【課題】 母材上に導電性ダイヤモンド層を被覆した導電性ダイヤモンド被覆基板において、母材基板からのダイヤモンド膜の剥離等を確実に防ぎ、耐久性に優れた導電性ダイヤモンド被覆基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 母材上に導電性ダイヤモンドの層を被覆した基板であって、母材が多孔質であることを特徴とする導電性ダイヤモンド被覆基板。前記母材としては、酸化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化珪素の中から選択される少なくとも１つ以上を含む絶縁性セラミックが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】 熱などに不安定で融液法では結晶化ができない有機材料であっても、温度差法により任意の厚さでかつ大型で高品質な有機結晶付基板の作製に適した有機結晶付基板製造装置を提供し、かつ任意の厚さでかつ大型、高品質な有機結晶付基板を作製できる有機結晶付基板製造方法を提供する。
【解決手段】 溶液からの結晶作製装置／方法において、密閉空間内３０１で結晶成長を行うことで薄膜状結晶を作製することが可能になる。また、微小ギャップ間においても、結晶に溶液を供給しながら結晶成長を行うことで、大型結晶を得ることが可能となる。また、種結晶を用いることで結晶成長部分の特定と、結晶方位の特定とを行うことができる。また、自然核による結晶が発生しにくい低過飽和溶液を用いて結晶成長を行うことができ、成長部位以外での結晶成長（雑晶）を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 有機結晶を任意の厚さに制御した有機結晶付基板製造装置及び有機結晶付基板製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶作製基板上の所定の間隔を有する密閉空間内に結晶が溶解した溶液を循環させることにより、任意の厚さの有機結晶を直接形成することができるので、有機結晶を任意の厚さに制御した有機結晶付基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ビスマス置換型磁性ガーネット膜の育成中に非磁性ガーネット基板が割れ難く、育成されたビスマス置換型磁性ガーネット膜に結晶欠陥が生じ難い非磁性ガーネット基板の製造方法と非磁性ガーネット基板およびビスマス置換型磁性ガーネット膜を提供する。
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶ウェハの外周端面をべべリングする工程と上記ウェハ表面をポリッシュする工程を有し、ビスマス置換型磁性ガーネット膜を液相エピタキシャル成長法により育成するために適用される非磁性ガーネット基板の製造方法において、ベベリング処理された単結晶ウェハのベベル面と研磨材との間に化学的作用を生じさせながらベベル面を機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュによりベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＧｅ膜を堆積させる効率的な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プロセス室（２）内において少なくとも１つの半導体膜を少なくとも１つの基板上に堆積し、半導体膜が複数の成分からなり、成分が、個々のインジェクションユニット（５）を介して液体の又は液体に溶解した原料（３）が不連続に吐出されることによって、温度制御された蒸発室（４）内で蒸発され、この蒸気がキャリアガス（７）によってプロセス室に導入される、膜の堆積方法に関する。Ｓｉを含有する第１の原料とＧｅを含有する第２の原料（３）の流量の時間経過が、インジェクション圧、インジェクション周波数、及び、１つ以上の他のインジェクションユニットのデューティ比に対するデューティ比の位相関係等のデューティ比パラメータ等の、割り当てられたインジェクションユニット（５）が決定する流量パラメータを介して、個々に制御又は変化される。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、縦の両面（43、44）と縦方向の両エッジ(41、42)を有する平面であり細長い可動式支持材(4)上に、多結晶シリコンを主成分とした層を析出させる装置に関する。
【解決手段】溶融シリコン槽(2)、槽に少なくとも一部が浸され槽の平衡な液面に対し長さ方向に垂直になるよう設計された支持材(4)を含んだるつぼと、少なくとも1つのエッジ制御要素(5、5´)と、を備え、各エッジ制御要素は、二つの縦方向のエッジ（41、42）のうちの一つの近傍で垂直に設置されている。
各エッジ制御要素には壁面があり、その壁面（51から53´）が縦方向エッジ近くに縦の挿入口を形成している。それぞれの挿入口は、縦方向のエッジ付近で毛管現象により槽(2)のレベルが上昇できるよう槽(2)の一部に浸漬させる。
挿入用壁面と呼ばれる縦の面のうちの一つの一部に面した壁面(51から52´)のうち、少なくとも1つは平面であることが、この装置の特徴である。
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ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料中にブランドマークのような出所標識又は識別紋様を入れる方法は、ダイヤモンド基体を与える工程、原料ガスを与える工程、前記原料ガスを解離し、それによりホモエピタキシャルダイヤモンド成長を行わせる工程、及び前記原料ガス中へドーパントを制御された仕方で導入し、合成ダイヤモンド材料中に出所標識又は識別紋様を生成させる工程を含む。ドーパントは、出所標識又は識別紋様が、通常の見る条件下ではダイヤモンド材料の知覚される品質に影響を与えないか、又は容易には検出できないが、その出所標識又は識別紋様は、例えば特定の波長の光又は輻射線で照射した場合のように、特定化した条件下では検出できるか、又は検出可能にされるように選択されている。出所標識又は識別紋様の検出は、例えば目による検出、又は特定の光学的機器を用いた検出でもよい。
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本発明は、完全配向されたＺｎＯナノロッドアレイ、及び新たな結晶成長速度、形態及び配向を有する新しいＺｎＯナノウォールアレイを、基板にコーティングされたＺｎＯナノ粒子から低温で形成する方法を提供する。このＺｎＯナノロッドアレイの形成方法は、ＺｎＯナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのＺｎＯナノ粒子を基板にコーティングし、Ｚｎナイトレート、Ｚｎアセテート又はこれらの誘導体とヘキサメチレンテトラミンとを含む栄養溶液中でＺｎＯナノ粒子を結晶に成長させることを含む。また、ＺｎＯナノウォールアレイの形成方法は、ＺｎＯナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのＺｎＯナノ粒子を基板にコーティングし、Ｚｎアセテート又はその誘導体とクエン酸ナトリウムとを含む栄養溶液中でＺｎＯナノ粒子を結晶に成長させることを含む。
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本発明は、第１熱膨張係数および第１熱膨張係数とは異なる第２熱膨張係数をそれぞれ有し、且つ第１および第２組み合わせ面をそれぞれ有する、膜と基板（８５，８２）とが組み合わされてなり、第２基板（８２）にモチーフが形成され、そのモチーフは、第１および第２組み合わせ面と平行な平面において、弾力性または柔軟性がある、構造に関する。 （もっと読む）

本発明は一つの観点において交差切子面のサブセットが実質上均一な厚みのダイヤモンド層を有する複数の交差切子面を備えた外面を有する自立内部支持三次元物体を製造する方法に向けられている。ダイヤモンド層は交差切子面のサブセットを規定するモールドを形成するように製造される基板の表面上に化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成することができる。裏打層が露呈ダイヤモンド層の少なくとも一部上に形成され、基板が除去されたときに層の強度を高める。 （もっと読む）