【課題】 より簡便に炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプを閉塞することができる炭化ケイ素基板の表面再構成方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素基板１の表面上にシリコン膜２を形成するシリコン膜形成工程と、シリコン膜２の表面上に多結晶炭化ケイ素基板を設置することなく炭化ケイ素基板１およびシリコン膜２を熱処理する熱処理工程と、を含む、炭化ケイ素基板の表面再構成方法である。ここで、熱処理工程後にシリコン膜を除去するシリコン膜除去工程を含んでいてもよい。また、熱処理工程後にシリコン膜を酸化して酸化シリコン膜とする酸化シリコン膜形成工程と、酸化シリコン膜を除去する酸化シリコン膜除去工程と、を含んでいてもよい。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】 次世代光リソグラフィー技術用の光学材料として有用である、ＶＵＶ透過率が良好なフッ化金属単結晶を容易かつ安定的に製造する
【解決手段】 フッ化金属単結晶を結晶引上げ法（チョクラルスキー法）などの融液成長法で製造するに際し、単結晶成長炉にフッ化金属原料を投入する前に、用いる炉の内部を、電気陰性度が対象となるフッ化金属を構成する金属元素よりも大きくかつ酸素よりも小さい元素のフッ化物であって、水と反応し得るフッ化物の存在下に加熱する工程を設ける。例えば、フッ化カルシウムの単結晶を製造する場合、Ｃａの電気陰性度が１．０、酸素の電気陰性度は３．５であるから、電気陰性度が１．６の亜鉛、１．８の鉛、２．５の炭素などのフッ化物の存在下に炉を加熱する。該加熱による生成物は減圧排気などで系外へ排出することが好ましい。その後、フッ化カルシウム原料を炉内に投入し単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 その有する歪み等を除去するために、高温状態からゆっくりと冷却した場合でも微細ボイドの発生が少なく、よって、光リソグラフィー用などの光学材料としての物性に優れたフッ化金属単結晶を効率的に得る。
【解決手段】 原料フッ化金属の溶融液面に種結晶を接触させ引き上げることによりフッ化金属の単結晶体を成長させるフッ化金属単結晶体の製造方法を、該成長を、成長炉内の圧力が０．５〜７０ｋＰａ、好ましくは５〜５０ｋＰａの圧力となる減圧下、より好ましくは１０〜３０ｋＰａの圧力となる減圧下に行う。結晶成長中は、成長炉を外部と遮断して気密化することにより該圧力を維持するとよい。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なＧａ含有窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｃ）の１以上を満たすＧａ含有窒化物半導体単結晶。（ａ）Ｇａ含有窒化物半導体単結晶に波長４５０ｎｍの光を照射して測定される最大反射率が２０％以下であり、最大反射率と最小反射率との差が１０％以内である。（ｂ）カソードルミネッセンス法により測定される転位密度の最大値と最小値の比（最大値／最小値）が１０以下である。（ｃ）時間分解フォトルミネッセンス法により測定される寿命が９５ｐｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】特にマイクロリトグラフィーでの紫外線照射に用いる光学素子を立方晶グラナタイト、立方晶スピネル、立方晶ペロブスカイト、立方晶Ｍ（ＩＩ）酸化物及び／またはＭ（ＩＶ）酸化物から作製する。
【解決手段】前記光学素子を、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｃａ_３Ａｌ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２、Ｋ_２ＮａＡｌＦ_６、Ｋ_２ＮａＳｃＦ_６、Ｋ_２ＬｉＡｌＦ_６、Ｎａ_３Ａｌ_２Ｌｉ_３Ｆ_１２、（Ｍｇ，Ｚｎ）Ａｌ_２Ｏ_４、ＣａＡｌ_２Ｏ_４、ＣａＢ_２Ｏ_４、ＬｉＡｌ_５Ｏ_８、ＢａＺｒＯ_３及び／またはＣａＣｅＯ_３から選択される適当な結晶から作製する。２００ｎｍ以下の波長で行われるマイクロリトグラフィー用の液浸光学器械において用いられる前面レンズは本発明に従った光学素子の好ましい一例である。 （もっと読む）

