【解決手段】界面で成長する単結晶をルツボ中に含まれる融液から引き上げる工程と、引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切り分ける工程とを有するシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に、界面の中心に熱を供給し、界面の中心から縁部までの比Ｖ／Ｇの半径方向プロフィールを、界面に対して垂直方向の温度勾配であるＧ及び融液から単結晶を引き上げる引き上げ速度であるＶを用いて制御する。比Ｖ／Ｇの半径方向ｒ／ｒｍａｘのプロフィールを、界面に接する単結晶中の熱機械応力場の影響が内因性点欠陥の発生に関して補償するように制御する。
【効果】０．６ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げた単結晶から、３００ｍｍの直径を有する無欠陥のシリコン半導体ウェハを高い歩留まりで得ることができた。この半導体ウェハに関して、Ａスワール欠陥も、ＦＰＤも、ＯＳＦ欠陥も検出できなかった。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内のシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、容易に高酸素濃度のシリコン単結晶を得ることができる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】炉体内においてルツボ３の周囲を囲む円筒状の発熱部４ａを有し、発熱部４ａの熱放射により原料シリコンＭを溶融するヒータ４と、炉体の周囲を囲むように設けられ、ルツボ３内のシリコン融液Ｍに対し水平磁場を印加する電磁石１３とを備え、ヒータ４の発熱部４ａにおける引上げ軸方向の長さ寸法ｈが、ルツボ３の内径の０．５倍〜０．９倍に形成されると共に、ヒータ４の発熱部４ａにおける引上げ軸方向の第一の中央位置が、電磁石１３における引上げ軸方向の第二の中央位置よりも下方に配置され、且つ、それら第一及び第二の中央位置の距離差ｄが、ルツボ３の内径Ｒの０．１５倍〜０．５５倍である。 （もっと読む）

【課題】結晶の大口径化に伴い発生する問題を解決しつつ、生産性高く、ＣＯＰの無い半導体単結晶を引き上げ成長させる方法を提供する。
【解決手段】Ｉ‐リッチ領域（格子間型点欠陥優勢領域）に入る条件で半導体単結晶を引上げ成長させるに際して、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ、かつ融液に磁場を印加して、半導体単結晶の引上げ速度を０．４ｍｍ／ｍｉｎ以上とする条件で、半導体単結晶を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、単結晶Ｃと融液Ｍとの境界面である固液界面Ｍ２から、少なくとも所定深さｄ１までの融液内の領域において、単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、０．４ガウス／ｍｍ以上とした状態で、ルツボ３を０．２ｒｐｍ〜５．０ｒｐｍの範囲の回転速度で回転させ、単結晶Ｃの回転方向をルツボ３の回転方向とは逆方向に８ｒｐｍ以上の回転速度で回転させる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度と冷却速度に関して、正確かつ広範な条件範囲で半導体単結晶を引上げるようにして、無欠陥のシリコン単結晶を安定して歩留まり製造できるようにして生産性の向上を図る方法を提供する。
【解決手段】ＣＲ＞０．１８〔Ｏi〕−１．５３なる関係が成立するように酸素濃度Ｏi、冷却速度ＣＲを調整してシリコン単結晶を引き上げる。また、融液に磁場を印加すると共に、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ半導体単結晶を引き上げ成長させる。 （もっと読む）

【課題】育成される単結晶インゴットの不純物分布を改善し、かつ、高速引き上げが可能で、コストパフォーマンスに優れた単結晶インゴットの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１は、シリコン融液１５の深さをＨとしたときに、回転磁場装置６により発生する磁場のシリコン融液１５内での最大強度の位置を、融液１５の表面から深さ０．３Ｈ以内に位置させるべく、回転磁場装置６と坩堝４の引き上げ軸方向の相対位置を調節する制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】育成される単結晶インゴットの不純物分布を改善し、かつ、高速引き上げが可能で、コストパフォーマンスに優れた単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１は坩堝４と単結晶１２とを同じ向きに回転させつつチョクラルスキ法により単結晶１２を製造する。その際、制御装置１３は、単結晶１２の下端周縁部と坩堝４の内面との間に存在するシリコン融液１５の流れが坩堝４及び単結晶１２の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように回転磁場装置６により発生させる回転磁場の向き及び強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】改善された歩留まりで低欠陥半導体ウェハを製造することができるＭＣＺ法を提供する。
【解決手段】ルツボ中に含まれる融液から単結晶を引き上げ、引き上げられた単結晶から半導体ウェハをスライシングするシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に成長する単結晶の融液との界面の中心に熱を導入し、ＣＵＳＰ磁場の中立面が単結晶の引き上げ軸を、融液表面から少なくとも５０ｍｍの距離で横切るようにＣＵＳＰ磁場を融液に印加する。 （もっと読む）

