【課題】長尺の炭化ケイ素単結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】原料粉加熱コイル３及び成長部加熱コイル４それぞれにインバータユニットを接続して高周波電流量を独立に制御しながら炭化ケイ素単結晶１５を成長させるにあたり、原料粉加熱コイル３と成長部加熱コイル４には共に２０ｋＨｚの高周波電流を流す一方で、各インバータユニットとコイルの間に逆結合トランスを設けることにより、原料粉加熱コイル３と成長部加熱コイル４間の相互誘導電圧を低減し、原料粉加熱コイル３と成長部加熱コイル４間での電磁場の干渉を防止する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で成長結晶が昇華することを効果的に抑制可能であり、また成長結晶の冷却後に該成長結晶にクラック等が生じることをも効果的に抑制可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造装置１は、原料４にレーザ光を照射することで原料を昇華させることが可能なレーザ光源６と、レーザ光源６から出射されるレーザ光を透過させて容器内部に導入可能なレーザ導入窓５を有し、昇華した原料を再結晶化させる下地基板３を保持可能な反応容器２と、下地基板３を加熱することが可能なヒータ７とを備える。反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有する下地基板１１と、裏面１１ｂに形成された第１の層１２と、第１の層１２に形成された第２の層１３とを備えた積層基板１０が準備される。そして、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。第１の層１１ａは、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなる。第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量が低い炭化ケイ素単結晶を安価に製造し、且つ、炭化ケイ素原料を高密度に充填し、且つ、炭化ケイ素単結晶の成長を安定的に制御する。
【解決手段】低窒素フェノールをプリカーサー法により合成することにより製造されたホウ素含有量が０．５ｐｐｍ以下又は窒素含有量が１０ｐｐｍ以下のα型炭化ケイ素粉末を炭化ケイ素原料２として開口部を有する坩堝３の内部に供給し、種結晶４と炭化ケイ素原料２とが対向するように裏面に種結晶４が取り付けられた蓋体５により坩堝３の開口部を覆い、坩堝３を加熱炉７内に配置し、不活性ガス雰囲気下で坩堝３を加熱することにより、炭化ケイ素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】大型で高品質のＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法は、結晶径Ｄｍｍと厚さＴｍｍとがＴ＜０．００３Ｄ＋０．１５の関係を満たすＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｙ≦１）種結晶４を準備する工程と、昇華法によりＡｌ_yＧａ_1-yＮ種結晶４の主表面４ｍ上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下であり、昇華法による単結晶育成条件下で比表面積の大幅な減少を起こすことがない、安定した昇華速度を示す粒径を有する炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する
【解決手段】高純度のケイ素源、酸素を分子内に含有し加熱により炭素を残留する炭素源としての高純度有機化合物を均質に混合して得られた混合物を、非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素粉体生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を、１７００℃以上２０００℃未満の温度に保持し、上述の保持温度で保持中に、２１００℃〜２５００℃の温度において熱処理を行う熱処理工程とを含み、上述の炭化ケイ素粉体生成工程及び上述の熱処理工程を行うことにより、平均粒径が１００μｍ〜３００μｍ、各不純物元素の含有量が０．１ｐｐｍ以下の炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶中にドナー型の不純物を濃度2×10¹⁸cm^-3以上6×10²⁰cm^-3以下、且つアクセプター型の不純物を濃度1×10¹⁸cm^-3以上5.99×10²⁰cm^-3以下含有し、さらに前記ドナー型の不純物濃度がアクセプター型の不純物濃度より大きく、その差が1×10¹⁸cm^-3以上5.99×10²⁰cm^-3以下とすることにより、抵抗率が低く、且つ基底面転位密度の小さなSiC単結晶インゴットを製造することができる。このようなSiC単結晶から切り出した基板及びエピタキシャルウェハを用いれば、電気的特性の優れた高周波・高耐圧電子デバイス、光学的特性の優れた青色発光素子の製作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、原料１３からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部１１０を内部に含むチャンバー１０１が準備される。そして、チャンバー１０１内において、熱遮蔽部１１０に対して一方側に原料１３が配置される。そして、原料１３を加熱することにより昇華させて、チャンバー１０１内の熱遮蔽部１１０に対して他方側に、原料ガスを析出させることによりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１５が成長される。 （もっと読む）

【課題】種結晶に到達する前に析出した微粒子が種結晶に付着することを防いで、種結晶上に成長する結晶品位を劣化させることなく、良質な単結晶を成長させることが可能な化合物半導体結晶の成長方法及び単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶の原料１２を保持した原料保持部１４と化合物半導体の種結晶１３を保持した種結晶保持部１５とを有する実質的に密閉された容器１１と、容器１１を、種結晶保持部１５よりも原料保持部１４が高温になるように加熱する加熱手段とを有する単結晶製造装置１０において、容器１１は、原料保持部１４と種結晶保持部１５とが略水平に配置され、且つ原料保持部１４と種結晶保持部１５との間隔Ｌが、原料ガス移動方向に対して断面方向に見た容器１１の幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】短波長領域での発光素子として有用なＡｌＧａＮ系混晶半導体薄膜のエピタキシャル成長用基板材料に適した窒化アルミニウム結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】昇華法による窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶の成長方法であって、ｃ軸に垂直な方向から３５度の角度範囲でＡｌＮ結晶が成長するような種結晶を用いることを特徴とし、上記ＡｌＮ結晶の成長方向として、ａ軸方向、ｍ軸方向およびｒ軸方向が挙げられる。