【課題】
溶融のタイミングが検知容易な種結晶を用いた半導体インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】
鋳型１の底部に半導体融液が結晶化する基となる種結晶１０を配設し、該種結晶１０上で鋳型１内壁全周に周縁部が当接するように熱緩衝部材９を配設する工程Ａと、鋳型１内で熱緩衝部材９上に、前記半導体融液を供給する工程Ｂと、熱緩衝部材９全体及び種結晶１０の少なくとも一部を溶融させ、該種結晶１０の溶融部位に前記半導体融液を結晶化させて半導体インゴットを形成する工程Ｃとを有する半導体インゴットの製造方法とする。 （もっと読む）

坩堝の底部への熱入力を減らし且つ抽熱を熱入力とは別個に制御するために、結晶が成長するときに、熱遮蔽部材を加熱部材と坩堝との間で制御された速度で上昇させることができる。他のステップとして坩堝を動かすステップが含まれ得るが、本発明においては、坩堝を動かす必要性を排除することができる。加熱部材の一部分のみを遮蔽することによって温度勾配が形成される。例えば、坩堝の底部への熱伝達を頂部よりも小さくするために、筒状部材の底部を遮蔽することができ、それによって、坩堝内に安定した温度勾配を生じさせることができる。
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【課題】ルツボ壁からの核形成によらず凝固成長を開始して、結晶粒径が大きく、ルツボ壁からの不純物による汚染が少なく、ルツボ壁からの応力・歪みの影響が少ないバルク結晶の作成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｉＧｅから選択された半導体の融液をルツボ中で融点近傍の温度に保持したあと、前記融液中に種結晶を浸漬するか、前記半導体の融液表面の中央付近に冷却用ガスを吹き付けるか、あるいは前記融液中に石英棒、炭素棒、炭化珪素棒、窒化珪素棒、金属棒のいずれか１つの棒を浸漬して核形成させ、そこから凝固成長を開始させることにより半導体バルク結晶を作製する。 （もっと読む）

化合物を化合、均質化、および圧密化する方法が提供される。一つの態様において、装入成分を制御された添加法で混合し、次いで新たに形成した化合物を加熱して完全に溶融させたのち、室温で急冷する。代替態様では、成分を、溶媒として作用する一つの成分が過剰にある状態で供給し、加熱してさらなる成分を溶解させたのち、溶媒を化合物から分離して、均質で圧密化した化合物を製造する。本明細書の方法は、CdTe、CdZnTeおよびZnTe化合物を製造するための経済的かつ迅速なプロセスを提供するために好都合に適用される。

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本発明は、合金クラスタによる半導体中の不純物の内部ゲッタリングに関する。具体的には、金属間化合物クラスタは、シリコン内に形成され、２種類以上の遷移金属を含むクラスタである。そのようなクラスタは、ホスト材料よりも低い溶融温度を有し、シリコンの不純物をゲッタリングして、分離された、より有害でない位置へ収集するのに特に有効であることが示される。合金クラスタのうちいくつかについての斬新な組成も説明される。
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【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】 1700〜1900℃の雰囲気温度において、Ｓｉと、Ｃと、第３の元素もしくはその化合物を含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、この接触部の温度を前記融液の温度よりも低い温度にして前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、前記第３の元素を選択することにより１５Ｒ、３Ｃ及び６Ｈのうち所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 不純物の局在的な分布を規定することにより、結像性能悪化に影響しない光学部材を提供する。
【解決手段】 光学装置の結晶性光学部材であって、その第一面および第二面において、少なくとも中心、外周部及びその中間の３点におけるアルカリ土類金属不純物濃度の最大値及び最小値をＣ_１，Ｃ_２としたときＣ_１／Ｃ_２の値が規定値以下である。上記Ｃ_１／Ｃ_２の値は、１．０５以下であり、結晶性光学部材は、フッ化物、特にフッ化カルシウムである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の結晶周辺部に発生した転位が結晶内部に蓄積することを低減した単結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】坩堝５内の原料を溶融し温度勾配を利用して前記原料の融液６を該融液の一端から順次に固化させて柱状の単結晶を成長させる単結晶製造方法において、前記坩堝５内の融液６中に前記一端の方向に凹面を向けた界面形状成形部材９を配置し、該界面形状成形部材９を結晶８と融液６との境界としての固液界面７に対して所定範囲内の距離ｄに保持しつつ前記界面形状成形部材と前記坩堝とを相対移動させながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】
単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供することである。
【解決手段】
加熱炉内に原料の入った坩堝本体を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ当該原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体の底部に形成した通孔から流下した原料融液を、坩堝本体下部において昇降テーブル上に搭載した種子結晶板の上面に接触させた状態で、昇降テーブルとともに種子結晶板を下降させることによって結晶を成長させる結晶製造装置であって、
原料を融解させて原料融液を生成するための原料融解槽と、
この原料融解槽に原料を供給する原料供給手段と、
当該原料融解槽内の原料融液を前記坩堝本体内に導入する原料融液導入手段と、
坩堝本体下部において昇降テーブルとともに種子結晶板を下降させるエリアを温度調整する温度管理手段とを有する、
ことを特徴とする結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】 成長初期から高品質のIII族窒化物結晶を成長させることが可能であり、さらには、従来よりも大型かつ高品質のIII族窒化物結晶を成長させることの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液２５からIII族窒化物結晶を成長させるときに、窒素原料を融液２５外から融液２５中に溶解してIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法であって、融液２５中に溶解している窒素濃度を飽和濃度以上にする工程を行った後に、III族窒化物２６の結晶成長を開始させる。 （もっと読む）