【課題】大口径、高品質ＳｉＣ単結晶を安価に安定して連続成長させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝に収容されたＳｉ合金の融液を溶媒とするＳｉＣ溶液に種結晶基板を接触させて基板上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる液相成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。溶媒は、Ｓｉ−Ａｌ合金またはＳｉ−Ａｌ−Ｍ合金（ＭはＴｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ及びＶから選ばれた１種以上の添加元素）とする。 （もっと読む）

【課題】結晶の長手方向に沿った比抵抗プロファイルが拡大されて単結晶のプライム長さが増加することで、従来に比べて生産性を向上させるチョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法を用いて製造された半導体単結晶インゴット及びウエハーを提供する。
【解決手段】るつぼ１０内に含有された半導体原料物質とドーパント物質との融液ＳＭにシード結晶を浸した後、シード結晶を回転させながら上部へと徐々に引き上げ半導体単結晶Ｃを成長させる際に、磁場の垂直成分が０であるＺＧＰ（Ｚｅｒｏ Ｇａｕｓｓ Ｐｌａｎｅ）を基準にして上部と下部との磁場強度が相違するＣｕｓｐタイプの非対称磁場をるつぼに印加して結晶Ｃの長手方向に沿って理論的に計算された比抵抗プロファイルを結晶Ｃの長手方向に沿って拡張させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＥ法により高品質かつ大型の窒化物（例、窒化アルミニウム）単結晶を安価な装置を用いて効率的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】坩堝に収容された、雰囲気ガスから溶解させた窒素を含有する単結晶原料の融液２をローレンツ力により隆起させ、隆起した融液２の頂点付近に種結晶基板３を接触させ、融液２から種結晶基板３を引き上げることにより種結晶基板３上に窒化物単結晶を成長させる方法において、融液２表層に形成される窒化物被膜１０を一部破損させて、少なくとも融液２頂点付近から被膜１０を除去するための引き金工程を有し、被膜１０除去のための引き金工程の後、融液２の撹拌により被膜１０の除去を進める。引き金工程は、雰囲気ガスの窒素分圧の操作、融液２温度の操作、ならびに物理的な接触、から選ばれた１または２以上の方法により、種結晶基板３上に単結晶を成長させる工程より前あるいは単結晶成長の初期に行う。 （もっと読む）

【課題】常圧付近の比較的低い圧力で、良質の第１３族金属窒化物結晶を工業的に安価に製造する。
【解決手段】周期表第１３族の金属元素を含む融液中に、周期表第１３族の金属元素と周期表第１３族以外の金属元素との複合窒化物を含む原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を強制的に流動させることによりシードの表面に第１３族金属窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】引き上げ時におけるシリコン融液の対流を制御することができ、シリコン融液の残液量に依存する単結晶の品質差を小さくできる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液４内に配置可能とされる対流制御部材３５と、対流制御部材３５をルツボ上方から支持する支持手段とを具備し、対流制御部材３５が、ルツボ底面と略平行状態に位置可能な略円板形状とされ、平面視して引き上げられるシリコン単結晶３の中心軸１５位置を中心として外縁部へと延在する複数の線分で分割された複数の板状片３６からなり、支持手段が、中心軸に沿う断面において、中心における板状片３６の上面３６ａの接平面と中心軸１５方向下向きとのなす角度αを設定してシリコン融液４の対流を制御可能とするように対流制御部材３５の板状片３６を角度調整可能に支持する単結晶製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】引き上げ時におけるシリコン融液の対流を制御することができ、シリコン融液の残液量に依存する単結晶の品質差を小さくできる単結晶製造装置を実現する。
【解決手段】シリコン融液４の表面４ａとルツボの底面との距離とされる深さＬａが鉛直方向距離Ｌｂを超えている際に、シリコン融液４において、育成される単結晶３の品質に影響を及ぼす固液界面直下の対流範囲が距離Ｌｂ以内となるように、ルツボ底面と略平行な板状体である対流制御部材３５が、ルツボの底面と固液界面との間に位置可能として設けられる単結晶製造装置３０とする。 （もっと読む）

