【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーの先端に取り付けられた種結晶を石英ガラスルツボ内のシリコン融液に着液させると共に、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ１を印加しながらその電圧の変化を監視することで種結晶の着液状態を検出する工程Ｓ１３、Ｓ１４と、その後の温度調整期間Ｓ１５において、ルツボ側をプラス極、ワイヤー側をマイナス極とする電圧Ｖ２を印加することで石英ガラスルツボの内表面を失透させる工程と、温度調整期間Ｓ１５の終了後、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ３を印加しながら種結晶を徐々に引き上げることによりシリコン単結晶を成長させる工程Ｓ１６〜Ｓ２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】塊状の固体原料が坩堝に投入されるときに発生するスプラッシュを抑制するとともに、発生したスプラッシュの飛散を抑制することができる固体原料投入装置を提供する。また前記固体原料投入装置を含んで構成される融液原料供給装置および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】塊状の固体原料４を副坩堝２１の開口に向けて案内して供給する案内部材１と、固体原料４を案内部材１に供給する固体原料供給手段３と、飛散防止部材２とを含む固体原料投入装置１０とする。また固体原料投入装置１０を備える融液原料供給装置２０および結晶製造装置とする。 （もっと読む）

本発明は太陽電池級シリコンを含む、半導体級シリコンの鋳塊を生産するための装置および方法に関し、溶解および結晶化工程の加熱ゾーン内において酸素欠如材料を採用することによって、加熱ゾーン内の酸素の存在がほとんど減少されまたは排除されている。方法は、単結晶のシリコン結晶を成長させるためのブリッジマン法、ブロックキャスティング法、およびＣＺ工程のような、太陽電池級シリコン鋳塊を含んだ半導体級シリコン鋳塊の結晶化を含んだ任意の公知の工程に採用されてもよい。本発明は溶解工程および結晶化工程を実施するための装置にも関し、加熱ゾーンの材料は酸素欠如材料である。
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シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを作るための装置および製造方法。この装置は、底部(２)および側壁(３)を有したるつぼ(１)を備える。このるつぼ(１)は、側壁(３)の底部に水平に配置された少なくとも一つの横方向スリット(４)を有している。横方向スリット(４)は、５０ｍｍより大きく、好ましくは１００ｍｍ〜５００ｍｍの幅を具備する。スリット(４)の高さ（Ｈ）は、５０〜１０００マイクロメートルである。結晶性物質は、横方向スリット(４)を介してるつぼから取り出されて結晶リボン(Ｒ)を形成する。この方法は、横方向スリット(４)から取り出される材料に種結晶(１３)を接触させる段階、およびリボン(Ｒ)を水平移動させる段階(１４)を含む。
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ルツボに隣接して該ルツボを加熱する側方ヒータ、及びメルトの表面近くに配されてインゴットを包囲する寸法及び形状を有するメルト熱交換器を有する単結晶インゴットを成長させるための結晶引上げ装置を提供する。前記熱交換器は、メルトの上側表面での熱伝達を制御するための、メルトに熱を輻射する所定の面積の熱源を有している。メルト熱交換器は、露出する上側表面部分の熱損失を減らすように適応している。所望の欠陥特性を有する単結晶シリコンインゴットを成長させるための方法も開示する。
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