【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第１導電性半導体層、活性層及び第２導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第２導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】積層するウェーハ数を多くした場合でも、積層したウェーハ相互間においてスリップ転位の発生を抑制することができ、また、積層したウェーハ相互間の接着を抑制し、剥離性を高めることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハＷの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックＷ_Ｂを形成し、該ウェーハブロックＷ_Ｂの最下部のシリコンウェーハＷ_Ｕの平面のみを第１熱処理用部材３２の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックＷ_Ｂを水平保持させると共に、第２熱処理用部材３４により前記水平保持させたウェーハブロックＷ_Ｂの外周囲全体を囲繞させて、１２７０℃以上シリコンの融点以下の最高到達温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理時のウェーハの撓みを抑制し、スリップ転位の発生及びウェーハ表面へのパーティクルの付着を防止することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって５ｍｍの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも４℃以上３０℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板アライメント装置が緊急停止した場合に、マーク保持部が基板及び基板保持部と衝突することを防止する。
【解決手段】上ステージ部と下ステージ部とにより互いに面方向に相対移動されて位置合せされる一対のウエハに設けられたアライメントマークを撮像する上顕微鏡１４８と下顕微鏡１５０との視野内に、上顕微鏡１４８と下顕微鏡１５０とにより撮像される上顕微鏡１４８と下顕微鏡１５０との相対位置検出用の基準マーク１４６を出し入れする基準マーク移動装置１００であって、基準マーク１４６を保持するボード１４４と、ボード１４４におけるマーク形成部分をウエハ及びウエハホルダの移動通路に出入りさせると共に、駆動が停止された場合に、ボード１４４の全体を移動通路の外部へ退避させる昇降装置１０２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンの供給を抑えた反応室内条件での平滑な表面を与えるＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法を提供する。
【解決手段】水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。
【解決手段】 回転式拡散装置は、内部に第１導電型の結晶シリコン粒子１２を入れて回転して攪拌させながら酸素及び第２導電型の不純物を含む不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子１２の表面に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型のシリコン層を形成する横置き型の拡散管１１と、拡散管１１を傾斜させることによって第２導電型のシリコン層が表面に形成された結晶シリコン粒子１２を拡散管１１の一端部の開口から取り出す傾斜機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】下地基板に半導体膜が成膜されている構造体の下地基板から半導体膜を破損させることなく剥離させることができる剥離処理装置および方法を提供する。
【解決手段】剥離処理装置１００は、サファイア基板２１０が上側でＧａＮ膜２２０が下側の状態のサファイア／ＧａＮ構造体２００を基板支持部１２０で下面中央で下方から支持し、支持されたサファイア／ＧａＮ構造体２００を所定温度まで加熱し、加熱されているサファイア／ＧａＮ構造体２００に上方からレーザ光ＬＲを照射する。このため、加熱機構１３０の加熱によりサファイア／ＧａＮ構造体２００が下方に凹状に湾曲しても、その外縁部が処理装置本体１１０の内部底面に接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】複数の籠の出し入れを容易にすることができる籠収納用トレイ及び収納庫を提供する。
【解決手段】シリコン材料が収納される複数の籠１が一列に載置されるとともにその列方向に沿って各籠１をスライド自在に支持する支持レール２２と、該支持レール２２の長さ方向に沿って移動自在に設けられて該支持レール２２上の籠１をスライドさせるための操作ロッド２３とを具備し、前記操作ロッド２３は、その軸心を中心に回転自在とされるとともに、両端部に、その長さ方向に直交するレバー２５，２６が支持レール２２の上方に突出可能に設けられ、これらレバー２５，２６は、操作ロッド２３の両端部において相互に所定角度ずれた向きで配置されている。 （もっと読む）

単結晶体の結晶方位を解析する工程と、前記単結晶体の選択された結晶方向と前記単結晶体の第１の主外面の面に沿う結晶方向の投影との間の方位差角を計算する工程とを有する、単結晶体の結晶方位を変化させる方法が開示される。前記方法は、前記第１の主外面の少なくとも一部から材料を除去して前記方位差角を変化させる工程をさらに有する。
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【課題】簡易な方法で且つ短時間で、多数のウェーハ形状材料のエッジの不純物回収、洗浄、及びエッチングが可能な装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ形状材料を実質的に垂直で保持しながら回転させるウェーハ回転手段を備えたウェーハ回転装置と、ウェーハの保持装置と、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する装置とを備えているウェーハエッジの不純物回収装置であって、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する手段としての薬液ホルダーと、少なくともウェーハの一部を前記薬液ホルダーの薬液に浸漬させた状態でウェーハをシーケンシャルに、ウェーハの所定部分を所定の回転速度で回転させるウェーハ回転手段を備え、薬液にウェーハを接触させた状態で回転させることにより、ウェーハのエッジ部から不純物を溶出させ、回収する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線やそれ以外の手段による精密測定を行うことなく、フッ化物単結晶表面の（１１１）面からの方位のずれを十分簡易に把握することができるフッ化物結晶の熱処理方法を提供する。
【解決手段】多孔質部材７を備える基台６Ｃ上に、（１１１）面とのなす角度が−１５〜＋１５°である平滑面を有するフッ化物の単結晶１１を、平滑面と多孔質部材７とが対面接触するように載置した状態で、熱処理炉１０内において最高温度が１０００℃以上となるように単結晶１１に加熱処理を施すフッ化物結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

急激な金属−絶縁体遷移を行う基板と、基板上に電気伝導度及び熱伝導性の良好なペーストでコーティングまたは蒸着された金属層と、を備える金属−絶縁体遷移を行うウェーハである。これにより、ヒータや基板ホルダーに直接接着せず、直径の大きいウェーハを量産しうる。
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