【課題】所望のサイズや形状の熱電変換材料を安定して得ることができる熱電変換材料製造装置及び熱電変換材料製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の溶融された原料である溶融原料を収納する原料収納部と、前記原料収納部から流入した溶融原料を冷却して凝固させる凝固部と、原料収納部に収納された溶融原料を加圧しながら凝固部に流入させる加圧構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察されるものである。シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 （もっと読む）

【課題】ＭＳＥ法を用いて、不純物濃度の面内分布のバラツキが充分に抑制されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置を提供する。
【解決手段】準安定溶媒エピタキシャル法により、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法であって、基板設置治具上に、複数の底面スペーサを所定の間隔を設けて配置し、底面スペーサ上に、炭素原子供給基板、複数の上部スペーサ、Ｓｉ板および単結晶ＳｉＣ種基板を、順に積み重ね、その後、Ｓｉの融点よりも高い所定の温度まで昇温して、単結晶ＳｉＣ種基板上に、単結晶ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させて、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置。 （もっと読む）

【課題】転移密度の少ない大面積のＩＩＩ族窒化物結晶を従来よりも短時間で製造する。
【解決手段】反応容器１２内に、原料のナトリウムとガリウムとを含む混合融液２５を注入し、混合融液２５に対して濡れ性のある部材２６の一端を混合融液２５に浸漬する。窒化ガリウムの種結晶２７は部材２６の表面または表面近傍に設置する。窒化ガリウムの結晶成長雰囲気とすると、濡れ現象によって混合融液２５の薄い液膜が部材２６の露出面を被覆する。これにより、気相中の窒素を液膜中に効率良く溶解させて結晶成長に必要十分な窒素濃度とすることができる。さらに、混合融液２５は濡れ現象によって種結晶２７の結晶成長面に到達するので、結晶成長に必要な原料を結晶成長面に十分に供給することが可能となり、フラックス法によって低転移密度かつ大面積の窒化物結晶を従来よりも短時間で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】フラックスおよび原料を含む融液中で結晶を成長させるのに際して、結晶の成長レートを向上させ、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるようにすることである。
【解決手段】融液２７を収容し、過飽和状態に保持することによって、窒化物結晶１４を成長させる育成容器２；融液６を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第一の窒素溶解容器１；融液２８を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第二の窒素溶解容器３；育成容器２と第一の窒素溶解容器１とを連結し、育成容器内の融液と第一の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第一の連結部４；および育成容器２と第二の窒素溶解容器３とを連結し、育成容器内の融液と第二の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第二の連結部５を使用する。結晶育成時に、育成容器、第一の窒素溶解容器、第二の窒素溶解容器、第一の連結部および第二の連結部を動かす。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮの製造において、Ｇｅを効率的に添加する方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板１９を、その一端が保持用台座１８上となるように配置する。これにより、坩堝１１底面に対して種結晶基板１９が傾斜した状態で保持されるようにし、種結晶基板１９と坩堝１１底面との隙間に固体ガリウム１６、固体ゲルマニウム１７を配置し、種結晶基板１９上に固体ナトリウム２０を配置する。以上のように材料を配置してＮａフラックス法により種結晶基板１９にＧａＮ結晶を育成すると、ナトリウムとゲルマニウムの合金が生じる前に、ガリウム融液にゲルマニウムが融解するので、ＧａＮ結晶にＧｅを効率的にドープすることができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】簡易に転位密度の小さな結晶薄膜を製造することができる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板１８に供給された金属原料および融剤からなる液体原料に気体原料を反応させ、金属原料および気体原料のうち、それぞれ少なくとも１元素同士から構成される結晶原料を液体原料および気体原料からなる混合物から結晶化することによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法であり、基板１８上における結晶原料の結晶化が開始される成長開始部から、その周囲に亘って、結晶原料の温度を変化させるよう上記結晶原料の温度分布を制御し、生じた結晶薄膜の周囲に亘る結晶原料の溶解濃度が結晶成長可能な過飽和度となるよう、上記結晶原料の溶解濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、種結晶となる単結晶SiC基板5上に、C原子を供給するためのC原子供給基板17を重ね、前記単結晶SiC基板5と前記C原子を供給基板17との間に極薄金属Si融液層18を介在させ、1400℃以上2100℃未満の所定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって前記種結晶となる単結晶SiC基板5上に単結晶SiCを液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の成長方法に関する。前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法は、基板６上に液体原料１２ｃを供給し、基板６上に液体原料１２ｃから結晶を析出させることによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法において、基板６上に供給された液体原料１２ｃの一部を、液体原料１２ｃの重力によって、基板６から取り除いた後に、基板６上に残存する残存液体原料１２ｄの結晶成長を開始する製造方法である。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥が少なく、膜厚の再現性および均一性が高い単結晶ＳｉＣエピタキシャルを生成する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１と炭素原料供給板２４とをスペーサー２３を介して対向させ、単結晶ＳｉＣ基板１１と炭素原料供給板２４との間に生じるスペースに金属Ｓｉ融液層２７を介在させた状態で熱処理を行うことによって単結晶ＳｉＣ基板１１上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜の製造方法において、上記スペーサー２３として、炭素原料供給板２４の表面にフォトレジストを塗布した後、このフォトレジストを硬化させることによって形成されたスペーサーを用いる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な半導体結晶を低コストで生産すること。
【解決手段】まず、ＭＯＶＰＥ法に従う結晶成長によって、厚さ約４００μｍのシリコン基板１１の上にＡｌＧａＮから成る膜厚約４μｍのバッファ層１２と、その後のフラックス法に基づく結晶成長の初期段階において消失されない程度の厚さのＧａＮ層１３を積層する。ヒータを加熱して混合フラックスの熱対流を発生させることにより、フラックスを攪拌混合させつつ所定の結晶成長条件を継続的に維持した。この時、混合フラックスと窒素ガスとの界面付近が、継続的に III族窒化物系化合物半導体の材料原子の過飽和状態となるので、所望の半導体結晶（ｎ型ＧａＮ単結晶２０）をテンプレート１０の結晶成長面から順調に成長させることができ、これによって、低転位のｎ型の半導体結晶（ｎ型ＧａＮ単結晶２０）が得られる。 （もっと読む）

【課題】 昇温時のＺｎドーパントのＺｎ拡散を防止し、安定したＺｎドーパントを供給すること及びｎ型層への飛入を防止することで、従来よりも少ないＺｎチャージ量で結晶性のよい発光ダイオードを製造することを可能にする。
【解決手段】 成長用基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記原料溶液溜１５の一つに仕切板２０、３０を挿入して原料溶液を上下三層に区切り、この仕切板２０、３０を引き抜くことで、各室の原料溶液を下層に落としてエピタキシャル成長に使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体物質を溶解させた溶液中に発生する再結晶化物などの固形物を成長室に流入するのを防止して、異常成長を防止する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置は、基板４を格納して基板４に液相エピタキシャル成長させる成長室２と、半導体物質を溶解させた溶液６を格納する溶液室３と、溶液室３から成長室２に溶液６が流れる経路と、溶液６を溶液室３から前記経路を通して成長室２に送り込む溶液送り手段７、８とを有する成長ボート１を備える。さらに、溶液室３内に溶液６中に発生する結晶化した固形物が溶液６とともに越流部１３に流れ出るのを防ぐ仕切り板９を越流部１３に近接して設けている。 （もっと読む）