成長したＡｌＮのバルク結晶から、その成長方向に垂直な方向に基板を切り出すことにより、ｃ軸に対し垂直な方位を主面とする円形状のＡｌＮ基板を効率良く得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】大口径の厚いＡｌＮ結晶を安定して成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＡｌＮ結晶の成長方法は、１０００μｍ以上のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０ｃｍ^-2でありかつ１００μｍ以上１０００μｍ未満のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０．１ｃｍ^-2以下である主面４ｍを有するＳｉＣ基板４を準備する工程と、気相法により主面４ｍ上にＡｌＮ結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止することにより、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する下地基板１１の裏面１１ｂを覆うように保護層１２が形成される。そして、下地基板１１の裏面１１ｂが保護層１２で覆われた状態で、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。保護層１２は、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなり、かつ２００μｍを超えて１０ｃｍ以下の厚さＨを有している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】容器１を、一面が開口した中空形状の本体１ａと、本体１ａの開口する一面側に配置される蓋材１ｂと、ＳｉＣ単結晶基板３が配置される台座５とを備える構造を有する昇華再結晶法におけるＳｉＣ単結晶の製造装置において、、蓋材１ｂと台座５とを別部材で構成すると共に、台座５を３層以上の多層構造にて構成し、第１〜第３黒鉛部材５ａ〜５ｃの熱膨張係数βの平均値をＳｉＣ単結晶基板３の熱膨張係数βと同等にすることにより、台座５にＳｉＣ単結晶基板３を貼り付けるような構造であっても、ＳｉＣと黒鉛との熱膨張係数の相違によってＳｉＣ単結晶基板３および成長したＳｉＣ単結晶４に熱応力が発生することを抑制でき、ＳｉＣ単結晶４中に結晶欠陥が発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶を高品質で効率良く製造し得る炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器として黒鉛製坩堝１０を使用し、黒鉛製坩堝１０内の第一端部（昇華用原料収容器）に昇華用原料３０を収容し、黒鉛製坩堝１０内の昇華用原料３０に略対向する第二端部（蓋部）の壁面の一部を突出させた種結晶支持部１１に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置し、昇華させた昇華用原料３０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造装置であって、炭化ケイ素単結晶の種結晶５０が配置される第二端部（蓋部）に、種結晶支持部１１を囲むように、所定幅Ｗで所定深さＨ２の溝部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によるSiC単結晶育成装置において、坩堝全体が熱膨張係数の異なる2種類以上の材料から構成され、且つSiC種結晶1が取り付けられる種結晶保持部4の坩堝構成材料が、実質的に他の部分より小さな熱膨張係数を有する。坩堝の少なくとも１種類の構成材料が黒鉛製であり、種結晶保持部4の2000℃における熱膨張係数は5.0×10-6/℃以上5.5×10-6/℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法により製造したＳｉＣ単結晶のインゴットがスライス時に割れることを防止するための単結晶成長後の単結晶の切り離し方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によりスカート部材に沿って成長させたＳｉＣ単結晶７０を蓋材２２ごと取り出し、シングルワイヤーソー、ワイヤ放電加工、超音波加工等により、種結晶４０からＳｉＣ単結晶７０を切り離し、円錐台形状のＳｉＣ単結晶７０を得る。このとき、種結晶４０とＳｉＣ単結晶７０との界面のうちＳｉＣ単結晶７０側で切り離すのが好ましい。次に、円錐台形状のＳｉＣ単結晶７０の側面の凹凸を除去するために、研削加工等により側面全面を所定厚さ分除去する。続いて、マルチワイヤーソーを用いて、ＳｉＣ単結晶をスライスすることにより、ＳｉＣ単結晶基板８０を複数枚同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、昇華用原料微粉末５の昇華ガス流路を形成する坩堝本体１１の内側側面が、昇華ガス流路の長手方向に垂直な断面積が供給口１４から排出口１６方向へ拡がるよう傾斜を持って形成され、傾斜が坩堝１０の長手方向軸と２０度以下または１０度以下の角度を持つ形状とする。 （もっと読む）

【課題】高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａおよび主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する基板１１が準備される。そして、基板１１の主表面１１ａ上に、基板１１と異なる材料の窒化アルミニウム結晶１２が昇華法により成長される。そして、基板１１の一部を昇華法に用いる雰囲気Ａ１に対して密閉された状態から雰囲気Ａ１に開放された状態にすることにより、開放された状態において基板１１の少なくとも一部が昇華される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、スカート状の円筒部の内側の多結晶が成長し難くなることを抑制し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。
【解決手段】支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側において環状ひさし部２５を備え、円筒部２３ｂよりも外側には環状ひさし部２５が備えられない構造とする。これにより、埋め込み成長時に、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側を、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも外側と比べて相対的に温度を低くでき、多結晶４５が成長し難くなることを抑制することが可能となる。このため、ＳｉＣ単結晶７０と多結晶４５との成長面がフラットになり、ＳｉＣ単結晶７０を長尺に成長させることが可能となる。 （もっと読む）