【課題】特に低速回転領域におけるルツボの回転精度を向上することができ、育成する単結晶の不純物濃度をより高度に制御して、不純物濃度のバラツキが抑制された単結晶を製造することができる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ回転軸１８に配設され、ルツボ９，１０の回転数を測定する回転数測定器２１と、該回転数測定器２１で測定したルツボ９の回転数に基づいてルツボ回転駆動機構１９の回転駆動をフィードバック制御する回転制御手段２とを具備し、単結晶８の育成中に、回転制御手段２によってルツボ９，１０の回転精度を±２％以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】ｐ⁺型で炭素を添加した結晶において、全面がＣＯＰ領域で、かつ結晶面内にリング状ＯＳＦ領域が発生せず、高酸素濃度でＩＧ能力の高い単結晶を効率的に育成することが可能な、シリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶内の抵抗率が０．０１２〜０．１Ωｃｍになるようにホウ素を添加し、かつシリコン単結晶内の炭素濃度が５×１０¹⁵〜１０×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³になるように炭素を添加して石英るつぼからｐ⁺型シリコン単結晶を引上げた後、シリコン単結晶を引上げた石英るつぼ内にシリコン原料を供給して溶融させ、石英るつぼから新たにシリコン単結晶を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶を育成することを特徴とする。 （もっと読む）

指向性の高い熱伝導性を有するグラファイト製品を提供する。中間相ピッチ（１２）の中間相部分（１４）が互いに並んで、安定化される延伸中間相ピッチを生成する。必要によっては、前記グラファイト製品をさらに炭化および黒鉛化できる。
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【課題】低酸素シリコン単結晶を製造するのに適しておりかつ酸素濃度を制御するために努力をあまり必要としない方法を提供する。
【解決手段】るつぼに融液を提供し、磁界中心Ｃにおける磁気誘導Ｂを有する水平方向磁界を融液に提供し、ガスをシリコン単結晶と熱遮へい体の間を融液自由面に向かって送り、融液自由面の、実質的に磁気誘導Ｂに対して垂直に延びた領域上を流れるようにガスを制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）

【課題】径方向全域にわたって結晶欠陥のきわめて少ない単結晶が得られる引き上げ速度の範囲を拡大し、安定した育成ができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】強制冷却体１１および熱遮蔽体１２を具備する引き上げ装置を使用してＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際に、水平磁場１３を印加するとともに、単結晶９の成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配Ｇを、下記（１）式および（２）式を満たすように制御し、結晶欠陥の少ない単結晶９を育成できる引き上げ速度で単結晶９の引き上げを行う。温度勾配の制御を、熱遮蔽体１２の下端開口部の開口径を調整することにより行うことが望ましい。ここで、Ｇｃ：単結晶９の中心部の温度勾配、Ｇｅ：単結晶９の外周部の温度勾配、Ｇｍａｘ、Ｇｍｉｎ：結晶半径方向でのＧの最大値または最小値である。（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃ≦０．１・・・（１）、Ｇｃ≦Ｇｅ・・・（２） （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶に中性子を照射せずに済み、単結晶の引上げ速度の幅を比較的広くすることができ、更にシリコン単結晶の引上げ軸方向における抵抗率及び径方向の面内抵抗率のバラツキを低減する方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１３から、シリコン単結晶１１内の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であり、シリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキが５％以下であるｎ型ドーパントを含有するシリコン単結晶１１を引上げた後、石英るつぼ１３内にシリコン原料５２を供給して溶融させ、石英るつぼ１３から新たにシリコン単結晶１１を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶１１を育成する。 （もっと読む）

