【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂（Ｍ）（単斜晶型）ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板２に対向して、ＶＯ₂ターゲット７を配し、この状態でレーザー光１０をターゲット７に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ（プルーム１１、１２）が基板２に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター１４として基板２に付着させてＶＯ₂（Ｍ）ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に（１１１）エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを、少なくともその一部が基板２１の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。このようなイオンビーム照射により、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向したに薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶基板上にＰＬＤ法によって結晶性に優れた窒化ガリウム膜を成長させる酸化ガリウム−窒化ガリウム複合基板の製造方法及び酸化ガリウム−窒化ガリウム複合基板、並びにこの複合基板にIII族の窒化物半導体を成長させた半導体素子を提供する。
【解決手段】面方位が実質的に＜１００＞方向である酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、原子レベルで平坦化された結晶表面を備えた酸化ガリウム単結晶基板を得た後、窒素源及びＧａターゲットを用いたパルスレーザ蒸着法により、上記結晶表面に窒化ガリウム膜を成長させて得る。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】格子定数の不一致の問題を解消した状態で、Ａｌ₂Ｏ₃単結晶基板の上に、ＬｉＮｂＯ₃厚膜をエピタキシャル成長させる。
【解決手段】主表面がＣ面とされてこの主表面を清浄化したＡｌ₂Ｏ₃単結晶基板１０１の上に非晶質のニオブ酸リチウム（Ｌｉ_1-xＮｂＯ₃）からなる非晶質層１１２をスパッタ法により形成し、次に、非晶質層１１２を１０^-5Ｐａ台の高真空とした処理室内で６００〜７００℃程度に加熱することで結晶化させ、この後、結晶化層１０２の上にスパッタ法によりＬｉＮｂＯ₃を結晶成長させてＬｉＮｂＯ₃結晶膜１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単で低コストな方法により、１つの外囲器内で、高品質の基板を具体化することを可能にする新しい製作方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。
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【課題】均一性が高く、圧電特性が高く、薄膜であっても強度を有し、密着度が高く、優れた耐久性を有るペロブスカイト型酸化物を得ること。また、ペロブスカイト型酸化物を簡単に大面積として作製すること。
【解決手段】単結晶構造または一軸配向結晶構造のＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型酸化物であって、Ａサイトの主成分にＰｂを含みＢサイトに複数の元素を含み、正方晶、菱面体晶、斜方晶、立方晶、擬似立方晶及び単斜晶から選ばれる複数の結晶相を有し、該複数の結晶相が＜１００＞配向している。 （もっと読む）

【課題】圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッド及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体が、
Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_1-x）Ｏ₃ （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が０．２以上０．８以下であり、かつ該圧電体のキュリー温度Ｔｃと該圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比に於けるバルク状態でのキュリー温度Ｔｃ₀が Ｔｃ＞Ｔｃ₀＋５０℃ の関係を満たすことを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）