【課題】 粒状結晶シリコンを製造する場合において、不純物濃度の低い粒状シリコンを安定して作製すると同時に、高い結晶性をもった粒子を低コストで製造することを目的とする。
【解決手段】 結晶材料の融液５を排出する坩堝１を高周波により加熱することにより、短時間に結晶材料の加熱を行なって融液５とし、融液５と坩堝１の構成部材との反応を抑えることで、得られる粒状結晶中の不純物濃度が低減可能であり、粒状結晶の結晶品質を向上することができる。また、その落下時の雰囲気となるガスを加熱することにより落下中の粒状の融液を加熱および冷却することによって、同じく粒状結晶の結晶品質の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 生産性が高く、高品質な粒状結晶を低コストで製造できる粒状結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル孔１ａから結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液４を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶５を製造する粒状結晶の製造方法において、結晶材料を加熱しつつ坩堝１の温度を測定し、この温度が結晶材料の融点以上まで上昇し、融点以上で一定温度に維持された後、再び上昇するときに、結晶材料を加熱するために供給するエネルギーを減少させることによって、融液の温度上昇を抑えるので、結晶材料への不純物の溶出を抑制でき、測定温度が再び上昇するときに、融液に圧力を加えて排出を開始する際には、融液の温度を融点付近に維持して排出できるので、粒状の融液４の凝固過程を安定して再現できることから、高い生産性でもって再現性よく高品質の粒状結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 フラックス法などのように、アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境下で使用される場合にも、劣化の少ない熱電対及び反応系及び結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境で使用される場合にも熱電対芯線１０１が窒化することを抑制するシース１０２が、熱電対芯線１０１の外側に設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

高純度ガリウムと高純度アンモニアとを制御条件下で管状反応器内において化合させることにより、高品質のＧａＮ粉末を生成する方法。制御条件下におけるアンモニアとガリウムの反応は多孔性ガリウム溶融物を生成するとともに、完全な反応をもたらし、化学量論的窒素濃度および六方晶系ウルツ鋼型構造を備えた高純度結晶性ＧａＮ粉末を生じる。 （もっと読む）

【課題】 ルツボ降下法において、結晶成長界面の位置をほぼ一定に維持して単結晶を安定して成長させることにより、高品質な単結晶を安定して得ることが可能な単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 高温側炉室４と低温側炉室５とに鉛直方向に２室に分離する仕切り部６に相当する位置に配置されている温度測定手段と、第１及び第２のヒーター８，９とに電気的に接続されている制御手段２を備えており、前記温度測定手段が、前記仕切り部６内の所定の高さ位置におけるルツボ１３の側面温度を測定し、前記制御手段が、得られた測定値に基づいて前記所定の高さ位置におけるルツボ１３の側面温度が一定となるように前記第１及び／又は第２のヒーターを制御することによって、結晶成長界面の高さ方向の位置が一定となるように制御しつつ単結晶２０を得る。 （もっと読む）

【課題】 溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の成長方法において、多結晶ＳｉＣの生成抑制と種結晶上への高品質のＳｉＣ単結晶の成長促進とを両立させる。
【解決手段】 ＳｉとＣと場合によりさらにＴｉまたはＭｎを含み、ＳｉＣが溶解している坩堝２内の融液１に、昇降可能なシード軸３に保持されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶４を浸漬し、この種結晶上にＳｉＣ単結晶層を成長させる際に、坩堝内の融液上の自由空間に断熱性構造物20を配置して、融液自由表面の面内温度差が40℃以下となるようにする。シード軸の少なくとも一部の側面を断熱するか、および／またはシード軸の少なくとも一部を強制冷却して、シード軸からの抜熱を強化すると、結晶成長速度はさらに増大する。 （もっと読む）

【課題】 III属窒化物単結晶の下地膜を形成したテンプレート上にIII属窒化物単結晶を育成するのに際して、下地膜のフラックスへの溶解を防止し、良質のIII属窒化物単結晶を安定して育成可能な方法を提供する。
【解決手段】 表面にIII属窒化物単結晶の下地膜６が形成された基板５上に、ナトリウム金属を含むフラックス２を使用してIII属窒化物単結晶を育成する際に、III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストで、高品質，大型のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液２４からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物２６の（０００１）面、あるいは、｛１０−１１｝面、あるいは、（０００１）面と｛１０−１１｝面とが混在した面で概ね覆われた領域から、（０００−１）面を成長面とするIII族窒化物結晶２７を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】融液の温度を単結晶の長手方向と平行した軸(X)に沿って測定する際、固液界面から単結晶と離れるほど融液の温度が徐々に上昇して最高点(H)に到達してから、融液の底部側に行くほど温度は徐々に下降するとともに、固液界面から最高点(H)までの上昇する融液温度の傾き(ΔTi)が最高点(H)から融液の底部までの下降する融液温度の傾き(ΔTd)より大きい状態、すなわち、ΔTi>ΔTdの条件を維持しながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）