【課題】薄板の製造工程で発生する落下物を再利用し、材料の利用効率を高め、装置のメンテナンスを軽減する。
【解決手段】本発明の薄板製造方法は、坩堝内の融液に下地板の表層部を浸し、下地板の表面で融液を凝固させて薄板を形成する方法であって、融液は金属材料および半導体材料のうち少なくとも一方を含み、下地板から落下する融液の凝固片を、同一の坩堝または異なる坩堝に投入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドープ剤の投入時期、ドープ剤の性状、ドープ剤の投入位置を特定することによって、好適な単結晶を得ることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】粒径を選別した顆粒状のドープ剤１４を、原料溶融液上方に位置するドープ剤投入容器１０から原料溶融液６に向け、投入する工程において、前記原料溶融液６の湯面からのドープ剤投入位置をＸ（ｍ）とした場合、前記ドープ剤の粒径Ｙ（ｍｍ）がＹ≧０．８Ｘ＋０．０４の式を満足する粒径であって、かつ前記ドープ剤１４が単結晶引上線Ａ上から投入される。 （もっと読む）

シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを作るための装置および製造方法。この装置は、底部(２)および側壁(３)を有したるつぼ(１)を備える。このるつぼ(１)は、側壁(３)の底部に水平に配置された少なくとも一つの横方向スリット(４)を有している。横方向スリット(４)は、５０ｍｍより大きく、好ましくは１００ｍｍ〜５００ｍｍの幅を具備する。スリット(４)の高さ（Ｈ）は、５０〜１０００マイクロメートルである。結晶性物質は、横方向スリット(４)を介してるつぼから取り出されて結晶リボン(Ｒ)を形成する。この方法は、横方向スリット(４)から取り出される材料に種結晶(１３)を接触させる段階、およびリボン(Ｒ)を水平移動させる段階(１４)を含む。
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【課題】 基板及びその周辺に粒子線を照射することによって成膜を行う際に、基板上に照射される粒子線の強度を精度よく制御できる粒子線強度の制御方法を提供する。
【解決手段】 分子線エピタキシャル装置に適用される分子線強度の制御方法は、原子吸光式成膜モニタによって分子線に含まれる原子数を測定する原子数測定工程Ｓ６・Ｓ７と、原子数測定工程Ｓ６・Ｓ７において測定した原子数を基に、基板上に照射される領域における分子線強度を算出する分子線強度算出工程Ｓ１２と、分子線強度算出工程Ｓ１２において算出した分子線強度と、所望の分子線強度とに基づいて、設定温度を算出する照射強度算出工程Ｓ１３・Ｓ１４と、照射強度算出工程Ｓ１３・Ｓ１４によって算出した設定温度に基づいて、粒子線源の加熱温度を制御する照射強度制御工程Ｓ５とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】 窒素ガスが充填されている第１のガス供給装置１２０の第１のシリンダー１１０内の窒素圧力（窒素原料圧力）が反応容器１０１内の圧力（窒素原料圧力）以上となっていることで、窒素ガスの圧力調整機構（１０７，１０８）を介して、反応容器１０１内の窒素原料圧力を所望の値に設定することが可能となる。このように、ＩＩＩ族金属とフラックス（例えばＮａ）が十分ある状態で、窒素原料である窒素ガスの圧力が制御できることで、継続的なＩＩＩ族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）の成長が可能となり、ＩＩＩ族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）を所望の大きさに成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 無機微結晶を連続して製造する際に、結晶核の析出過程、結晶核を基に結晶成長させる結晶成長過程等における温度制御を容易にすることにより、無機微結晶の析出条件や成長条件を容易に制御することが可能であり、その結果、無機微結晶の製造条件の最適化が可能な無機微結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の無機微結晶の製造方法は、無機微結晶の原料となる溶液またはスラリーを温度（１）にて保持し、次いで、この温度（１）に保持された溶液またはスラリーを温度（１）と異なる温度（２）に保持して結晶核を析出させ、次いで、この溶液またはスラリー中の結晶核を温度（３）にて結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供することである。
【解決手段】
加熱炉内に原料の入った坩堝本体を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ当該原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体の底部に形成した通孔から流下した原料融液を、坩堝本体下部において昇降テーブル上に搭載した種子結晶板の上面に接触させた状態で、昇降テーブルとともに種子結晶板を下降させることによって結晶を成長させる結晶製造装置であって、
原料を融解させて原料融液を生成するための原料融解槽と、
この原料融解槽に原料を供給する原料供給手段と、
当該原料融解槽内の原料融液を前記坩堝本体内に導入する原料融液導入手段と、
坩堝本体下部において昇降テーブルとともに種子結晶板を下降させるエリアを温度調整する温度管理手段とを有する、
ことを特徴とする結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】多結晶原料の追加供給（リチャージ）を安全かつ迅速に行うことができ、リチャージ溶融中に石英ルツボにダメージを与えることもなく、シリコン単結晶の生産性、歩留りを向上することができる、多結晶原料のリチャージ冶具および多結晶原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶の製造においてロッド状の多結晶原料を溶融する際に用いるリチャージ冶具であって、少なくとも、該ロッド状多結晶原料を支持する底体２と、該底体２の上部に連結する支持体１と、該支持体１に取り付けられた吊下げ部材３とからなり、前記ロッド状多結晶原料を装填し、前記吊下げ部材３で吊り下げられて単結晶製造装置内に導入され、石英ルツボ内の原料融液中に前記ロッド状多結晶原料とともに浸漬しながら、前記ロッド状多結晶原料を溶融するものであることを特徴とする多結晶原料のリチャージ冶具。 （もっと読む）

