不純物を有する材料から形成される結晶を生成するシステムは、材料を収容するるつぼを有している。るつぼは、とりわけ、結晶を形成する結晶領域、材料を受容する導入領域、および、材料の一部分を除去する除去領域を有している。るつぼは、導入領域から除去領域へ向かうほぼ一方向の（液状である）材料の流れを生成するように構成されている。このほぼ一方向の流れは、除去領域が導入領域よりも高い濃度の不純物を有するという結果をもたらす。
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液体供給材料、例えばシリコンのメルトプールから連続的に結晶リボンを製造する装置及び方法。シリコンは、溶融され且つ成長トレイ内へ流されて液体シリコンのメルトプールを提供する。当該メルトプールからチムニーを介して上方へ熱を流れさせることによって、熱が受動的に除去される。熱の損失をチムニーを介して生じさせながら、シリコンを液体相に保つために、成長トレイに熱が同時に適用される。熱がチムニーを介して失われるときに、シリコンが“凍結”（すなわち、凝固）し始め且つテンプレートに付着するように、テンプレートがメルトプールと接触せしめられる。当該テンプレートは、次いで、メルトプールから引き出されて結晶シリコンの連続するリボンが製造される。 （もっと読む）

【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する際、単結晶成長後の清掃が容易であり、堆積物が反応容器上に落下することを防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素からなる原料を加熱して気化させ、該気化した原料を種結晶の表面に再結晶化させることにより炭化ケイ素単結晶を成長させる装置であって、炭化ケイ素からなる原料を収容するとともに種結晶を固定する反応容器１２と、反応容器を加熱し、該容器に収容された原料を気化させるための加熱手段１８と、反応容器を収容し、炭化ケイ素単結晶を成長させる際に反応容器から漏れた原料ガスを排出するための排気管２２を有する外側容器２０と、外側容器の内側において反応容器と排気管との間で着脱可能に配置され、反応容器から漏れた原料ガスを固化して捕集するための部材２４と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置１０。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に原料の入った坩堝本体１４を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から、坩堝本体１４下部に配置した溶液受け室２３内の昇降テーブル３１上に搭載した貯留容器３０に溶融した原料融液２５を流下させた後、昇降テーブル３１とともに貯留容器３０を下降させ、その後溶液受け室２３に隣接して配置した複数の凝固室４１に昇降テーブル３１上から貯留容器３０を移送し、この凝固室４１で所定時間冷却させた後、凝固室４１にそれぞれ隣接して配置した冷却室で常温まで冷却し、その後凝固したインゴットを冷却室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】結晶全体に渡って均質な特性を有する結晶を製造することができる単結晶製造方法および単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】るつぼ１１が、内部に、引き上げ中の結晶１の底面形状に沿うよう、中心から周縁にかけて同心円状に浅くなるよう傾斜した傾斜面２１を有している。原料供給手段１３が、引き上げ作業の間、るつぼ１１内に原料を融解して供給可能に設けられている。制御部１４が、融液２の液面を所定の高さに維持するよう、原料供給手段１３を制御可能に設けられている。融液２の液面を所定の高さに維持するよう原料を融解して供給しつつ、融液２の液面の位置でのるつぼ１１の径に対する結晶１の肩１ａより下の結晶１の径の割合が、０．７乃至０．９になるよう引き上げる。結晶１の肩１ａまで引き上げた後、原料の供給量に応じて所定の割合で融液２の中にドーパントを添加する。 （もっと読む）

【課題】所望の結晶品質のシリコン単結晶をより確実に得ることができ、生産性や歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システムおよびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法を用いた引上げ装置３０で製造されるシリコン単結晶の結晶品質を目標規格内とするため、Ｆ／Ｇの値を所定範囲内に制御する製造条件を設計するシステムで、少なくとも、自動により前バッチのシリコン単結晶の結晶品質結果から次バッチのシリコン単結晶の製造条件を仮設計する手段１、次バッチの引上げ装置３０の構成部材を要因とするＦおよび／またはＧの変化量から補正量を算出する手段２、次バッチでの製造工程を要因とするＦおよび／またはＧの変化量から補正量を算出する手段３、手段１による製造条件に手段２および／または手段３による補正量を加算し、次バッチでの製造条件を算出する手段４を具備するシリコン単結晶の製造システム３８。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣを製造する方法であって、ＳｉＣ種単結晶ウエハ４をサセプタ５に固定する工程、及び、外部より単結晶ＳｉＣ製造用原料をＳｉＣ種結晶ウエハ４上に連続供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、サセプタ５、ＳｉＣ種単結晶４並びに成長と共に厚みを増した単結晶ＳｉＣの、サセプタの鉛直方向１０（長手方向）の平均温度勾配を０．５℃／ｍｍ以上９℃／ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。
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【課題】原料供給管の構造が簡素で、しかも原料供給速度を減速させ、ルツボの損傷や原料融液の液跳ねを抑制して、シリコン単結晶育成への悪影響等を回避できる原料供給装置およびその装置を用いた原料供給方法を提供する。
【解決手段】原料供給装置は、粒塊状の固形原料をルツボ１内の原料融液５に追加チャージまたはリチャージする装置であり、可搬式の原料供給ホッパー６と、原料供給管７と、投入する原料を原料供給管７の先端で一旦停止させた後、投入する機構とを具備する。投入する機構は、昇降可能に構成された停止物（円柱状シリコン８が望ましい）の表面と原料供給管７の先端開口部との接触部で投入原料が一旦停止され、その後停止物を徐々に上昇させて原料供給管７の先端開口部から原料がルツボ１内に投入されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】追加供給した固形状原料の溶解時間を短縮する。
【解決手段】坩堝１内のシリコン塊を完全に溶融状態にした後に、原料供給部６の原料保持部６aに粒状のシリコン原料を充填して坩堝１内のシリコン融液２上に供給する。そして、塊状になってシリコン融液２の表面中央に浮遊するシリコン原料に、不活性ガス吹き付け部７によって不活性ガスを吹き付けて、上記塊状のシリコン原料を坩堝１の側壁に向かって分散させる。さらに、シリコン融液２の表面に不活性ガスを吹き付け続けてシリコン融液２の表面を揺らして山型状のシリコン原料を崩す。こうして、追加供給されたシリコン原料とシリコン融液２との接触面積を増加させて、追加供給したシリコン原料の溶解時間を短縮する。 （もっと読む）

窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法が記載されている。III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】融液面の固化割合の低い状態で固形状原料のルツボへの投入を可能にし、単結晶製造の生産性を向上させる固形状原料のリチャージ装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】固形状原料が充填される筒状のリチャージ管１と、リチャージ管１の下部外側に設けられ、リチャージ管１に対して摺動可能な構造となっている漏斗状外筒２と、漏斗状外筒２を吊り下げるワイヤ７を備え、漏斗状外筒２は下端に縮径傾斜部を有し、縮径傾斜部下端に固形状原料をルツボに供給するための開口部５が設けられ、リチャージ管１内部は分割板３によってリチャージ管１縦軸方向に複数に分割され、リチャージ管１下端中央には、漏斗状外筒の開口部５を塞ぐことが可能な拡径傾斜部を有する下端蓋４が設けられていることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）

【課題】リチャージ装置の原料容器２００の単結晶製造装置１００内での上下位置を任意に制御できるようにすることにより、単結晶の品質および生産性を向上させることを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液１０５を貯留するルツボ１０１を有する単結晶製造装置１００に設けられ、前記ルツボ１０１に固形状原料１５５を供給するために固形状原料１５５が充填される筒状の原料容器２００を備える固形状原料１５５のリチャージ装置であって、筒状の原料容器２００を保持する独立して制御可能な２つの保持機構を有することを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の単結晶の製造において、１回のリチャージで供給できる固形状多結晶原料の総量を増やし、高い生産性を実現することが可能な単結晶製造装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１０１内面側に配置された輻射シールド１２５と、輻射シールド１２５内面側および上面側を覆う輻射シールドカバー３０１を有する単結晶製造装置１００において、リチャージ管２０１に充填された固形状多結晶原料１５５は、リチャージ管２０１下端外縁部とリチャージ管２０１下端に配置される底蓋２０３との隙間から、自重により輻射シールドカバー３０１上に落下し、輻射シールド３０１表面の傾斜を滑ることにより落下エネルギーが低下した状態で、結晶融液１０５を貯留する石英ルツボ１０１内に落下する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶の製造方法において、固形状原料とワイヤ間の摩擦を軽減し、単結晶製造における高い生産性と品質を実現することが可能なリチャージ装置を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボ１０１に供給する固形状原料１５５を充填する筒状の原料容器２００と、筒状の原料容器２００の底蓋２０３中心に一端が固定される原料容器２００を吊り下げるワイヤ１２９とを有する固形状原料１５５のリチャージ装置であって、ワイヤ１２９が石英で形成される複数の楕円形状または略球状の玉４０１を貫通していることを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶製造装置において、リチャージ管の破損を防止し、よって単結晶の生産性を向上させることを可能とするリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボに固形状原料を充填するための固形状原料のリチャージ管の下半分３０１が上半分３０３より破壊靭性が大きい固形状原料のリチャージ管を用いてリチャージを行なう。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いてIII族窒化物単結晶を育成する方法において、育成された単結晶中への自然核発生により生じた雑晶の付着や混入を防止することである。
【解決手段】 フラックスを含む育成原料融液５に種結晶３を浸漬してIII族窒化物単結晶４を育成する。フラックスを含む育成原料融液５の気液界面５Ａと種結晶３との間に、自然核発生により生じた雑晶２の種結晶３への付着を防止する付着防止手段６を設ける。付着防止手段６は例えば網、穴開き板、多孔質体である。 （もっと読む）

本発明は、活性有機化合物の結晶粒子を製造する方法に関する。この方法は、湿式粉砕プロセスによって微細な種を生成する工程と、微細な種を結晶化プロセスに付す工程とを含む。得られる結晶粒子は約１００μｍ未満の平均粒径を有する。本発明はまた、本発明の方法によって製造される結晶粒子及び薬学的に許容可能な担体を含む医薬組成物も提供する。
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【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部１ａからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝１を振動させる加振手段と、坩堝１内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段４と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上後の原料シリコン充填工程において、原料シリコンの多量の充填が必要な場合に、作業時間を短縮して効率的に原料シリコンを充填することのできる単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３を収容する第一のチャンバ２と、第一のチャンバ２上に連結して設けられ、原料シリコンＬが装填された供給容器をセットするための第二のチャンバ１２と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２に移送されて第一のチャンバ２内に保持され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第一の供給容器１３と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２内に移送されて第一の供給容器１３内に装着され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第二の供給容器とを備える。 （もっと読む）