【課題】ＣＶＤ法で基板表面に合成したダイヤモンド膜に対して、レーザの使用により従来に比較して安定に平滑化加工する技術を提供する。
【解決手段】加工点近傍のダイヤモンド膜１２の表面の法線１５に対して８０°以上９０°未満の角度でレーザ４を照射し、レーザ４の反射効果を利用してダイヤモンド膜表面を安定に平滑化加工する。レーザ４にはＹＡＧレーザの第５高調波を用いる。さらに、減圧下でレーザを照射する。また、レーザ４のビーム径をビームエクスパンダ２で広げてから、アパチャ３で強度の均一な部分を切り出し、均一性の良いレーザをダイヤモンド膜表面に集光させる。さらに、ダイヤモンド膜１２上で反射したレーザ４を検出することにより、加工が完了したと判定する。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法によって得られたウェーハのＮ領域内に存在する微細な結晶欠陥を検出し、ウェーハの品質を正確に評価することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明のＮ領域の検査方法によると、ウェーハ２内に形成されている結晶欠陥４の存在部位と結晶欠陥４の非存在部位に対するエッチング速度が異なる異方性ドライエッチングを実施する。この異方性ドライエッチングにより、ウェーハ２の表面には結晶欠陥４を頂点とする円錐状のエッチング残渣６が残される。このエッチング残渣６を測定し、その測定値を評価することで、ウェーハ２のＮ領域の品質を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のＧａＮ層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善すること。
【解決手段】本発明は、基板（１０）上に設けられたＡｌＮ層（１２）と、ＡｌＮ層（１２）上に設けられたＳｉドープＧａＮ層（１４）と、ＳｉドープＧａＮ層（１４）上に設けられたアンドープＧａＮ層（１６）と、を具備する半導体基板、半導体装置およびその製造方法である。本発明によれば、ＧａＮ層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶の製造方法及びシリコンウェハの製造方法に関し、別個のリファレンスを要することなく、簡便な赤外線吸収差スペクトルによってシリコン結晶中の窒素濃度を精密に測定する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により窒素を含むシリコン結晶を作成したのち、前記シリコン結晶を第一の加熱温度で準熱平衡状態に到らしめて前記シリコン結晶の第一の赤外線吸収スペクトルを測定し、次いで、前記シリコン結晶を第二の加熱温度で準熱平衡状態に到らしめて前記シリコン結晶の第二の赤外線吸収スペクトルを測定したのち、第一の赤外線吸収スペクトルと第二の赤外線吸収スペクトルとの赤外線吸収差スペクトルを求め、次いで、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求め、求めた吸収ピークの強度に基づいて前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 （もっと読む）

直径が少なくとも約２．７５ミリメートルであり、約１０^４ｃｍ^−１未満の転位密度を有し、傾斜境界が実質的にないＧａＮ単結晶が提供される。ＧａＮ単結晶を形成する方法も開示する。本方法は、チャンバーに、核生成中心、ＧａＮ原料物質、およびＧａＮ溶媒を準備することを含む。チャンバーを加圧する。前記チャンバー内に、前記溶媒が前記チャンバーの核生成領域で過飽和状態になるように、第１および第２の温度分布を発生させる。前記第１および第２の温度分布は、チャンバー内で異なる温度勾配を有する。 （もっと読む）

【課題】SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板を両面ラップ研磨してSiC単結晶基板を製造する際に、SiC単結晶基板に生じる反りを軽減することができるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、１３００℃以上２０００℃以下の温度で焼鈍熱処理を施す。焼鈍熱処理の雰囲気は、炭化珪素非腐食性ガス雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝ウェーハにおいて、１００ｎｍ以下のＬＰＤ測定可能とし、表面ラフネスの劣化を防止し、表面状態を判断可能とし、ウェーハの品質評価を可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶の｛１１０｝面を傾けた面を主面とするシリコンウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルシリコンウェーハであって、
エピタキシャル層を成長させるシリコンウェーハは、前記｛１１０｝面を傾ける傾角度方位が、該｛１１０｝面に対して平行な＜１００＞方位から＜１１０＞方向に対して０〜４５°の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を１×１０^１４〜５×１０^１６ａｔｏｍｓ／cm²濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。 （もっと読む）

【課題】点欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が２°以上１０°以下である炭化珪素単結晶基板１０を用意する工程と、化学気相堆積法により、１４００℃以上１６５０℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層１１を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、前記エピタキシャル層を１３００℃以上１８００℃以下の温度で熱処理する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェハ５の特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、ウェハ５の面全体で位置に依存するパラメータ値を求める。ｂ）酸化レートおよび結果として得られる酸化層の厚さがウェハ５の平面における光強度に依存しており、酸化剤の使用とともにウェハ５の面全体を同時に照射することによる作用によって、ウェハ５の面全体を酸化させる。ｃ）酸化層を除去する。この場合、ステップｂ）において光強度を位置に依存してまえもって設定し、ステップａ）において測定された位置に依存する各パラメータ値における相違を、位置に依存する光強度の結果として生じるステップｂ）における酸化レートおよびステップｃ）におけるその後の酸化層除去によって低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高温工程によるスリップ発生を完璧に制御し、素子の活性領域には均一且つ充分なＤＺ及びＣＯＰフリー(free)領域を提供するとともに、バルク領域には高密度のＢＭＤを有するシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの代表的な構成は、本発明に係るシリコンウェーハは、前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハは１Ｅ１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 乃至１Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３範囲の窒素濃度を有し、前記ウェーハの前面及び後面の表面から少なくとも深さ８μｍまでの領域は、ウェーハを所定の深さまで研磨した後測定した、０．０６５μｍ以上のサイズを有する欠陥に関するＬＰＤＮ（Light Point Defect Non-cleanable）の個数がウェーハ当たり２０個以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基材の表面にダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材におけるダイヤモンド膜の密着力を評価する場合に、ダイヤモンド膜被覆部材の形状に関わらず、正確かつ容易にしかも低いランニングコストで評価できる膜密着力の評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜被覆部材１をステージ２に固定し、レーザー発振部３より発振されたレーザー８をレーザー照射部４で照射方向を制御しながらダイヤモンド膜被覆部材１に照射する装置を使い、ダイヤモンド膜１ａ表面の一部にレーザー８を照射し、ダイヤモンド膜１ａを除去した後、ダイヤモンド膜１ａが除去された面積を測定し、この面積の値を元に膜密着力を評価する。 （もっと読む）