【課題】リンをドープするための中性子を照射することなく結晶径方向の面内抵抗率のバラツキを低減することが可能なシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の融点から１３７０℃までの温度勾配を中心部でＧc、外周部でＧeとしたとき、Ｇc／Ｇe≧１とし、るつぼ１３内のシリコン融液に０．２Ｔ以上の水平磁場を印加しながら、前記るつぼ１３の回転速度を１．５ｒｐｍ以下、シリコン単結晶１１の回転速度を７ｒｐｍ以下として、ｎ型ドーパント含有シリコン融液からシリコン単結晶１１を育成する。これにより、シリコン単結晶１１内の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、シリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキが５％以下となり、更にシリコン単結晶１１内にサイズが１００ｎｍ以下でかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１が得られる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の結晶欠陥を効率的に制御することができる単結晶製造用上部ヒーター、および、その単結晶製造用上部ヒーターを用いて、結晶欠陥を効率的に制御し、また、酸素濃度の制御性を向上して、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、電流が供給される電極と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容するルツボを囲繞するように配置される黒鉛ヒーターの上部に配置される上部ヒーターであって、発熱部は、リング状でルツボを囲繞するように配置され、発熱部の内側および外側から、それぞれ水平方向にスリットが形成されたものであることを特徴とする単結晶製造用上部ヒーターである。 （もっと読む）

【課題】装置の特性によるバラツキが無く、直径及び酸素濃度の変動を抑制しながら単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液に、磁場印加装置により水平磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行う水平磁場印加ＣＺ法により単結晶を製造する方法において、磁場印加装置により発生した磁場の中心位置を測定し、単結晶製造前、及び／又は、単結晶製造中に渡って、測定された磁場の中心位置と単結晶の回転軸となる引上軸とを水平方向に２〜１４ｍｍの範囲でずらすシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法（チョクラルスキー法）によりシリコン単結晶棒を引き上げてシリコン単結晶を製造する方法において、拡径部の無転位化の成功率を向上し、直径３００ｍｍ以上の大直径の単結晶棒を効率的に育成するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液にシリコン種結晶を浸し、その後、種結晶を引き上げて拡径部、直胴部を形成して単結晶棒を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、拡径部は、拡径部の重量増加速度の変化率が２．０ｇ／ｍｉｎ^２以下となるように、重量増加速度の変化率を制御して、単結晶の直径を増加させて形成し、その後、直胴部を形成して、直径３００ｍｍ以上の単結晶棒を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液中の磁場の適切な設定を可能にするシリコン単結晶引上げ水平磁場の最適化方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 有底円筒状の石英ルツボ１１内に貯留されたシリコン融液１２に印加する磁場の適切な設定では、一対の励磁コイル１３，１４が生成する水平磁場の石英ルツボ１１の円筒軸である垂直対称軸１７上における磁束密度の最大値をＢ_０とする。また、磁束密度Ｂ_０となる垂直対称軸１７を横切って直交する水平対称面１８が石英ルツボ１１の内径と交わる円周上において、磁束密度の最小値をＢ_ｍｉｎ、磁束密度の最大値をＢ_ｍａｘとする。そして、これ等の磁束密度Ｂ_０、Ｂ_ｍｉｎ、およびＢ_ｍａｘが所定の範囲になるようにし、固液界面１５ａ下部のシリコン融液１２の適正な上昇流と温度の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】良好なゲッタリング特性を有し、電子デバイスの集積のために重要な領域において実質的に欠陥のない単結晶シリコンからなる半導体ウェハを提供し、かつ前記半導体ウェハを高い歩留まりで提供できる極めて経済的な方法を提供する。
【解決手段】窒素でドープされていて、ＯＳＦ領域及びＰ_v領域を有し、その際、前記ＯＳＦ領域は、前記半導体ウェハの中心から前記半導体ウェハの縁部の方向に向かってＰ_v領域にまで延在し；少なくとも３．５×１０⁸ｃｍ^-3のバルク中のＢＭＤ密度を有し、３より大きくないＢＭＤ_max／ＢＭＤ_minの商により表される変動幅を有する前記ＢＭＤ密度の半径方向の分布を有し、その際、ＢＭＤ_max及びＢＭＤ_minは、それぞれ最大のＢＭＤ密度もしくは最小のＢＭＤ密度を表し；１０ｃｍ^-2より低いＯＳＦ密度を有する、単結晶シリコンからなる半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の酸素濃度を高く維持しつつ、面内の酸素濃度を均一化できる引上げ装置及び引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１３０を回転させながら昇降させるルツボ回転駆動部１５０と、ヒータ１４２を昇降させるヒータ駆動部１４３と、磁場印加部１４０を昇降させる磁場駆動部１４１と、ルツボ回転駆動部１５０、ヒータ駆動部１４３及び磁場駆動部１４１の駆動を制御する制御部１６０と、を有し、制御部１６０は、ルツボ回転駆動部１５０によるルツボ１３０の昇降に同期させて、磁場印加部１４０の磁場中心位置がシリコン融液１１６の表面から所定の位置に常に位置するように磁場駆動部１４１の駆動を制御して磁場印加部１４０を昇降させ、同時に、シリコン融液１１６の温度が常に均一になるように所定のデータに基づいてヒータ駆動部１４３の駆動を制御してヒータ１４２を昇降させるシリコン単結晶引上げ装置１００。 （もっと読む）

