【課題】気化した昇華性ドーパントを融液に供給する供給部から、粉状体の状態の昇華性ドーパントが融液に落下することを防止可能なシリコン単結晶引上装置を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、引上炉２と、引上炉２の内部又は外部に設けられ、昇華性ドーパント２３を収容する試料容器６と、引上炉２の内部に設けられ、試料容器６から供給される昇華性ドーパント２３を融液５に供給する中空の供給部７と、試料容器６と供給部７とを接合し、試料容器６と供給部７との間を連通させる第１通路１０を有する接合手段と、を備え、供給部７は、その内部に、第１通路１０における供給部７側の一端の下方に設けられ第１通路１０を通過した昇華性ドーパント２３の粉状体を受ける受け部７５と、受け部７５から上方に向かって延び、昇華した昇華性ドーパント２３が流通可能な第２通路２０と、第２通路２０から下方へ延びる第３通路３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】作業者の負担を軽減でき且つ坩堝を支持台に対して適正な位置に装填することができる単結晶棒育成設備を提供する。
【解決手段】移動操作手段２７にて坩堝支持体２６を昇降台２３上からそれより育成装置１が位置する側に位置させた装填用位置に移動させる第２移動動作、及び、この第２移動動作完了後に昇降台２３を坩堝３が支持台１３に装填される高さに下降させる第３移動動作により、坩堝３を支持台１３に載置させるべく、坩堝搬送車の走行作動、昇降台の昇降作動、及び、移動操作手段２７の移動作動を制御する制御手段と、第３移動動作を実行するときに坩堝支持体２６を水平方向に自由移動する状態に支持する支持手段２９と、第３移動動作により下降される坩堝支持体２６を水平方向に案内して支持台１３に対する適正位置に位置決めする案内位置決め手段４３とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】作業者の負担を軽減させ且つ設備の小型化を図ることができる単結晶棒製造設備を提供する。
【解決手段】坩堝搬送手段１８を複数の育成装置１の並び方向に沿う直線状の坩堝搬送用移動経路Ｌ１に沿って移動させて単結晶棒４の原料を収納した坩堝３を受け取る坩堝受取位置及び育成装置１に対して坩堝３を供給する複数の坩堝供給位置に移動させ、かつ、単結晶棒搬送手段１９を複数の育成装置１の並び方向に沿う直線状の単結晶棒搬送用移動経路Ｌ２に沿って移動させて育成装置にて育成された単結晶棒４を受け取る単結晶棒受取位置及び当該単結晶棒を供給する単結晶棒供給位置に移動させるべく、坩堝搬送手段１８及び単結晶棒搬送手段１９の移動を制御する。 （もっと読む）

リボン結晶は、本体と、本体内の末端ストリングと、を有する。少なくとも１つの末端ストリングは、ほぼ凹面断面形状を有し、少なくとも２つの個々のストリングから形成される。上記本体は、厚さの寸法を有し、前記少なくとも２つの個々のストリングは、概して、該本体の厚さの寸法に沿って離間され、該少なくとも２つの個々のストリングは、ほぼ細長い凹面断面形状を形成する。上記少なくとも２つの個々のストリングの間に、本体材料をさらに備える。上記少なくとも２つの個々のストリングは、物理的に接触する。
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【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成において、雑晶の発生を抑制することができるIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、窒素溶解手段１０と、電磁ポンプ１１と、配管１２と、配管１２に連結接続し、種結晶１８が配置された育成用配管１３と、育成用配管１３の外側に配置された温度制御装置１４ａとを有している。窒素溶解手段１０により窒素を溶解させた混合融液１７は、電磁ポンプ１１により配管１２内を結晶しない温度、圧力で循環する。温度制御装置１４ａによる温度制御とバルブ１２ｖ１、ｖ２による圧力制御によって育成用配管１３内のみが結晶育成可能な状態にする。混合融液１７が軸方向に流動した状態でＧａＮ結晶が育成するため、雑晶の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、単結晶引き上げ用の石英坩堝２でシリコン単結晶１１を育成しながら、シリコン原料融解用の石英坩堝２１で固体シリコン原料を融解し、このシリコン融液３０を単結晶引き上げ用の石英坩堝２に供給するシリコン単結晶の育成方法において、シリコン原料融解用の石英坩堝２１に収容するシリコン融液３０にバリウム化合物を添加、または、シリコン原料融解用の石英坩堝２１から単結晶引き上げ用の石英坩堝２にシリコン融液を導く石英管２７、およびシリコン原料融解用の石英坩堝２１のうちの少なくとも一方の内表面にバリウム化合物を塗布する。 （もっと読む）