【課題】生成されたタンパク質の結晶にダメージを与えることなく、異物や微小な結晶によって誤認することなく、正確に結晶化を判定するとともに、判定結果を迅速に利用者に伝えることが可能なタンパク質結晶観察装置を提供すること。
【解決手段】タンパク質が溶け込んだ水滴などの試料を収容する複数のウェル１１２を有する結晶化プレート１１０と、前記結晶化プレートを載置する観察ステージ１２０と、前記タンパク質の結晶化過程を撮像するカメラ１３０とを有し、カメラが、ＸＹ方向に移動可能なように観察ステージの上方に備えられているタンパク質結晶観察装置によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物結晶の転位密度を非破壊に精度良く測定することができるフッ化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。前記転位線に欠陥集合体を発生させる工程が、放射線をフッ化物結晶に照射する工程である。前記欠陥集合体を光学的に検出する工程が、光をフッ化物結晶の欠陥集合体に照射する工程と、前記欠陥集合体により散乱された光を検出する工程である。前記欠陥集合体を消去する工程が、フッ化物結晶を冷却しながら放射線を照射する工程である。 （もっと読む）

【課題】 短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を持つフッ化カルシウム単結晶及びその選別方法を提供する。
【解決手段】 本発明によれば、フッ化カルシウム単結晶に線量１×１０^５ｒａｄ／ｈのガンマ線を１時間照射した後、波長１４０ｎｍにおける透過率Ｔ_１４０及び波長１９０ｎｍにおける透過率Ｔ_１９０を測定し、Ｔ_１４０及びＴ_１９０が共に８０パーセント以上であって、Ｔ_１４０／Ｔ_１９０が０．９以上であるものを選別する。そのため、１９０ｎｍ及び１４０ｎｍの両者における透過率を高く維持していると共に１９０ｎｍ〜１４０ｎｍでの透過率の低下が少なく、短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を持つフッ化カルシウム単結晶を選別することができる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の炭化ケイ素からなる対象物に、視認性の良好なマークを形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】 マーキング方法は、（ａ）単結晶の炭化ケイ素からなるマーキング対象物Ｗを準備する工程と、（ｂ）準備したマーキング対象物Ｗにパルスレーザ光を入射させることにより、該マーキング対象物Ｗの表面に、可視光に対する光学特性が残余の領域とは異なる改質領域を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、大気圧下での水晶薄膜複屈折板の育成において、電気炉内に載置されたサファイア、シリコン、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の単結晶または石英ガラス等の非晶質から成る基板等の基板上に気相法を用いて育成した水晶薄膜複屈折板の光学軸と水晶薄膜複屈折板の法線のなす角度θと光学軸の水晶薄膜複屈折板のへ投影線と外形の基準辺のなす角度αを、Ｘ解回折を用いず、水晶薄膜複屈折板の光学的な位相差を求め、この位相差と水晶薄膜複屈折板の板厚ｔより、簡単に求める手法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成するために本発明は、気相法を用いて育成した厚み０．３ｍｍ以下の水晶薄膜複屈折板の法線（成長方向）と水晶薄膜複屈折板の光学軸のなす角度θと光学軸の水晶薄膜複屈折板への投影線と外形の基準辺のなす角度αを、Ｘ線回折を利用せず、光学的な位相差と水晶薄膜複屈折板の板厚ｔを測定し計算することより、角度θと角度αを簡単に求めることが出来ることを特徴として目的を達成する。 （もっと読む）

屈折率の均質性残差は適用波長１９３ｎｍ及び１５７ｎｍ双方用のリトグラフィー装置の性能に対して強く影響する。ＣａＦ_２結晶の実際構造中の種々欠陥を組織的に調べることによって均質性残差の原因を明らかにすることができた。定量分析結果に基づき、個々の欠陥について、例えば徐冷等の最適化された処理工程において許容あるいは制御され得る限界値が限定される。このような関連づけがＣａＦ_２ブランクの当面の問題である３つの主要結晶格子方位について確立された。結論として、２７０ｍｍまでの大形レンズブランクについて決定的パラメータである屈折率均質性及び脈理の顕著な改善が達成された。 （もっと読む）

ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料中にブランドマークのような出所標識又は識別紋様を入れる方法は、ダイヤモンド基体を与える工程、原料ガスを与える工程、前記原料ガスを解離し、それによりホモエピタキシャルダイヤモンド成長を行わせる工程、及び前記原料ガス中へドーパントを制御された仕方で導入し、合成ダイヤモンド材料中に出所標識又は識別紋様を生成させる工程を含む。ドーパントは、出所標識又は識別紋様が、通常の見る条件下ではダイヤモンド材料の知覚される品質に影響を与えないか、又は容易には検出できないが、その出所標識又は識別紋様は、例えば特定の波長の光又は輻射線で照射した場合のように、特定化した条件下では検出できるか、又は検出可能にされるように選択されている。出所標識又は識別紋様の検出は、例えば目による検出、又は特定の光学的機器を用いた検出でもよい。
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