【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の１％以上５％以下となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】亀裂等の欠陥を生じることなく、チタン酸ストロンチウムの膜をウェットエッチングすることのできるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、並びに、そのエッチング液組成物を利用した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法及びチタン酸ストロンチウム膜の加工方法を提供すること。
【解決手段】フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液からなるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１の急速昇降温熱処理を行う工程と、前記第１の急速昇降温熱処理を行ったシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２の急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表層部のボイド欠陥を大きく低減することができ、表層部の酸素濃度を向上させることができ、研磨面の表面粗さの悪化も抑制でき、かつ、ＲＴＰにおける生産性を向上させることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面のシリコン原子を水素で終端させる工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハの前記表面のシリコン原子をフッ素で終端させる工程と、前記水素及びフッ素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、前記温度範囲で前記不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に切り替えて更に保持し、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】亜鉛シリサイドやシリカなどが残留しないＺｎＯ基板の成長前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 （もっと読む）

【課題】低酸素濃度のシリコン単結晶において、Ｌ／Ｄ領域およびＢ−ｂａｎｄ領域を高感度に検出し得る手段を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶の検査方法。一態様は、チョクラルスキー法により育成された格子間酸素濃度（旧ＡＳＴＭ）が１２Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満のシリコン単結晶インゴットから切り出されたサンプルの表面を銅で汚染すること、上記汚染後のサンプルに、７００℃以上８００℃未満の温度域で５分間以上加熱した後に該温度域から２．５℃／分を超える降温速度で急冷する加熱冷却処理を施すこと、上記加熱冷却処理後の前記サンプル表面を選択エッチングすること、上記選択エッチング後のサンプル表面のピットが局在している領域をＬ／Ｄ領域として特定すること、を含む。他の態様は、異なる処理を施した２つのサンプルの対比結果からＢ−ｂａｎｄ領域を特定することを含む。 （もっと読む）

【課題】ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ成長装置１内にある基板ホルダ３に基板１１をセットする。反応炉内は常圧とし、ヒータ４により基板１１を加熱、昇温させる。初期核は、反応ガス導入管５によりＮＨ3ガスをキャリアガスであるＮ2ガスと共に導入し、金属Ｇａ６が載置された原料載置室７を有する反応ガス導入管８によりＧａＣｌガスをキャリアガスであるＮ2ガスとＨ2ガスと共に導入して、成長させる。初期核の形成後は、ＧａＣｌガス分圧とＮ2ガス分圧を高くした以外は初期核を形成した条件で結晶成長させる。得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】積層基板６に存在する転位には、表面から中間深さまで伸びている転位ａ、表面から基板との界面８まで伸びている転位ｂ、表面から界面を越えて基板４にまで伸びている転位ｃが存在するところ、その出現深さを特定する方法が存在しない。転位の出現深さを特定できる技術を提供する。
【解決手段】 半導体層の表面からエッチングする。そのときに、エッチピットの内部に平坦底面ｆａ，ｆｂが出現するまでエッチングするか、あるいは、半導体層２を貫通する転位に沿って形成されるエッチピットが半導体層２を貫通する時間以上に亘ってエッチングする。その後にエッチピットの内部の出現した平坦底面ｆａ，ｆｂの深さを特定する。その深さが転位の出現深さに等しいことから、転位の出現深さが特定できる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶ウェハに対して十分なパーティクル除去能力を得て、且つ、表面荒れを起こさないアルカリ性の薬液の種類、濃度及び洗浄条件を規定したＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法において、ＧａＮ単結晶ウェハの表面を有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、有機溶剤で洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】内部領域よりも格段に優れた品質の最表面（表層領域）を有する窒化物半導体基板、表面加工方法を工夫することによって最表面（表層領域）の歪みを開放し、高品質の層を最表面に設けることが可能な窒化物半導体基板の製造方法及びこれらを用いた窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長面となる表面とその反対側の裏面とからなる２つの主面を有する窒化物半導体基板において、表面に対して傾斜した特定の非対称面からの回折を利用して、表面から所定の深さの領域において対応する半値幅を得るＸ線ロッキングカーブ測定によって得られた、表面からの深さが０〜２５０ｎｍの表層領域の半値幅が、表面からの深さが５μｍを超える内部領域の半値幅よりも狭くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱の研究用の基板を提供する。
【解決手段】基板は、銀、金、白金、銅及び／又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆されている、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいる。ウィスカーは、半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成している。被覆金属の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、好ましくは７０ｎｍ〜８０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが８．０より大きく且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが６．０未満且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）