【課題】基板の浸漬角度も任意に変更することができ、浸漬条件の自由度を向上させることができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】浸漬機構６は、水平の第１の回転中心１２を中心に旋回する一対の腕部材１３と、腕部材１３の先端近傍に水平な第２の回転中心を有する回転軸部材１４と、回転軸部材１４に下地板を保持する台座を有し、一対の腕部材１３は、回転軸部材１４を挟持し、回転軸部材１４とは反対側にバランサー１５が配置されている。バランサー１５は円筒状部材で構成され、一対の腕部材１３を繋いでいる。 （もっと読む）

溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液１１０２を保持するための主坩堝１１０１と、融液１１０２を加熱するための主坩堝加熱装置１１０４と、融液１２０２を保持するための副坩堝１２０１と、融液１２０２を加熱するための副坩堝加熱装置１２０４と、固体原料１４０２を投入するための固体原料投入装置１４０１と、副坩堝１２０１から主坩堝１１０１に融液１２０２を供給するための融液搬送部１３０１と、固体原料投入装置１４０１から副坩堝１２０１への固体原料１４０２の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置１５０６とを備えた溶融炉１０００である。 （もっと読む）

【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの半導体の結晶体を製造する結晶製造装置の主坩堝に、融液原料を継続的に安定して供給可能な固体原料融解装置を提供する。
【解決手段】固体原料供給手段１０と、検出手段１４と、制御手段１５と、副坩堝２１と、加熱手段２３と、融液導入手段２５とを含んで構成される融解装置１において、検出手段１４が、副坩堝２１に貯留される融液原料３の表面に未融解状態の固体原料２が浮遊していることを検出する。そして、制御手段１５が検出手段１４から出力される検出結果に基づいて、融液表面に所定量より多い固体原料が浮遊していることを判断すると、固体原料供給手段１０の副坩堝２１に対する固体原料２の供給動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物等の介在物や不純物元素が鋳塊内に混入することなく高品質な鋳塊が得られるとともに、引き抜き速度を上昇させて生産効率を大幅に向上させることが可能な連続鋳造方法、連続鋳造装置及びこれにより得られる鋳塊を提供する。
【解決手段】溶湯１を一方向凝固させて得られた鋳塊２を連続的に製出する連続鋳造装置１０であって、溶湯１を保持する溶湯保持部２０と、水平方向一方側端部が溶湯保持部２０の下方に位置させられた鋳型３０と、を備え、鋳型３０は、水平方向他方側に向かうにしたがい漸次下方に向かうように水平面に対して傾斜して延在する底面部３１を有し、底面部３１に冷却手段３５が設けられており、溶湯保持部２０から供給された溶湯１を冷却手段３５によって一方向凝固させ、得られた鋳塊２を鋳型３０の底面部３１に沿って連続的に引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属を用いたフラックス法によるIII族窒化物半導体の製造において、坩堝回転軸の回転を阻害しない構造のIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、坩堝１１を保持し回転させる回転軸１３と、回転軸１３の反応容器１０外部の部分を覆い、反応容器１０の内部と外部を遮断する回転軸カバー１５を有し、回転軸カバー１５には、窒素を供給する供給管１６が設けられている。ＧａＮ結晶の育成中、蒸発したＮａが隙間２４に入り込まないように、回転軸１３と回転軸カバー１５の隙間２４を通して窒素が反応容器１０内部へ供給され続ける。 （もっと読む）