【課題】高い性能指数を有するＭｎＳｉ_ｙ（１.７≦ｙ≦１.８）系のＰ型熱電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この熱電材料の製造方法は、原料として、母材であるマンガンシリサイドＭｎＳｉ_ｙの化学量論的組成を満たすマンガン及びシリコンと、母材に添加されるゲルマニウムと、母材に添加される不純物とを用意する工程であって、ゲルマニウムを、シリコン及びゲルマニウムの和の０.３ａｔ.％〜１ａｔ.％に相当する量だけ用意する工程と、原料を溶融することにより溶融物とする工程と、該溶融物を、０℃／分より大きく、１．５℃／分以下の冷却速度で冷却することにより、結晶成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ステッパー用レンズ材料として用いた場合に、十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶を提供すること。
【解決手段】結晶育成方向軸に垂直な断面の形状が円形状であり、その短径が５０ｍｍ以上であるフッ化物単結晶であって、当該単結晶を結晶育成方向軸に対して垂直に略三等分し、略三等分された各々の単結晶について、結晶育成方向軸と垂直な面における屈折率均一性のＲＭＳ値を求めた場合に、その最小値ｙを最大値ｘで除した値（ｙ／ｘ）が０．５以上であるフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】研磨されない半導体ディスクの表面品質を改善し、その上に製造される素子の、より小さな線幅を可能にする。
【解決手段】研磨されない半導体ディスクを製造する方法が以下のステップ、すなわち：（ａ）半導体材料から単結晶を成長させ、（ｂ）該単結晶を円筒研削し、（ｃ）該単結晶から半導体ディスクを切断し、（ｄ）該半導体ディスクのエッジを丸み付けし、（ｅ）該半導体ディスクの少なくとも片面を表面研削し、（ｆ）該半導体ディスクをエッチング媒体により処理し、（ｇ）該半導体ディスクを最終的にクリーニングするというステップを有しているようにした。 （もっと読む）

【課題】簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの表面欠陥評価方法は、シリコン単結晶インゴットから切出されたシリコンウェーハに対して窒化雰囲気下、１０〜１５０℃／秒の昇温速度で室温から１１７０℃以上シリコン融点未満の温度まで加熱処理し、処理温度で１〜１２０秒間保持した後に、１０〜１００℃／秒の降温速度で室温まで冷却する急速熱処理工程と、ウェーハ表面を表面光起電力法を用いて少数キャリア拡散長を算出することにより、ウェーハ表面の少なくともパーティクルカウンタでは検出することができない小さなＣＯＰが存在する領域を検出する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶化過程、特に結晶成長過程を経時的にモニターする方法、当該モニター方法を利用することを特徴とする結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の化合物の結晶化過程のモニター方法は、近赤外（ＮＩＲ）スペクトルを用いて行うものであり、具体的には、化合物を融点以上に加熱して溶融状態とした後から一定の温度で保存して結晶化に至るまでの間、化合物の分子構造を構成する官能基の吸光度がどのように変化するかを、近赤外分光計を用いて追跡することにより行われ、該モニター方法により得られる知見を用いて、粒度または結晶形が制御された結晶を製造することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 短波長光源に用いる光学素子材料としてより好適な総合特性を有するフッ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 エネルギー密度３０〜３００ｍＪ／ｃｍ^２、発振周波数３０〜３００ＨｚのＡｒＦレーザー光を１０^３〜１０^８パルス照射した後の波長２４８ｎｍにおける透過率Ｔ_２４８及び波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ_１９３が共に８５パーセント以上であること、及びＴ_１９３／Ｔ_２４８が０．９５０以上であることを満たし、かつ上記パルス照射した後の波長１５７ｎｍにおける透過率Ｔ_１５７が８０パーセント以上であること、及びＴ_１５７／Ｔ_１９３が０．９００以上であることを満たすフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶中の不純物窒素濃度を高精度に求めるためのシリコン結晶内窒素濃度評価用係数の決定方法を提供する。
【解決手段】 窒素濃度の異なる複数のシリコン結晶を準備する。シリコン結晶の各々を、第１の温度まで加熱して、結晶内欠陥反応を準熱平衡状態まで至らしめ、シリコン結晶の各々について、準熱平衡状態における結晶内欠陥濃度を維持した状態で赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペアに起因する第１の吸収ピーク強度及びＮＮＯ複合体に起因する第２の吸収ピーク強度を求める。シリコン結晶の各々について、第１のピーク強度から求められた吸収係数に第１の換算係数を乗ずることによって、ＮＮペアの密度を求める。それぞれの窒素濃度から、ＮＮペアの密度を滅ずることにより、ＮＮＯ複合体の密度を求める。複数のシリコン結晶の第２の吸収ピーク強度から求められた吸収係数とＮＮＯ複合体の密度とから、両者の関係を求める。 （もっと読む）