【課題】成長する単結晶に熱を供給するためのリング形状の抵抗ヒータを提供する。
【解決手段】抵抗ヒータは、上部リング１と下部リング２とを含み、上部リング１と下部リング２とは、これらのリングを通って導電される電流の流れ方向がこれらのリングにおいて反対であるように、下部リング２のリングギャップに隣接するループ部により電気的に導電的に接続される。上記抵抗ヒータはさらに、上部リング１と下部リング２とをある距離にて一緒に保持する接続要素１８と、上部リング１および下部リング２を通って電流を導電するための電流リード１１，１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＴｅ等の化合物半導体単結晶の製造において、歩留まりの向上及びウェハとしたときの面内均一性の向上を図ることができるヒータ、結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱により発熱する円筒状の発熱部１０１と、この発熱部１０１の外周面下部の対向する２箇所から突出形成された脚部１０２とを備えたヒータ１０において、電極棒が接続される端子部１０２ａと、この端子部１０２ａと発熱部を接続する接続部１０２ｂとで脚部１０２を構成し、接続部１０２ｂの厚さを１０ｍｍ以下、幅を２０ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータの寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な単結晶半導体を製出可能である単結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶半導体を成長させる単結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をカーボンヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記半導体融液に浸漬したシードを引き上げ、単結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】引き上げ法を用いたサファイア単結晶の製造において、るつぼ内に残存するアルミナの融液の固化に起因するるつぼの変形を抑制する。
【解決手段】サファイアインゴットの引き上げに用いられ、その原料となるアルミナ融液を収容するるつぼ２０は、円形状を有する底部２１と底部２１の周縁から立ち上がる円筒状の壁部２２とを備えており、底部２１の厚さである底部厚さＴｂが、壁部２２の厚さである壁部厚さＴｗよりも厚くなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】引き上げによって得られる単結晶における残留応力を低減することができる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】底部２１および底部２１の周縁から立ち上がる壁部２２を有し、アルミナ融液を収容するるつぼ２０と、るつぼ２０の壁部２２の外側に巻き回され、交流電流の供給によって壁部２２を誘導加熱する加熱コイル３０と、るつぼ２０の上方に配置され、るつぼ２０に収容されるアルミナ融液からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、るつぼ２０の底部２１の下方であって引き上げ棒４０にて引き上げられるサファイアインゴット２００の下方且つ内側に配置され、加熱コイル３０によって誘導加熱されることによりるつぼ２０の底部２１の中央部を加熱する筒状ヒータ１６とを含む単結晶引き上げ装置。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝を加熱する円筒状ヒータ部３と円盤状ヒータ部４を有するカーボン製ヒータ30と、坩堝が保温される断熱空間室６と、断熱空間室の底面部60に設けられた絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されカーボン製ヒータに接続されて電力を供給するヒータ電極５を備え、サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、断熱空間室の底面部60を構成する断熱材料の厚さが９０ｍｍ以上、断熱空間室の底面部表面から円盤状ヒータ部４下端までの距離が１０ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶の結晶欠陥を効率的に制御することができる単結晶製造用上部ヒーター、および、その単結晶製造用上部ヒーターを用いて、結晶欠陥を効率的に制御し、また、酸素濃度の制御性を向上して、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、電流が供給される電極と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容するルツボを囲繞するように配置される黒鉛ヒーターの上部に配置される上部ヒーターであって、発熱部は、リング状でルツボを囲繞するように配置され、発熱部の内側および外側から、それぞれ水平方向にスリットが形成されたものであることを特徴とする単結晶製造用上部ヒーターである。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が極めて少なく、高品質で高歩留まりなシリコン単結晶、シリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶３であって、シリコン単結晶３の内部にＣｕ析出物が存在しないシリコン単結晶３、及びシリコン単結晶３から製造されたシリコンウェーハであって、ウェーハの表面及び内部にＣｕ析出物が存在しないシリコンウェーハ、並びにＣＺ法によるシリコン単結晶３の製造装置３０であって、単結晶育成炉内温度が１０００℃以上の部分で使用する石英製部品５のＣｕ濃度が１ｐｐｂ以下であり、且つ単結晶育成炉内温度が１０００℃未満の部分で使用する石英製部品１５，２１のＣｕ濃度が１０ｐｐｂ以下であるシリコン単結晶３の製造装置３０、及び製造装置３０を用いてシリコン単結晶３を育成するシリコン単結晶３の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】常温のガスが炉内に入り、一時的にヒータ内周囲に較べヒータ外周囲の雰囲気ガスが温度低下しても、これに敏感に反応しない熱電対及び半導体結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＣ法による半導体結晶製造装置において、耐圧容器３０内に配置され原料融液を収容するルツボ５４の外周に該ルツボを囲んで設けられた円筒形のヒータ３８と、前記ヒータの内部に設けられた熱電対４０と、前記熱電対により計測される実測温度に基づいて前記ヒータ３８の温度を制御する温度制御系４１とを有する構成とする。 （もっと読む）

波長が短く空間分解能が高い紫外線、特に、波長３００ｎｍ以下の深紫外線や波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を容易かつ安定して発生することのできる光源を構成するために用いることを可能にしたフッ化物単結晶の製造方法および波長変換素子を提供する。チョクラルスキー法により結晶成長させて製造するフッ化物単結晶の製造方法において、結晶成長の際の雰囲気ガスとして、ＣＦ_４ガス、Ａｒガス、ＡｒガスとＣＦ_４ガスとの混合ガスまたはＮ_２ガスのいずれかを用いる。また、分極反転により疑似位相整合を生じる。
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