【課題】無転位化に必要なネック部長さの短縮を図り、優れた結晶品質を得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法またはＭＣＺ法により、坩堝内の結晶原料を融解させ、種結晶を坩堝内に保持される溶融液に浸漬させて種結晶をなじませた後、種結晶を引き上げてネック部を形成するネック工程に次いで、単結晶のショルダー部およびボディー部を形成する単結晶製造方法において、ネック工程で所定長さのネック部を形成した後、ネック部を溶融液になじませて、引き続きネック部を形成するシリコン単結晶の製造方法。ネック工程において最初に形成されるネック部の長さが２０ｍｍ以上にする。 （もっと読む）

【課題】基準反射体と融液面との相対距離をより安定してより正確に測定することのできる基準反射体と融液面との距離の測定方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりルツボ９内の原料融液１５からシリコン単結晶３を引上げる際に、融液面上方に配置した基準反射体５と融液面との相対距離を測定する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶３の引上げを、磁場を印加しながら行い、前記基準反射体５の実像と融液面に反射した該基準反射体５の鏡像の画像を検出手段１４で捉え、該捉えた基準反射体５の実像と鏡像の画像を別々の画像として処理し、該処理した画像から前記基準反射体５の実像と鏡像の相対距離を算出することで、基準反射体５と融液面との相対距離を測定する。 （もっと読む）

【課題】所定の酸素濃度に制御された無欠陥のシリコン単結晶を安定して高速で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶の周囲に円筒状のクーラー２４を配設し、シリコン単結晶の引き上げ速度と、シリコン融液を貯留するルツボ２１およびシリコン単結晶１１の回転速度と、ルツボ２１の周囲に配設したシリコン単結晶の長手方向に少なくとも２分割されたマルチヒーター２２の出力の比と、を調整することにより、シリコン単結晶１１の側面の温度勾配、固液界面の高さ、および当該シリコン単結晶の長手方向の酸素濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶製造装置１を用いた単結晶Ｃの製造方法において、前記ルツボ３内に原料ポリシリコンを溶融するステップと、前記ルツボ３内のシリコン溶融液Ｍに対し、少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を所定回数繰り返すステップと、単結晶Ｃのネック部Ｐ１を形成し、前記ルツボ３から単結晶Ｃを引上げるステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】
不純物が添加された種結晶を用いてネッキング処理を行うことなく無転位で単結晶を引き上げるに際して、融液の温度変動を抑制することにより、種結晶着液後の結晶径急増による転位導入を回避するとともに、耐荷重以下の結晶径に細くなることを回避する。
【課題を解決するための手段】
種結晶が融液に着液する前から融液に磁場を印加することで、単結晶引き上げ開始の時点で融液の温度変動を抑制して結晶径が急増したり結晶径が細くなることを回避する。
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【課題】酸素濃度およびドーパント濃度が微小な範囲でばらつくことを防止し、デバイス工程においてデバイス特性および収率を良好に保つことができるシリコン単結晶を育成可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】磁場印加手段５１は引上げ方向Ｚに対して中心Ｏの磁場強度Ｂｙを最も高くし、この中心Ｏから上下方向にそれぞれ磁場強度Ｂｙが漸減するように磁界を発生させる。そして、この磁場強度Ｂｙの最も高い中心Ｏに合わせてルツボ１３のシリコン融液１２の融液面１２ａが位置するように設定する。 （もっと読む）