【課題】多様化する単結晶インゴットの直径及びコーン状の端部形状に関わらず、切断位置の基点を高精度に特定でき、切断位置のずれを抑制することができるインゴットの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒研削された円柱状の直胴部と、該直胴部の少なくとも一端に形成された円筒研削されていない鏡面状態のコーン状の端部とを有する単結晶インゴットを切断するインゴットの切断方法であって、前記円筒研削された直胴部表面と前記円筒研削されていない鏡面状態のコーン状の端部表面の光の反射の違いを利用して、前記円筒研削面と前記円筒研削されていない境界の位置を検出する工程と、該検出した境界の位置を基点として切断位置の位置決めを行った後、前記インゴットを切断する工程とを有することを特徴とするインゴットの切断方法。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが６．０未満且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 被研削材の円筒研削加工時間を短縮できる円筒研削方法の提供。
【解決手段】
カップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ａと前記カップホイール型砥石の直径より１０〜２５ｍｍ小さい直径のカップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ａを、これら砥石軸１１ａ，１１ａの軸芯１１ｏが同一直線上にあり、かつ、この同一直線は前記ワーク軸に対し直角になる位置に設けた円筒研削装置１を用いて、クランプ機構７ａ，７ｂに支架された回転している円柱状ワークｗに切り込みを掛け、ついで、回転している円柱状ワークｗを横方向に移動させながら前記カップホイール型砥石１１ｇ，１１ｇでトラバース研削加工する。 （もっと読む）

【課題】クリーンな環境下にて、石英ガラスルツボを堅固に挟持し、確実に移動させることのできるハンドリング装置。
【解決手段】水平方向に延びるビーム２、及び、ビーム２の中心軸線方向に対し直交する方向にビーム２から突出し、少なくとも一方がビーム２の中心軸線方向に移動可能である一対のアーム３を具えるフレーム４の、一対のアーム３に組み付けられた、石英ガラスルツボ５の胴部５０をルツボの径方向に挟持する相互に対向する一対の挟持手段６、各挟持手段６に隣接して設けられ、石英ガラスルツボ５をルツボの中心軸線方向に挟んで掛止するルツボの中心軸線方向に近接離間可能な一対の舌片からなる掛止手段７、並びに、挟持手段６及び掛止手段７をアーム３に沿って往復運動させる駆動手段８を具える石英ガラスルツボ５のハンドリング装置１である。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。
【解決手段】処理容器７内に坩堝１を収納させ、この坩堝１を処理容器７内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器７内に固体原料処理液８を流入させ、坩堝１内には、種基板支持体３で支持された種基板２と、この種基板２上に生成された結晶基板１０と、これらの種基板２および結晶基板１０を覆った固体原料４とが収納された状態とし、坩堝１を切断部で切断している。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができるＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器５内に坩堝１を収納させ、この坩堝１を処理容器５内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器５内に固体原料処理液６を流入させ、坩堝１内には、支持体３で支持された種基板２と、この種基板２上に生成された結晶８と、これらの種基板２および結晶８を覆った固体原料４とが収納された状態とし、支持体３は、所定間隔離して配置した複数の支持脚を有し、各支持脚の支持部で種基板２の外周下面側を支持させた。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡を使用せず、作業効率を向上させ、かつ、高精度で切断面に結晶方位面を得ることができる単結晶材料の面方位合わせ装置および単結晶材料のスライス方法を提供する。
【解決手段】面方位合せ装置（１２）の回転部（１２ａ）は、回転変位量が調整可能かつ固定可能に、固定部（１２ｂ）に対して回転可能であり、かつ、ワイヤソー（４）の走行方向と同じ方向に直線状の往復移動が可能である。単結晶材料（１０）の保持テーブル（１１）に設けられた回転部（１１ａ）は、単結晶材料（１０）を固定可能であり、固定部（１１ｂ）に対し、回転変位量が調整可能かつ固定可能に取り付けられる。モニタ装置（５）は、画面を２分割して使用し、第１カメラ（６ａ）が撮影する視野を第１画面に映し出し、かつ、第２カメラ（６ｂ）が撮影する視野を第２画面に映し出す。並んだ画像が一直線状となるように、回転部（１１ａ）または回転部（１２ａ）を回動調整する。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 ＬＤ励起近赤外線レーザ１１からのレーザ光２１を高調波変換器１２により高調波変換して波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２を得、この波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２をガルバノスキャナ１４で走査レーザ光２３に変換し、円形ｆθレンズ１３で収束して収束レーザ光２４として集光する。収束レーザ光２４はダイヤモンド１５に入射され、ダイヤモンド１５に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド１５はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 （もっと読む）

【課題】切断テーブルの隙間部分の段差に影響を受けず、インゴットの切り終わり部分の欠けを防止することで、前記切断テーブルの調整のためのメンテナンスをなくし、製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置およびそれを用いた切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】インゴット切断装置において、少なくとも、前記インゴットを前記ブレードで切断する位置にて前記インゴットの切り終わり部分を下方から支持するためのインゴット支えパッドと、前記インゴット支えパッドを下方から上昇させて前記インゴットに密着させるためのパッド上昇機構とを有するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】搬送用トレー上で短いブロックが転倒、脱落、破損するといったことを防止でき、かつ、省力化、生産性向上が図れ、また新設設備によるコストや設備占有スペースの増加の抑制を図ることができるインゴット切断装置を提供する。
【解決手段】インゴット１を切断手段１６により切断してブロック１ａに切り分ける切断部１１と、切断用トレー１５を送出入するためのテーブル１８を有する送出入部１２と、該送出入部の動作を制御する制御部１３と、切断されたブロック１ａを搬送用トレー２に移載する移載部１４とを具備し、移載部１４は、アーム機構１９と、倒置機構２０とを具備し、長いブロック１ｂはアーム機構１９により搬送用トレー２に移載し、短いブロック１ｃは倒置機構２０により倒して搬送用トレー２に移載するものであるインゴット切断装置１０を提供する。 （もっと読む）

単結晶体の結晶方位を解析する工程と、前記単結晶体の選択された結晶方向と前記単結晶体の第１の主外面の面に沿う結晶方向の投影との間の方位差角を計算する工程とを有する、単結晶体の結晶方位を変化させる方法が開示される。前記方法は、前記第１の主外面の少なくとも一部から材料を除去して前記方位差角を変化させる工程をさらに有する。
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【課題】Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造において、従来結晶成長工程終了後に廃棄されていたＮａを再利用できる製造装置を実現すること。
【解決手段】
Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長工程終了後、坩堝１１の温度が１００℃以上である時に、回収装置２０にてＮａを吸引し、保持容器２２内に液体状態で保持する。回収したＮａは、蛇口２４より取り出すことができる。ここで、結晶成長工程終了後に残存するＮａは、蒸気圧の高い不純物を含んでいないため高純度である。そのため、回収したＮａをフラックスとして再利用すると、不純物濃度の低いIII 族窒化物半導体を製造することができる。 （もっと読む）