【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下地板を用いた薄板の製造において、下地板を融液から引き上げるときの薄板の剥がれおよび割れを防止する。
【解決手段】主面１１０と、主面１１０を取り囲む側面とを有する下地板１００が準備される。側面は、先端部１２１と、先端部１２１につながる側方部１３１と、先端部１２１に対向する後端部１４１とを有する。後端部１４１は側方部１３１に後端角部１５１を介してつながっている。後端角部１５１は、側方部１３１と後端部１４１との間の角が面取りされた部分である。次に、薄板の材料の融液中に主面１１０を浸漬することによって、主面１１０上に薄板が成長させられる。そして、融液から先端部１２１を引き上げた後に後端部１４１を引き上げることによって、融液から主面１１０が取り出される。融液から取り出された主面１１０から薄板が取り外される。 （もっと読む）

【課題】実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶は、ｃ軸の長さＬが９ｍｍ以上であり、ｃ軸と垂直な断面の結晶径ｄが１００μｍ以上であり、ｃ軸の長さＬと、ｃ軸と垂直な断面の結晶径ｄの比Ｌ／ｄが７以上であることを特徴とする。この長尺の針状結晶を肥大化させることにより体積の大きなバルク結晶を製造することが可能となり、実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填したチャンバ１内において、長手方向に延長した保持炉３に半導体の溶融体５を保持し、前記保持炉３の上方からウエハ基板となる金属テープ２を所定の速度で供給し、下降させて供給し、前記シリコン溶融体５上面に接触させ、前記テープ２の少なくとも１面に前記半導体を凝固付着させ、該テープ２を上方に引上げ、基板で補強されたウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】径が数ｍｍ以上である面積が大きい単結晶炭化ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素の表面の少なくとも一部に、３Ｃ型結晶構造のＳｉＣから実質的になり、ＣとＳｉとのモル濃度比（Ｃ／Ｓｉ）が１超である黒色層が形成された黒色多結晶炭化ケイ素を２以上用い、または、前記黒色多結晶炭化ケイ素と、表面に前記黒色層が形成されていない部分を有する多結晶炭化ケイ素である黄色多結晶炭化ケイ素とを用い、一方を下、他方を上として各々の板状の部分が密着するように重ね、１５００〜２３００℃に加熱することにより、液状シリコンを介して、前記２枚の前記黒色多結晶炭化ケイ素基板の隙間、または前記黄色多結晶炭化ケイ素基板と前記黒色多結晶炭化ケイ素基板との隙間に単結晶炭化ケイ素を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体融液に板状半導体製造用下地板を浸漬し作製した板状半導体において、板状半導体作製時の割れを減少させ、板状半導体の反りを小さくする方法を提供する。
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。
【解決手段】種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。この種結晶１４のａ面である側面に、Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体をａ軸方向に結晶成長させる。これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるｃ面基板１８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】平均転位密度が低く結晶性が高いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａの｛０００１｝面１０ｃに対する主面のオフ角θが０．５°≦θ≦１０．０°の範囲にある下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０の主面１０ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒１３に窒素含有ガス１５を溶解させた溶液１７を接触させて、主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。また、ＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程において、溶液１７の表面１７ｍに対する下地基板１０の主面１０ｍの傾斜角φがθ≦φ≦θ＋２６．５°の範囲となるように下地基板１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。基板９は、スリット３１が、溶融原料への浸漬方向に対して直交するように保持される。基板９の前方部が溶融原料に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ０．５ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス、光学デバイス用基板材料として好適な炭化珪素単結晶の溶液成長法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ金属またはＳｉ−Ｍ合金（ＭはＳｉ以外の１種類以上の金属）の融液を溶媒とし、炭素を溶解させたＳｉＣ溶液１に、｛０００１｝面から傾斜した結晶面を有するＳｉＣ種結晶基板４を浸漬し、温度勾配が５℃／ｃｍ以下の温度勾配法、または冷却速度が０.０５℃／分以上、１℃／分以下の徐冷法により、少なくとも基板近傍を過冷却により過飽和状態とすることによって該基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる。結晶成長時の成長界面の面内温度分布における最大温度差が２℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷のような低コストプロセスが適用可能で、かつ高いセル効率を得ることができる、低価格の板状シリコン、その製造方法、下地板および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン融液に下地板１を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させるための下地板の加工部材であって、凹凸形状部３を下地板上に形成可能な刃７を有する直線加工部材６を用いて、下地板１の頂部表面を６０°の角度を付けられた２つの直線状に切削することにより、凹凸形状部を形成することができる。例えば、互いに６０度の角をなす２方向（α１，β１方向）への直線状加工を行うことで作製した下地板１の凸部４の形状は四角錐となり、前記２方向（α１，β１）と互いに６０度の角をなす方向（γ１）にも直線状加工を施すことで、六角錐形状の凸部４を持つ下地板１が作製可能である。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程を備え、下地基板１０は一主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含みかつ主面１０ｍがＩＩＩ族窒化物結晶の｛１−１００｝面１０ｃに対して０．１°以上１０°以下の傾き角を有し、下地基板１０の主面１０ｍにＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、下地基板１０の主面１０ｍ上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２０をエピタキシャル成長させる工程をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含み、主面１０ｍがＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａの｛１−１００｝面１０ｃに対して０．５°以上１０°以下の傾き角を有する下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを備え、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長の際に、ＩＩＩ族窒化物結晶２０に残留する転位の少なくとも一部が、｛１−１００｝面１０ｃに対して実質的に平行な方向に伝搬して、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の外周部に排出される。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、結晶基板の反りや粒界生成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】融液中で針状種結晶９の側面９ａから単結晶１０を成長させる。好ましくは、針状種結晶９が窒化物単結晶からなる。また、好ましくは、育成される窒化物単結晶１０のｃ軸が針状種結晶９の主軸Ｘと略平行となるように単結晶を育成する。好適な実施形態においては、針状種結晶９の主軸Ｘが窒化物単結晶基板の法線と平行になるように、基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】バリの落下による基板搬送の能率低減を軽減するとともに、薄板の生産効率を向上する薄板製造用基板、薄板製造装置、および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】融液に表面を浸漬し、表面に融液が凝固することにより薄板を形成する薄板製造用基板１０は、本体部１と、バリ受け部２とを備え、本体部１は、表面６を含む。バリ受け部２は、本体部１の表面６以外の面と接続され、表面６側から見た本体部１の外縁より外側に延在するバリ受け部２とを備えている。 （もっと読む）