【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド担持半導体デバイス（２００）、およびそれを形成するための方法を提供する。１つの局面では、ダイヤモンド層（２０４）のデバイス表面（２１０）のために意図された構成に逆に適合するように構成された界面表面（２１２）を有する型（２２０）が提供される。次いで、無力なダイヤモンド層（２０４）が、型（２２０）のダイヤモンド界面表面（２１２）の上に堆積され、基材（２０２）が無力なダイヤモンド層（２０４）の成長表面（２２２）に接合される。次いで、型（２２０）の少なくとも一部が取り除かれ、型のダイヤモンド界面表面の構成に逆に対応する形状を受けた、ダイヤモンドのデバイス表面（２１０）が露出される。型（２２０）は、最終のデバイスを製造するために薄くされる適切な半導体材料から形成され得る。必要に応じて、半導体材料が、型（２２０）の除去のあと、ダイヤモンド層（２０４）に結合され得る。
（もっと読む）

マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。
（もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）