本発明は、Ｇｅ含有ガスを供給してＥｐｉ−ＳｉＧｅ等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてＥｐｉ−ＳｉＧｅ成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてＳｉコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したＧｅＯ等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、ＧｅＯから脱離した酸素がＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。
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【課題】所望の品質のウェーハ製品を大量かつ安定的に低コストで製造するための単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってチャンバ内で同一のルツボ中の原料融液４から複数本の単結晶３を引き上げるマルチプリング法であって、原料融液４から単結晶３を引き上げた後、ヒーター７の電源を落とさずに残りの原料融液４に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶３を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶３の引き上げを行う単結晶の製造方法において、単結晶３の直胴部を成長させるときの引上げ速度Ｖと固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇとの比をＶ／Ｇとした場合、それぞれの引上げ単結晶３のＶ／Ｇを所定値に制御するために、操業開始からの経過時間に応じて、前記引上げ速度Ｖ等の引上げ条件を単結晶を引き上げる前に、事前に修正を加えて、所望の欠陥領域を有する単結晶３を育成する単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトで品質に優れる析出板を得ることができる析出板製造装置を提供する。
【解決手段】 析出板製造装置２０は、半導体材料の融液２１を貯留する坩堝２２と、坩堝２２および融液２１を加熱する加熱手段２３と、坩堝２２を収容する処理室２４と、処理室２４の同じ側にそれぞれ連結され且つ略並行に設けられて処理室内へ搬入するための冷却体２５を収容する冷却体搬入準備室２６および処理室外へ搬出するための冷却体２５を収容する冷却体搬出準備室２７と、冷却体２５を装置内で搬送する搬送手段２９と、冷却体２２を融液２１に浸漬し引上げる浸漬手段３０と、半導体材料を坩堝２２内へ補充する材料補充手段３１とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、ＩＩＩ族金属を供給する供給管先端の詰まりが発生しない結晶成長方法及び結晶成長装置により、大きなＩＩＩ族窒化物結晶を得ることを目的とする。
【解決手段】アルカリ金属を含む融液中でＩＩＩ族金属と窒素を反応させてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法であり、ＩＩＩ族金属７を収容している容器からＩＩＩ族金属を融液１１中に供給することで継続的にＩＩＩ族窒化物結晶を成長する方法において、ＩＩＩ族金属の供給時以外には供給部材内のＩＩＩ族金属と窒素との気液界面をＩＩＩ族窒化物の結晶成長温度以下になる場所に移動させる。 （もっと読む）

【課題】 容器内に貯留されて薄板原料となる融液の液面高さを一定に保ち、長期にわたって安定した品質の薄板を製造することができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】 薄板製造装置１では、シリコンの融液２を坩堝３内に貯留し、下地基板４の結晶生成面を坩堝３内の融液２に浸漬して、シリコンを下地基板４の結晶生成面で凝固成長させて薄板を製造するに際し、たとえば１枚の薄板を製造するごとに、浸漬前後の下地基板４の重量差から坩堝３内の融液の減少量を検出し、検出した融液の減少量に等しい量のシリコンを坩堝３内へ投入し、投入されたシリコンを溶解して融液温度を安定化させる。 （もっと読む）

【課題】原料の落下による坩堝の破損を防止することが可能な原料供給装置を提供する。
【解決手段】原料供給装置２０は円筒状のフィーダ２１を備え、チャンバ２の開口部３ａにフィーダ２１を挿通する。フィーダ２１は、チャンバ２の上部からワイヤ２３により吊下げられており、上下方向に昇降可能である。そのため、ピース２５を供給する際に、フィーダ２１の先端は坩堝５の近くまで移動することが可能である。また、フィーダ２１は、ピース２５の汚染を防ぐとともに、高熱に耐えることができるように石英で構成されている。フィーダ２１の内部には、そのフィーダ２１の内径より若干小さい径の円板状のピース２５が複数積層された状態で装填されている。フィーダ２１には投入機構が配設されており、その投入機構によりピース２５を１つずつ坩堝５内の融液に投入する。 （もっと読む）