【課題】連続チャージ方式のＨＭＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、製品歩留りを低下させることなく、安定した品質の単結晶を育成することができる単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ用のルツボ２内のシリコン融液１０に対し、そのルツボ２の側壁とシリコン単結晶１１の外周との間の環状領域Ｒのうち、シリコン単結晶１１の外周から横磁場の印加方向と直交する方向に延在する第１領域Ｒ１を除く第２領域Ｒ２に、シリコン融液を供給しながら、シリコン単結晶１１を育成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を添加した半導体融液を凝固させて当該半導体の単結晶を成長させるブリッジマン法、温度勾配凝固法等による半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進展につれて結晶成長速度を徐々に遅くし、実効偏析係数が平衡偏析係数に近づけることにより、半導体単結晶の結晶成長方向に沿う不純物濃度の均一化が図れる。さらに、結晶成長の進展につれて、前記半導体融液に印加する磁場の磁束密度を徐々に弱くする操作を組み合わせれば、いっそうの不純物濃度の均一化が図れる。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が収容された石英ルツボの内表面の気泡に起因して発生する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】内表面側にアルミニウム濃度が０．１ｐｐｍ以下のアルミニウム低濃度層を有する石英ルツボ１ａを用いるとともに、石英ルツボ１ａ内のシリコン溶融液５に種結晶を浸漬する前に、石英ルツボ１ａの底部の溶融液５に横磁場を印加しながら、石英ルツボ１ａを回転させた後に、横磁場を印加した状態で単結晶の引き上げを行う。横磁場を印加しながら、石英ルツボ１ａを回転させる処理を行った後、一旦磁場の印加を停止させ、その後、単結晶の引き上げを行うこととすれば、石英ルツボ１ａの底部の内表面の傷などを核にして発生した気泡が熱対流により融液５の表面に運ばれて融液５の外へ放出されるので、望ましい。 （もっと読む）

結晶成長システムにおいて結晶成長を制御することを示す。該結晶成長システムは、そこからチョクラルスキー法により単結晶インゴットを成長させる半導体融液を含む加熱された坩堝を含み、該インゴットは該融液から引き上げられるシード結晶上に成長する。本願の方法は、上部コイルに第１の交流電流（Ｉ_ＵＡＣ）を供給し、かつ下部コイルに第２の交流電流（Ｉ_ＬＡＣ）を供給することによりカスプ磁場を該融液に印加することを含む。該方法はまた該上部コイルに第１の交流電流（Ｉ_ＵＡＣ）を供給し、かつ該下部コイルに第２の交流電流（Ｉ_ＬＡＣ）を供給し時間的に変化する磁場を形成することも含み、該時間的に変化する磁場は該半導体融液中にポンプ力を形成する。
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【課題】直胴部の上部の高酸素化を抑制し、安定した品質のシリコン単結晶を育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２を挟んで一対の電磁コイル９を対向配置し、電磁コイル９によりルツボ２内の原料融液１０に横磁場を印加しつつ、原料融液１０からシリコン単結晶１１を育成するに際し、横磁場の磁場中心線Ｃの位置を原料融液１０の液面Ｓの位置よりも高い第１の位置に設定した状態で直胴部１１ｃの育成を開始する。その後に磁場中心線Ｃの位置を原料融液１０の液面Ｓの位置と同じ、またはそれよりも低い第２の位置に変更して直胴部１１ｃの育成を行う。これにより、直胴部１１ｃの酸素濃度が７〜１４×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２１−１９７９）であるシリコン単結晶１１を育成することができる。 （もっと読む）