【課題】均質なＳｉドープＧａＮ結晶を製造することができるIII 族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置は、窒素とシランを供給する供給管１５と、坩堝１１にＧａ融液を供給するＧａ供給装置１６と、坩堝１１にＮａ融液を供給するＮａ供給装置１７と、を有している。従来のようにドーパントを供給する配管を別途設けずに、窒素とドーパントを混合して１つの供給管１５で供給するようにしている。そのためデッドスペースが増えないので、Ｎａの蒸発が抑制され、高品質なＳｉドープＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を高品質のまま長尺に成長させることが可能な、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇降機構５により、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製るつぼ１の中心軸に精密に合わせた状態でるつぼ上部１２を上に押し上げる構造とすることにより、結晶成長によりＳｉＣ単結晶４の径が拡大しても台座１２ａだけでなくるつぼ上部１２と共に上に押し上げ、ＳｉＣ単結晶４の表面とＳｉＣ原料２との間の縮まった距離を成長途中で広げて、ＳｉＣ単結晶４の成長表面の温度とＳｉＣ原料粉末２の温度との温度差を保たせ、ＳｉＣ単結晶４とＳｉＣ原料粉末２との間の成長空間を保持するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】育成結晶のアニール、ポーリングを行いながら、連続的に単結晶を引き上げる酸化物単結晶育成装置、及び安定した温度環境化で結晶育成を行い、育成収率の向上ならびに、坩堝、耐火物の寿命を向上させることにより育成コストを大幅に低減するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１の加熱室内に設置された坩堝９に原料酸化物を間接加熱して、得られた酸化物融液に単結晶引き上げ軸３の種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げて酸化物単結晶を育成、成長させるための酸化物単結晶育成装置において、加熱室の外周に配置された加熱コイル４と、加熱コイル４に高周波電流を供給する高周波電源を有するメインチャンバー１の上方に、温度調節用ヒーター１３とポーリング用電極１５を有する上部チャンバー１２、１６が移動可能に複数個配設されている。 （もっと読む）

【課題】原料調達を安価で安定して行え、不純物濃度の低い高品質のシリコン単結晶を製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を石英ルツボ１ａ内に投入（a)したあと、溶融し（b)、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる（c)、（d)。石英ルツボ１ａ内に残存している残存融液９ａを石英ルツボ１ａから排出する（e)。シリコン単結晶製造用に通常用いるシリコン原料１１を石英ルツボ１ａ内に投入して溶融させる（f)。上記原料シリコンインゴット１０を吊下げ支持して石英ルツボ１ａ内の初期シリコン融液に上方から供給して溶融する。原料シリコンインゴット１０を保持していた種結晶７は、シリコン融液３の表面近傍で待機する（g)。上記種結晶７を浸漬して、シリコン融液３からシリコン単結晶４を引き上げる（h)、（i)。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、かつ低コストに結晶シリコン粒子を連続的に製造可能な結晶シリコン粒子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料供給装置３０は、シリコン原料を貯留するとともに坩堝１へ供給する貯留装置７を有しており、シリコン原料を貯留装置７に供給した後に貯留装置７の内部の圧力を大気圧と同等以下に減圧し、次に不活性ガスを貯留装置７の内部に導入して貯留装置７の内部の酸素濃度を減少させるとともに貯留装置７の内部の不活性ガス圧力を坩堝１の内部の不活性ガス圧力まで加圧する第一の工程と、シリコン原料を坩堝１に供給する第二の工程と、を具備しており、第一及び第二の工程を繰り返す。また、溶融落下製造装置２０において、坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液を粒状として排出して落下させるとともに、落下中に冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を連続的に製造する。 （もっと読む）

本発明は、溶液中で結晶を成長させる方法に関し、その方法は、化合物で過飽和された溶液から大寸法の結晶を高速、高制御、かつ、効率的に生産することに適する。結晶成長は静的条件下で実行される。これを実行するために、その成長は、一定の温度Ｔｃに維持された結晶化チャンバーで実行され、そのチャンバーは、温度Ｔｓの飽和チャンバーと流体連結する。そして、温度Ｔｓは、Ｔｃと同様に一定に保たれるが、Ｔｃとは異なる温度である。温度Ｔｓにおける化合物の溶解度は、温度Ｔｃにおける化合物の溶解度より大きい。結晶化チャンバーと飽和チャンバーとの間における溶液の連続的な循環が確立される。このようにして、結晶化チャンバー内で一定の過飽和速度を維持する。さらに、循環溶液は、凝集体の形成を排除して抑制するための処理が施され、寄生性微結晶の核形成を抑制することが可能である。
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