単結晶エミッタを形成する方法
選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、半導体製造に関し、特に、単結晶エミッタを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
寄生抵抗を減らす効果的構造としてバイポーラトランジスタ装置に単結晶エミッタが用いられている。単結晶エミッタの形成における問題の一つは、活性領域中のシリコン上方に高濃度にドープされた領域を設けることにある。典型的な従来技術の方法においては、シリコン（Ｓｉ）基板上の二つのシリコン酸化物（ＳｉＯ２）の壁の間にエミッタの窓が形成され、ｎ型にドープされたシリコン（通常、１０２０−１０２１/ｃｍ３のＰ又はＡｓ）のブランケット層がトレンチ全体上部に設けられ、そして、（１）酸化フィールド上（即ち、トレンチ壁上並びに上方）にアモルファス又はポリシリコン（ａ−Ｓｉ）を堆積させ、そして（２）活性領域（即ち、エミッタ窓の底部）上に単結晶（ｃ−Ｓｉ）を成長させるように処理される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
あいにく、この技術には様々な限定があり、ａ−Ｓｉ層の厚みがｃ−Ｓｉ層に関わっているという事実もその一つである。従って、これら二層の厚みを別々に制御するのは困難である。さらに、ａ−Ｓｉ層へのドーパントの注入がｃ−Ｓｉ層のそれより高くなる。これらの限定がｃ−Ｓｉ層内への高濃度のドーパント注入をさらに困難にしている。さらに、酸化フィールド上で成長が起きるので、微小トランジスタでは気相ディプレションも起こりうる。最後に、エミッタ窓の角部においてｃ−Ｓｉ層をサリサイド化するのも困難となりうる。
【０００４】
従って、単結晶エミッタを成長させる改良された技術が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いて単結晶エミッタを成長させる方法を提供することにより上述の問題並びに他の問題を解決するものである。第一のアスペクトにおいて、本発明は、バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、対向するシリコン酸化物の側壁を有するシリコン基板上にトレンチを設ける工程と、前記トレンチ内部の前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、前記シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、前記トレンチ上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程とを備えた方法を提供する。
【０００６】
第二のアスペクトにおいて、本発明は、半導体ウエハ内に高濃度にｎ型にドープされた層を形成する方法であって、シリコン基板から成る第一の活性領域を設ける工程と、
シリコン酸化物から成る第二の領域を設ける工程と、前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化物上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させて、前記シリコン酸化物上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成する工程とを備えた方法を提供する。
【０００７】
第三のアスペクトにおいて、本発明は、バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、対向するシリコン酸化物の側壁を有する基板上にトレンチを設ける工程と、選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）を用いて前記トレンチ内部の前記基板上に高濃度にドープされた層を成長させる工程と、前記シリコン酸化物の側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）を用いて前記トレンチ上方に第二の層を非選択的に成長させる工程とを備えた方法を提供する。
【０００８】
本発明のこれら、そして、さらなる特徴は添付図面と共に本発明の様々なアスペクトに関する以下の詳細なる記載からさらに容易に理解できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
ここに記載される種々の実施形態はｎｐｎヘテロ結合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のｎ型エミッタを形成するプロセスについてのものである。しかし、本発明は、例えば燐（ｐ）又はヒ素（Ａｓ）を用いた選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）によりｎ型に高濃度にドープされた層を設けることを含む如何なる製造プロセスについても適用しうるものであることが理解されるべきである。さらに、本発明は、ｐｎｐバイポーラトランジスタにおいて例えばボロン（Ｂ）を用いたｐ型ドーピングにも適用しうるものである。
【００１０】
ここで、図を参照すると、図１はエミッタを形成する第一の工程を示している。読者は半導体プロセス、そして、特に、ＳｉＧｅＣヘテロ結合バイポーラトランジスタにおけるエミッタ・プロセスについて一般的な理解を有することを前提としている。従って、プロセス工程の詳細な説明はなされない。そのようなプロセスは、例えば、Ｄｏｎｋｅｒｓ，Ｍａｇｎｅｅ，ｅｔ ａｌ．による文献“Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｐｒｏｆｉｌｅ Ｏｐｔｉｍｉｓａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ ＳｉＧｅＣ ＨＢＴ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｉｔｈ ａｎ ｎ−Ｃａｐ Ｅｍｉｔｔｅｒ”，Ｂｉｐｏｌａｒ／ＢｉＣＭＯＳ Ｃｉｒｃｕｉｔ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍｅｅｅｔｉｎｇ ２００３，ｐ．１１１−１１４に説明されており、その内容はこの参照により開示に含まれる。図１に見られるように、一組のシリコン酸化物ＳｉＯ２側壁、即ち、フィールド酸化物１２の間に、そして、シリコン基板１６の上部のエミッタ窓１４内にエミッタが形成される。第一の工程は、トレンチ（即ち、活性領域）の底部表面に実質的に限定された領域内に高濃度にドープされた単結晶（ｃ−Ｓｉ）シリコン層１８を選択的に成長させるものである。
【００１１】
この高濃度ドープ単結晶（ｃ−Ｓｉ）シリコン層１８は従来技術から容易に知られる選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）プロセスにより形成される。例えば、その内容がこの参照により開示に含まれるＰ．Ｄ．Ａｇｎｅｌｌｏ，Ｔ．Ｏ．ＳｅｄｇｗｉｃｋとＪ．Ｃｏｔｔｅとによる文献“Ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｈｅａｖｙ ｎ− ａｎｄ ｐ−ｔｙｐｅ ｄｏｐｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ−ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｔ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ”，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４０，Ｎ０．９（１９９３），ｐ．２７０３ではジクロロシラン（ＤＣＳ）と水素をキャリアガスとして低温でエピタキシーを行うとドーパントの濃度が非常に高くなることが示されている。これらの教示は実験により実証され、さらに、成長の条件は酸化物に対し「選択的」であることが確認されている。従って、フィールド酸化物１２において核形成がそれ程行われなくても薄い（例えば５０ｎｍ未満）ｃ−Ｓｉ層１８を成長させることが可能となる。
【００１２】
層１８の成長は完全に選択的でなくてもよいことに留意されたい。例えば、工程１でフィールド酸化物１２上にａ−Ｓｉのアイランドが幾らか形成されると、これは、ｃ−Ｓｉ層１８内でのドーパント・ディプレションには影響しない。表面移動度に起因する「ドーパント・ディプレション」はそれほどないと思われる。酸化物上にａ−Ｓｉ又はポリ−Ｓｉが成長すると、気相ドーパント（並びに様々なシリコン・ベースの種）がフィールド酸化物上のａ−Ｓｉ層及びｃ−Ｓｉ層に侵入することになる。通常、（成長条件により）成長速度とドーパントの集中はｃ−Ｓｉ層よりもａ−Ｓｉ層内の方が高い。気相ドーパントはｃ−Ｓｉ層よりもａ−Ｓｉ層に向かうことが多く、（気相での）「ドーパント・ディプレション」ということになる。これは、トレンチが完全に埋め込まれると（即ち、ボイド形成）歴然となり、そして、それはＣＶＤ埋め込みに関わるプロセスでは「標準的な」問題である。トレンチ幅が狭くなる（即ち、小トランジスタにおいて典型的なトレンチの高さ／幅比を有する）とこの影響はさらに歴然となる。従って、この種の疑似選択的成長は小トランジスタのエミッタ窓内に単結晶エミッタを形成するのによく適している。さらに、フィールド酸化物１２上では成長が行われないので、この選択的成長作用は気相ドーパント・ディプレションの影響を受けない。
【００１３】
さらに、層１８が完全に結晶化することは絶対的な条件ではないことに留意されたい。即ち、単結晶エミッタに著しい欠陥があってもよく、単結晶と多結晶（即ち、大きな粒子を有する構造）に類似のものとを区別するのは困難と思われる。この状況は、例えば、以下の環境で起こりうる。
（１）単結晶エミッタのエピタキシャル成長の前に薄い酸化層が除去されなければならない。これは通常ＨＦディップで行われ、これに続いて堆積用ツール中で水素による焼成が行われる。ＨＦディップが酸化層を除去し、水素が微量の酸素を除去し、Ｓｉ基板を形成する。エピタキシャル層の品質が水素焼成温度（及び時間）が直接関係する。水素焼成温度が低くなるにつれ、欠陥密度が高くなる。下地ＨＢＴ構造内のベース内に「鋭利な」Ｂスパイクが形成されないようにするために、欠陥が存在するように水素焼成温度は低いことが好ましい。層の最初の数ナノメータが結晶のようになり、高欠陥密度のために層が「ポリ」となることが時々ある。
（２）単結晶層の代わりにアモルファス／ポリ層が堆積されうるＳＥＧレシピをも可能である。例としてはＧｅ堆積／成長があり、好ましくは選択的であるが、良い結晶層を成長させようとすると様々な困難を伴う。しかしながら、Ｇｅ堆積はポリ又はアモルファス層を選択的に成長させるのに有用となりうる。
【００１４】
次に、図２に見られるように、領域全体上に非選択的シリコン層２０を成長させ、シリコン酸化側壁上にアモルファス又はポリシリコン（ａ−Ｓｉ）層２１を形成する。この工程の目的は、（例えば、約２５ｎｍ厚みの）コンタクトを形成するためにフィールド酸化物１２上にシリコンを設けることにある。非選択的シリコン層２１は単結晶シリコン層１８上部にも幾らか成長し、（恐らく）選択層１８よりも幾分ドーピング濃度が低い第二の単結晶シリコン層２２を形成する。矢印２４で示されるように、この方法によりエミッタ窓１４の角部近辺のｃ−Ｓｉ層内のドーピング濃度が高められる。
【００１５】
非選択的シリコン層２０の成長プロセスは従来技術で知られている傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）技術により達成できる。それは、例えば、ＳｉＨ４−Ｈ２システム又はＳｉＨ４−Ｎ２システムのいずれかにより成長させることができる。ドーパントを加えることもできるが、サリサイド化のためには平滑なシリコン層を維持することがより重要となる。本発明に記載されている二つのエピタキシャル層１８及び２２は如何なる既知の方法で成長させてもよい。例えば、それらはＡＳＭ−ＥＰＳＩＬＯＮＴＭ反応器で成長させてもよく、これは、（〜１０Ｔｏｒｒ）まで減圧することができる単一ウエハ用反応器である。しかし、本発明は如何なる特定のＳＥＧプロセス、反応器タイプ、作用圧力等に限定されないことが理解されるべきである。
【００１６】
通常、シリコン層を成長させるには典型的にはＳｉＨ２Ｃｌ２及びＳｉＨ４Ｃの二つの前駆ガスが用いられる（ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８等の他の前駆ガスが用いられてもよい）。これらのガスは例えばＨ２又はＮ２にて薄められる。ＳｉＧｅ又はＳｉＧｅＣ（さらに、又は、シリコン・炭素Ｓｉ：Ｃ）も用いられ、オージェ再結合又はサリサイド化のために重要である。さらに加えて、ＧｅＨ４（ゲルマニウムのための前駆ガス）又はＳｉＨ３ＣＨ３（炭素のための前駆ガス）を加えることも可能である。Ｃｌベースの化学作用、おそらくは、ＨＣｌを加えても、フィールド酸化物１２では成長は効果的には行われず、一方、露出したシリコン上では層が成長するように、Ｓｉ成長とＳｉエッチングの割合が調整される。これは選択エピタキシャル成長と呼ばれる。Ｃｌベースの化学作用及び又はＨＣｌ添加は選択的プロセスに導入する必要はないことに留意されたい。これとは別に、水素又は窒素を（ＨＣｌ無しの）キャリアとしてＳｉＨ４及びＧｅＨ４を用いた選択的プロセスが導入できる。層をｎ型にドープするにはガス流にＰＨ３又はＡｓＨ３のいずれかが加えられてもよい。低温での成長は層内への原子のさらなるドーピングを促進する。
【００１７】
（Ｈ２又はＮ２をキャリアガスとした）ＧｅＨ４のみを用いると酸化物に対して疑似選択的となることに留意されたい。（Ｈ２又はＮ２と共に）ＳｉＨ４のみを用いると、多くの場合、酸化物に対して選択的でなくなる（所謂、潜伏時間、即ち、酸化物に第一の核形成を起こすのに必要な時間の後、ａ−Ｓｉ又はポリａ−Ｓｉが成長を開始する）。ＧｅＨ４とＳｉＨ４とが結合すると、主に、Ｇｅ含有率と成長条件に応じて、プロセスがフィールド酸化物１２に対して選択的になる。これは、ＳｉＨ４＋ＧｅＨ４に比べて、低Ｇｅ含有率に対してプロセスが依然として疑似選択的であることを除いて、ＤＣＳ＋ＧｅＨ４を用いるのと本質的に同じである。
【００１８】
ＳｉＨ４ベースの化学作用に切り替えると、酸化物に対する選択性が「失われ」、多結晶、さらにはアモルファス層さえもフィールド酸化物１２上に堆積することになる。この成長モードは非選択的又は傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）と呼ばれる。
【００１９】
要約すると、第一工程では疑似選択的プロセスを用い、フィールド酸化物１２／側壁上のすべての吸着原子（並びにドーパント原子）が活性領域、即ち、エミッタに「取り込まれる」。このアイデアはエミッタに「埋め込む」というものである。何故ならば、それは（ほぼ）選択的であり、（ｉ）ポリ及び結晶層間でドーパント注入の奪い合いがおきないように（何故ならば、フィールド酸化物１２上にはポリ又はアモルファス層が存在しないので）、そして、（ｉｉ）結晶層のみが活性領域に成長するように、フィールド酸化物１２上では成長が起きない。
【００２０】
第二工程では、シリコン酸化物及び活性領域上にポリシリコン又はアモルファス層を成長させる非選択層２０を用いる。活性領域上での成長は複雑になるかもしれない（即ち、成長速度及びドーパント濃度が、フィールド酸化物１２と、第一選択層、非選択層等からのドーパントの分離とに依存する）。この層２０の目的は、サリサイド工程において、フィールド酸化物１２と活性領域との間がリンクするように十分なシリコンを供給することである。
【００２１】
従って、ａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉ層２１／２２を設けることにより、エミッタの確定、即ち、ＰＯＬＹＥＭＩＴパターンニング、シリサイド化等において、プロセスが完全に標準の先行技術の処理と適合する。例えば、ＳＥＧ層１８のみ存在すると、中程度のサイズのエミッタとコンタクトをとるのは事実上不可能であり、これは、中程度のサイズのエミッタはコンタクト・ホールにサイズにおいて匹敵することがありえ、そして、配置ミスが起きるとエミッタ・コンタクトがさらにエミッタ近傍のベース層にも繋がってしまうからである。
【００２２】
単結晶エミッタはＳｉＧｅ、ＳｉＧｅ：Ｃ又はＳｉ：Ｃ（即ち、オージェ再結合及び又はサリサイド化のため非選択工程の最中に）から形成されてもよいことが理解されるべきである。さらに、ＳｉＧｅ歪み補償及び又は拡散の目的で炭素が使われてもよい。
【００２３】
図３は、エミッタ・ポリをサリサイド化するためにＣｏＳｉ２処理が用いられるシリサイド化を含むさらなる工程を示している。従来技術でよく知られているように、金属（インターコネクト）からシリコンへのコンタクト抵抗を減らし、そして、シリコンレベルでの局部的な面内抵抗を減らすという両方の目的で、シリサイドは集積回路（ＩＣ）プロセスでよく用いられているものである。シリサイドを形成する既知の種にはチタン（即ち、Ｔｉ、ＴｉＳｉ２を形成）、コバルト（即ち、Ｃｏ、ＣｏＳｉ２を形成）、そして、ニッケル（即ち、Ｎｉ、ＮｉＳｉ２を形成）さえも含む。図３に見られる例ではＣｏが用いられている。
【００２４】
Ｃｏの１０ｎｍ層が堆積されるとすると、シリコンの供給が無制限な場合、ＣｏＳｉ２の３５ｎｍ層が形成されることがありえ、約３５ｎｍのＳｉが消費される。これは二工程プロセスで行われ、最初にＣｏＳｉが形成され、次に、ＣｏＳｉ２が形成される。Ｓｉが２５ｎｍのみ可能な場合（これは、フィールド酸化物１２上に２５ｎｍ層２１，２２が堆積される場合で）、ＣｏＳｉの幾分かはＣｏＳｉ２には変化しない。良いシリサイド（即ち、ＣｏＳｉ２）層が形成される（例えば、１０ｎｍＣｏの場合には３５ｎｍ）ように層２１，２２が十分厚ければ、これら層はどのような厚みとされても実際問題にはならない。上述の例では、ｃ−Ｓｉ部分１８，２２に対して選択層１８が約５０ｎｍ、そして、非選択層１８が約２５ｎｍで、全ＣｏＳｉ２層が３５ｎｍに形成され、４０ｎｍのｃ−Ｓｉ１８が残る。フィールド酸化物１２上に完全にＣｏＳｉ２を形成するのに必要な厚みより、若干、層１８，２２を薄くすることにより、シリサイドが高濃度にドープされたｃ−Ｓｉ層１８との直接コンタクトが確実となり、これは低オーミックコンタクトのために重要である。
【００２５】
従って、矢印２６に示されているように、上述の方法によるＳＥＧ及びＤＥＧプロセスによりエミッタ窓の角部のサリサイド化が制御される。
【００２６】
上述の本発明の好ましい実施形態は説明、記載のために示されたものである。これらは、それらがすべてではなく、また、本発明を詳細に開示されたものに限定するものではなく、上述の教示に照らして多くの変形、変更が可能であることは明らかである。当業者にとっては容易に理解できるそのような変形、変更は添付請求項で規定されたように本発明の範疇に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に従って高濃度にドープされた単結晶シリコンを適用してエミッタを形成する第一の工程を示す図である。
【図２】本発明に従って第二の犠牲シリコン層を適用してエミッタを形成する第二の工程を示す図である。
【図３】本発明に従ったサリサイド化工程を示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、半導体製造に関し、特に、単結晶エミッタを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
寄生抵抗を減らす効果的構造としてバイポーラトランジスタ装置に単結晶エミッタが用いられている。単結晶エミッタの形成における問題の一つは、活性領域中のシリコン上方に高濃度にドープされた領域を設けることにある。典型的な従来技術の方法においては、シリコン（Ｓｉ）基板上の二つのシリコン酸化物（ＳｉＯ２）の壁の間にエミッタの窓が形成され、ｎ型にドープされたシリコン（通常、１０２０−１０２１/ｃｍ３のＰ又はＡｓ）のブランケット層がトレンチ全体上部に設けられ、そして、（１）酸化フィールド上（即ち、トレンチ壁上並びに上方）にアモルファス又はポリシリコン（ａ−Ｓｉ）を堆積させ、そして（２）活性領域（即ち、エミッタ窓の底部）上に単結晶（ｃ−Ｓｉ）を成長させるように処理される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
あいにく、この技術には様々な限定があり、ａ−Ｓｉ層の厚みがｃ−Ｓｉ層に関わっているという事実もその一つである。従って、これら二層の厚みを別々に制御するのは困難である。さらに、ａ−Ｓｉ層へのドーパントの注入がｃ−Ｓｉ層のそれより高くなる。これらの限定がｃ−Ｓｉ層内への高濃度のドーパント注入をさらに困難にしている。さらに、酸化フィールド上で成長が起きるので、微小トランジスタでは気相ディプレションも起こりうる。最後に、エミッタ窓の角部においてｃ−Ｓｉ層をサリサイド化するのも困難となりうる。
【０００４】
従って、単結晶エミッタを成長させる改良された技術が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いて単結晶エミッタを成長させる方法を提供することにより上述の問題並びに他の問題を解決するものである。第一のアスペクトにおいて、本発明は、バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、対向するシリコン酸化物の側壁を有するシリコン基板上にトレンチを設ける工程と、前記トレンチ内部の前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、前記シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、前記トレンチ上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程とを備えた方法を提供する。
【０００６】
第二のアスペクトにおいて、本発明は、半導体ウエハ内に高濃度にｎ型にドープされた層を形成する方法であって、シリコン基板から成る第一の活性領域を設ける工程と、
シリコン酸化物から成る第二の領域を設ける工程と、前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化物上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させて、前記シリコン酸化物上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成する工程とを備えた方法を提供する。
【０００７】
第三のアスペクトにおいて、本発明は、バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、対向するシリコン酸化物の側壁を有する基板上にトレンチを設ける工程と、選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）を用いて前記トレンチ内部の前記基板上に高濃度にドープされた層を成長させる工程と、前記シリコン酸化物の側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）を用いて前記トレンチ上方に第二の層を非選択的に成長させる工程とを備えた方法を提供する。
【０００８】
本発明のこれら、そして、さらなる特徴は添付図面と共に本発明の様々なアスペクトに関する以下の詳細なる記載からさらに容易に理解できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
ここに記載される種々の実施形態はｎｐｎヘテロ結合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のｎ型エミッタを形成するプロセスについてのものである。しかし、本発明は、例えば燐（ｐ）又はヒ素（Ａｓ）を用いた選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）によりｎ型に高濃度にドープされた層を設けることを含む如何なる製造プロセスについても適用しうるものであることが理解されるべきである。さらに、本発明は、ｐｎｐバイポーラトランジスタにおいて例えばボロン（Ｂ）を用いたｐ型ドーピングにも適用しうるものである。
【００１０】
ここで、図を参照すると、図１はエミッタを形成する第一の工程を示している。読者は半導体プロセス、そして、特に、ＳｉＧｅＣヘテロ結合バイポーラトランジスタにおけるエミッタ・プロセスについて一般的な理解を有することを前提としている。従って、プロセス工程の詳細な説明はなされない。そのようなプロセスは、例えば、Ｄｏｎｋｅｒｓ，Ｍａｇｎｅｅ，ｅｔ ａｌ．による文献“Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｐｒｏｆｉｌｅ Ｏｐｔｉｍｉｓａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ ＳｉＧｅＣ ＨＢＴ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｉｔｈ ａｎ ｎ−Ｃａｐ Ｅｍｉｔｔｅｒ”，Ｂｉｐｏｌａｒ／ＢｉＣＭＯＳ Ｃｉｒｃｕｉｔ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍｅｅｅｔｉｎｇ ２００３，ｐ．１１１−１１４に説明されており、その内容はこの参照により開示に含まれる。図１に見られるように、一組のシリコン酸化物ＳｉＯ２側壁、即ち、フィールド酸化物１２の間に、そして、シリコン基板１６の上部のエミッタ窓１４内にエミッタが形成される。第一の工程は、トレンチ（即ち、活性領域）の底部表面に実質的に限定された領域内に高濃度にドープされた単結晶（ｃ−Ｓｉ）シリコン層１８を選択的に成長させるものである。
【００１１】
この高濃度ドープ単結晶（ｃ−Ｓｉ）シリコン層１８は従来技術から容易に知られる選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）プロセスにより形成される。例えば、その内容がこの参照により開示に含まれるＰ．Ｄ．Ａｇｎｅｌｌｏ，Ｔ．Ｏ．ＳｅｄｇｗｉｃｋとＪ．Ｃｏｔｔｅとによる文献“Ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｈｅａｖｙ ｎ− ａｎｄ ｐ−ｔｙｐｅ ｄｏｐｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｂｙ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ−ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｔ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ”，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４０，Ｎ０．９（１９９３），ｐ．２７０３ではジクロロシラン（ＤＣＳ）と水素をキャリアガスとして低温でエピタキシーを行うとドーパントの濃度が非常に高くなることが示されている。これらの教示は実験により実証され、さらに、成長の条件は酸化物に対し「選択的」であることが確認されている。従って、フィールド酸化物１２において核形成がそれ程行われなくても薄い（例えば５０ｎｍ未満）ｃ−Ｓｉ層１８を成長させることが可能となる。
【００１２】
層１８の成長は完全に選択的でなくてもよいことに留意されたい。例えば、工程１でフィールド酸化物１２上にａ−Ｓｉのアイランドが幾らか形成されると、これは、ｃ−Ｓｉ層１８内でのドーパント・ディプレションには影響しない。表面移動度に起因する「ドーパント・ディプレション」はそれほどないと思われる。酸化物上にａ−Ｓｉ又はポリ−Ｓｉが成長すると、気相ドーパント（並びに様々なシリコン・ベースの種）がフィールド酸化物上のａ−Ｓｉ層及びｃ−Ｓｉ層に侵入することになる。通常、（成長条件により）成長速度とドーパントの集中はｃ−Ｓｉ層よりもａ−Ｓｉ層内の方が高い。気相ドーパントはｃ−Ｓｉ層よりもａ−Ｓｉ層に向かうことが多く、（気相での）「ドーパント・ディプレション」ということになる。これは、トレンチが完全に埋め込まれると（即ち、ボイド形成）歴然となり、そして、それはＣＶＤ埋め込みに関わるプロセスでは「標準的な」問題である。トレンチ幅が狭くなる（即ち、小トランジスタにおいて典型的なトレンチの高さ／幅比を有する）とこの影響はさらに歴然となる。従って、この種の疑似選択的成長は小トランジスタのエミッタ窓内に単結晶エミッタを形成するのによく適している。さらに、フィールド酸化物１２上では成長が行われないので、この選択的成長作用は気相ドーパント・ディプレションの影響を受けない。
【００１３】
さらに、層１８が完全に結晶化することは絶対的な条件ではないことに留意されたい。即ち、単結晶エミッタに著しい欠陥があってもよく、単結晶と多結晶（即ち、大きな粒子を有する構造）に類似のものとを区別するのは困難と思われる。この状況は、例えば、以下の環境で起こりうる。
（１）単結晶エミッタのエピタキシャル成長の前に薄い酸化層が除去されなければならない。これは通常ＨＦディップで行われ、これに続いて堆積用ツール中で水素による焼成が行われる。ＨＦディップが酸化層を除去し、水素が微量の酸素を除去し、Ｓｉ基板を形成する。エピタキシャル層の品質が水素焼成温度（及び時間）が直接関係する。水素焼成温度が低くなるにつれ、欠陥密度が高くなる。下地ＨＢＴ構造内のベース内に「鋭利な」Ｂスパイクが形成されないようにするために、欠陥が存在するように水素焼成温度は低いことが好ましい。層の最初の数ナノメータが結晶のようになり、高欠陥密度のために層が「ポリ」となることが時々ある。
（２）単結晶層の代わりにアモルファス／ポリ層が堆積されうるＳＥＧレシピをも可能である。例としてはＧｅ堆積／成長があり、好ましくは選択的であるが、良い結晶層を成長させようとすると様々な困難を伴う。しかしながら、Ｇｅ堆積はポリ又はアモルファス層を選択的に成長させるのに有用となりうる。
【００１４】
次に、図２に見られるように、領域全体上に非選択的シリコン層２０を成長させ、シリコン酸化側壁上にアモルファス又はポリシリコン（ａ−Ｓｉ）層２１を形成する。この工程の目的は、（例えば、約２５ｎｍ厚みの）コンタクトを形成するためにフィールド酸化物１２上にシリコンを設けることにある。非選択的シリコン層２１は単結晶シリコン層１８上部にも幾らか成長し、（恐らく）選択層１８よりも幾分ドーピング濃度が低い第二の単結晶シリコン層２２を形成する。矢印２４で示されるように、この方法によりエミッタ窓１４の角部近辺のｃ−Ｓｉ層内のドーピング濃度が高められる。
【００１５】
非選択的シリコン層２０の成長プロセスは従来技術で知られている傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）技術により達成できる。それは、例えば、ＳｉＨ４−Ｈ２システム又はＳｉＨ４−Ｎ２システムのいずれかにより成長させることができる。ドーパントを加えることもできるが、サリサイド化のためには平滑なシリコン層を維持することがより重要となる。本発明に記載されている二つのエピタキシャル層１８及び２２は如何なる既知の方法で成長させてもよい。例えば、それらはＡＳＭ−ＥＰＳＩＬＯＮＴＭ反応器で成長させてもよく、これは、（〜１０Ｔｏｒｒ）まで減圧することができる単一ウエハ用反応器である。しかし、本発明は如何なる特定のＳＥＧプロセス、反応器タイプ、作用圧力等に限定されないことが理解されるべきである。
【００１６】
通常、シリコン層を成長させるには典型的にはＳｉＨ２Ｃｌ２及びＳｉＨ４Ｃの二つの前駆ガスが用いられる（ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８等の他の前駆ガスが用いられてもよい）。これらのガスは例えばＨ２又はＮ２にて薄められる。ＳｉＧｅ又はＳｉＧｅＣ（さらに、又は、シリコン・炭素Ｓｉ：Ｃ）も用いられ、オージェ再結合又はサリサイド化のために重要である。さらに加えて、ＧｅＨ４（ゲルマニウムのための前駆ガス）又はＳｉＨ３ＣＨ３（炭素のための前駆ガス）を加えることも可能である。Ｃｌベースの化学作用、おそらくは、ＨＣｌを加えても、フィールド酸化物１２では成長は効果的には行われず、一方、露出したシリコン上では層が成長するように、Ｓｉ成長とＳｉエッチングの割合が調整される。これは選択エピタキシャル成長と呼ばれる。Ｃｌベースの化学作用及び又はＨＣｌ添加は選択的プロセスに導入する必要はないことに留意されたい。これとは別に、水素又は窒素を（ＨＣｌ無しの）キャリアとしてＳｉＨ４及びＧｅＨ４を用いた選択的プロセスが導入できる。層をｎ型にドープするにはガス流にＰＨ３又はＡｓＨ３のいずれかが加えられてもよい。低温での成長は層内への原子のさらなるドーピングを促進する。
【００１７】
（Ｈ２又はＮ２をキャリアガスとした）ＧｅＨ４のみを用いると酸化物に対して疑似選択的となることに留意されたい。（Ｈ２又はＮ２と共に）ＳｉＨ４のみを用いると、多くの場合、酸化物に対して選択的でなくなる（所謂、潜伏時間、即ち、酸化物に第一の核形成を起こすのに必要な時間の後、ａ−Ｓｉ又はポリａ−Ｓｉが成長を開始する）。ＧｅＨ４とＳｉＨ４とが結合すると、主に、Ｇｅ含有率と成長条件に応じて、プロセスがフィールド酸化物１２に対して選択的になる。これは、ＳｉＨ４＋ＧｅＨ４に比べて、低Ｇｅ含有率に対してプロセスが依然として疑似選択的であることを除いて、ＤＣＳ＋ＧｅＨ４を用いるのと本質的に同じである。
【００１８】
ＳｉＨ４ベースの化学作用に切り替えると、酸化物に対する選択性が「失われ」、多結晶、さらにはアモルファス層さえもフィールド酸化物１２上に堆積することになる。この成長モードは非選択的又は傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）と呼ばれる。
【００１９】
要約すると、第一工程では疑似選択的プロセスを用い、フィールド酸化物１２／側壁上のすべての吸着原子（並びにドーパント原子）が活性領域、即ち、エミッタに「取り込まれる」。このアイデアはエミッタに「埋め込む」というものである。何故ならば、それは（ほぼ）選択的であり、（ｉ）ポリ及び結晶層間でドーパント注入の奪い合いがおきないように（何故ならば、フィールド酸化物１２上にはポリ又はアモルファス層が存在しないので）、そして、（ｉｉ）結晶層のみが活性領域に成長するように、フィールド酸化物１２上では成長が起きない。
【００２０】
第二工程では、シリコン酸化物及び活性領域上にポリシリコン又はアモルファス層を成長させる非選択層２０を用いる。活性領域上での成長は複雑になるかもしれない（即ち、成長速度及びドーパント濃度が、フィールド酸化物１２と、第一選択層、非選択層等からのドーパントの分離とに依存する）。この層２０の目的は、サリサイド工程において、フィールド酸化物１２と活性領域との間がリンクするように十分なシリコンを供給することである。
【００２１】
従って、ａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉ層２１／２２を設けることにより、エミッタの確定、即ち、ＰＯＬＹＥＭＩＴパターンニング、シリサイド化等において、プロセスが完全に標準の先行技術の処理と適合する。例えば、ＳＥＧ層１８のみ存在すると、中程度のサイズのエミッタとコンタクトをとるのは事実上不可能であり、これは、中程度のサイズのエミッタはコンタクト・ホールにサイズにおいて匹敵することがありえ、そして、配置ミスが起きるとエミッタ・コンタクトがさらにエミッタ近傍のベース層にも繋がってしまうからである。
【００２２】
単結晶エミッタはＳｉＧｅ、ＳｉＧｅ：Ｃ又はＳｉ：Ｃ（即ち、オージェ再結合及び又はサリサイド化のため非選択工程の最中に）から形成されてもよいことが理解されるべきである。さらに、ＳｉＧｅ歪み補償及び又は拡散の目的で炭素が使われてもよい。
【００２３】
図３は、エミッタ・ポリをサリサイド化するためにＣｏＳｉ２処理が用いられるシリサイド化を含むさらなる工程を示している。従来技術でよく知られているように、金属（インターコネクト）からシリコンへのコンタクト抵抗を減らし、そして、シリコンレベルでの局部的な面内抵抗を減らすという両方の目的で、シリサイドは集積回路（ＩＣ）プロセスでよく用いられているものである。シリサイドを形成する既知の種にはチタン（即ち、Ｔｉ、ＴｉＳｉ２を形成）、コバルト（即ち、Ｃｏ、ＣｏＳｉ２を形成）、そして、ニッケル（即ち、Ｎｉ、ＮｉＳｉ２を形成）さえも含む。図３に見られる例ではＣｏが用いられている。
【００２４】
Ｃｏの１０ｎｍ層が堆積されるとすると、シリコンの供給が無制限な場合、ＣｏＳｉ２の３５ｎｍ層が形成されることがありえ、約３５ｎｍのＳｉが消費される。これは二工程プロセスで行われ、最初にＣｏＳｉが形成され、次に、ＣｏＳｉ２が形成される。Ｓｉが２５ｎｍのみ可能な場合（これは、フィールド酸化物１２上に２５ｎｍ層２１，２２が堆積される場合で）、ＣｏＳｉの幾分かはＣｏＳｉ２には変化しない。良いシリサイド（即ち、ＣｏＳｉ２）層が形成される（例えば、１０ｎｍＣｏの場合には３５ｎｍ）ように層２１，２２が十分厚ければ、これら層はどのような厚みとされても実際問題にはならない。上述の例では、ｃ−Ｓｉ部分１８，２２に対して選択層１８が約５０ｎｍ、そして、非選択層１８が約２５ｎｍで、全ＣