ（炭化珪素）膜の成膜を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ヘイズレベルが低く、平坦度（エッジロールオフ）に優れ、また、さらには、エピタキシャル成長速度の方位依存性が低減された、半導体デバイスの高集積化に対応できるシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスとしてトリクロロシランとジクロロシランの混合ガスを使用し、１０００〜１１００℃、望ましくは１０４０〜１０８０℃の温度範囲内でシリコンウェーハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させ、得られるエピタキシャルウェーハのヘイズレベルを０．０５０〜０．０８０ｐｐｍ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製パーティクルカウンター（ＳＰ−１）によるＤＷＮモードでの測定値）とし、エッジロールオフを低い範囲内に維持する。ジクロロシランの使用によるエピタキシャル成長速度の低下を一定範囲内にとどめ、エピタキシャルウェーハの生産効率を比較的良好に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）