【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】サファイア融液２１を保持するモリブデンルツボ１４と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げる引き上げ機構１９と、モリブデンルツボ１４を囲繞し、軸方向に分割された上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂからなる抵抗加熱ヒーター１５と、上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂの出力をそれぞれ制御するコントローラ２３とを備える。本発明によれば、モリブデンルツボ１４にかかる熱負荷を微調整することができるため、難溶解物の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成長する単結晶に熱を供給するためのリング形状の抵抗ヒータを提供する。
【解決手段】抵抗ヒータは、上部リング１と下部リング２とを含み、上部リング１と下部リング２とは、これらのリングを通って導電される電流の流れ方向がこれらのリングにおいて反対であるように、下部リング２のリングギャップに隣接するループ部により電気的に導電的に接続される。上記抵抗ヒータはさらに、上部リング１と下部リング２とをある距離にて一緒に保持する接続要素１８と、上部リング１および下部リング２を通って電流を導電するための電流リード１１，１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性を確保することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３とそれを加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、メインチャンバー２の底部に設置されルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する湯漏れ受皿８とを具備する単結晶育成装置１であって、ルツボ３と湯漏れ受皿８との間に設置され、ルツボ３から漏れてきた湯漏れ融液１７を誘導して湯漏れ受皿８へ落下させるための誘導構造を有する下部誘導部材４を有し、湯漏れ受皿８は、湯漏れ受皿８内の空間に充填された受皿充填断熱材１６を有し、受皿充填断熱材１６の容積は、ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、受皿充填断熱材１６は、下部誘導部材４で誘導された湯漏れ融液１７が落下する位置に、落下した湯漏れ融液１７を湯漏れ受皿８の下部に導くための誘導路１６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化（ＳｉＣ化）による問題を回避することが可能なルツボ装置、該ルツボ装置用加熱装置及び、それら装置で構成される単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ装置１は、ルツボ装置３と、加熱装置１０とを備える。ルツボ装置３は、石英ルツボ５と、石英ルツボ５を下部で保持する黒鉛製受け皿６とから構成される。石英ルツボ５は、直胴部５ｃと底部５ａと該底部５ａから該直胴部５ｃに連なる曲面状部分５ｂとからなる。加熱装置１０は、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置されるヒータ１０と、ルツボ装置３とヒータ１１との間に介在され、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置される円筒状の炭素質材から成る介在部材１２とを備える。介在部材１２は、石英ルツボ５と微小隙間Ｍをあけて配置されている。 （もっと読む）

【課題】るつぼの外表面の溶融やるつぼからの原料融液のあふれを発生から短い時間において検出できる単結晶引き上げ装置等を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、アルミナ融液３００を保持するるつぼ２０を取り囲むように設けられ、るつぼ２０を壁部２２から加熱する上部ヒータ３０と、るつぼ２０の下方に設けられ、るつぼ２０を鉛直方向に投影した像の内側にあって、底部２１に対向する対向部と、るつぼ２０を鉛直方向に投影した像の外側にはみ出した周辺部とを備え、るつぼ２０を底部２１から加熱する下部ヒータ３５と、アルミナ融液３００からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、下部ヒータ３５に流れる電流または電圧を計測する計測部９６と、計測部９６の計測した電流または電圧に基づいて、るつぼ２０から下部ヒータ３５上への落下物の有無を判断する判断部９７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】メインチャンバーの構造の複雑化および設備コストの増大を抑制しつつ、るつぼ内に投入した単結晶原料をるつぼ上方から直接加熱することが可能な単結晶原料の溶融装置を提供する。
【解決手段】移動機構を有する本体部と、単結晶製造装置のメインチャンバーのゲートバルブに連結される下部開口端と、上部閉止端とを有する筒状体と、本体部に設けられ、下部開口端とゲートバルブとが連結する連結位置と、下部開口端とゲートバルブとが上下に離間した解除位置との間で筒状体を上下に昇降させる筒状体昇降機構と、筒状体の内部から下方に突出してるつぼ内の単結晶原料を加熱するヒーターと、本体部に設けられ、筒状体内の収容位置と、下部開口端よりも下方の単結晶原料加熱位置との間でヒーターを上下に昇降させるヒーター昇降機構と、ヒーターへ電力を供給する電力供給源との接続部とを備えることを特徴とする単結晶原料の溶融装置である。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】単結晶におけるピンホール欠陥の形成を妨げ、単結晶を引き上げる工程の際に有効である少なくとも１つの手段を含む方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを製造するための方法であって、るつぼ４内で加熱された溶融物から種結晶で単結晶８を引き上げるステップと、ある加熱パワーでるつぼ底部の中央に熱を与えるステップとを備え、単結晶８の円筒部分が引き上げられる過程において、加熱パワーは少なくとも１回２ｋＷ以上に上げられ、次に再び下げられ、さらに引き上げられた単結晶８から半導体ウェハを切断するステップを備える。 （もっと読む）

【課題】固形原料の融解に要す時間を短縮でき、操業効率の向上を十分に実現できる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】引き上げ装置は、ルツボ２内の固形原料９を加熱して融解させ原料融液１０を形成するヒータ４と、ルツボ２の上方で引き上げ中の単結晶１１を包囲する筒状の熱遮蔽体８と、熱遮蔽体８の直上に配置され、水平方向に互いに接近および離間するスライド移動が可能な一対の断熱板１２と、これらを収容するチャンバ１と、を備え、ルツボ２内で初期チャージの固形原料９を融解させる際、各断熱板１２をスライド移動させて断熱板１２全体で熱遮蔽体８の内側開口を被う状態にし、融解完了後に単結晶１１を育成する際、各断熱板１２をスライド移動により退避させた状態にする構成である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＴｅ等の化合物半導体単結晶の製造において、歩留まりの向上及びウェハとしたときの面内均一性の向上を図ることができるヒータ、結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱により発熱する円筒状の発熱部１０１と、この発熱部１０１の外周面下部の対向する２箇所から突出形成された脚部１０２とを備えたヒータ１０において、電極棒が接続される端子部１０２ａと、この端子部１０２ａと発熱部を接続する接続部１０２ｂとで脚部１０２を構成し、接続部１０２ｂの厚さを１０ｍｍ以下、幅を２０ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】転移が突然形成されたり、溶融シリコンはその時点まで成長した単結晶の側部において流出することがなく、歩留まりの高いシリコン単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】第１の誘導加熱コイル２によって、成長する単結晶と、シリコンから成る円錐状の管部分１の下端部との間に、溶融したシリコンの第１の体積９を形成し、プレート３の上方に配置された第２の誘導加熱コイル７によって、溶融したシリコンの第２の体積１０を形成し、溶融したシリコンの第２の体積１０のための通過開口が形成される程度まで管部分１の下端部を溶融させ、通過開口が、溶融したシリコンの第２の体積１０がまだ存在しないか又は溶融したシリコンの第１の体積９の２倍よりも少ない時点で形成され、第１及び第２の体積９，１０から溶融したシリコンを消費することによって、成長する単結晶にモノクリスタルシリコンを結晶させる。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】ヒータの変形を抑制して、熱効率の悪化の無い単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、該ルツボが囲繞される円筒状発熱部１４を有するヒータ１３と、該ヒータ１３を格納するメインチャンバーと、前記ヒータ１３を支持して電流を供給するヒータ電極１１と、前記ヒータ１３の円筒状発熱部１４の下方に配置される断熱板１０とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶製造装置であって、前記断熱板１０が前記ヒータ電極１１に絶縁性固定部材１６を介して固定支持され、前記断熱板１０の上面の前記円筒状発熱部１４の下端に対応する位置に絶縁性支持部材２３が配置されたものである単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】直径の効果的な制御を維持しつつ、同時に、ＦＰＤｓ又はＬｐｉｔｓのような不都合な欠陥の形成を確実に回避できるようにする。
【解決手段】直径が一定の区分を備えたシリコンから成る単結晶を引上げるための方法であって、
予め規定された目標引上げ速度ｖ_ｐ［ｍｍ／ｍｉｎ］で単結晶を引上げ、
単結晶と、単結晶に隣接する融液の領域に熱を供給する、融液の上方に配置された第１の熱源の熱出力を、（２×１８ｍｍ）／ｖ_ｐよりも長くない一定の期間Ｔで直径変動が修正されるように制御することにより、直径が一定の区分における単結晶の直径を予め規定された目標直径に制御する。 （もっと読む）

本発明は、固有るつぼを用いて半導体材料からＦＺ法による材料特性を有する単結晶を製造する方法および装置に関する。この方法により、公知の方法の典型的な欠点を解消するのが望ましい。チョクラルスキー法では、るつぼにより融解物ひいては結晶が汚染され得る。ペデスタル法では、引き上げられる単結晶は、常に、用いられる素材棒よりも小さな直径を有している。本発明によれば、単結晶（６）が、誘導体（４）の中央開口（５）を通って引き上げられ、誘導体は、平らなディスクとして構成され、高周波磁界透過性の容器（１）内に存在する半導体材料（２）から成る粒状の堆積物の上側に配置されている。誘導体（４）は、追加的な開口を備えており、開口を通って再充填装置（１０）を介して半導体材料が再充填可能である。粒状の半導体材料は、溶融池（７）のための容器としていわゆる「固有るつぼ」を形成する。溶融池（７）の大きさは、溶融池の上側に配置される誘導体（４）によりコントロールされる。溶融池（７）が中央で結晶化相境界の下側で大きな結晶直径にとって十分な深さを有するために、追加的な誘導加熱装置（８，９）が設けられている。誘導加熱装置（８，９）は、好適には複数巻きのコイルとして構成されており、その巻体は、容器の周りに配置されている。この方法を実施するための装置が提案される。
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【課題】径方向全域にわたりＯＳＦおよびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中の単結晶を囲繞する水冷体１１と、この水冷体１１の外周面および下端面を包囲する熱遮蔽体１０と、上下に分割されてルツボを囲繞する上側ヒータ４ａおよび下側ヒータ４ｂとを配置し、各ヒータ４ａ、４ｂの出力を調整してルツボ底中心部での融液温度を１４９０℃以下に制御しつつ、原料融液９に横磁場を印加しながら、単結晶８の温度が融点から１３００℃までの範囲にて、引き上げ軸方向の温度勾配を単結晶中心部ではＧｃ、外周部ではＧｅとするとき、Ｇｃ／Ｇｅ＞１を満足する条件で引き上げを行う。これにより、径方向全域で無欠陥領域となる引き上げ速度の許容範囲が拡大し、径方向全域にわたり無欠陥領域となる単結晶８を歩留り良く安定して育成できる。 （もっと読む）

【課題】LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶６の製造装置であって、ルツボ９を収容するサセプタ１０を加熱するヒータ４、１２とサセプタ１０を回転させる回転機構とを少なくとも具備し、回転機構は、サセプタ１０を支持するリング状支持部材１４と、リング状支持部材１４を回転自在に保持するリング状架台１９と、リング状支持部材１４を回転駆動するための回転軸１１とを具備し、ヒータ１２がサセプタ１０の底面に対して鉛直方向下方の位置でかつ底面の略全体と対向するように配設されている。 （もっと読む）

【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置１において、成長軸方向の上下２つに分割された下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンＳを成長させることができる。単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を８ｒｐｍ以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。 （もっと読む）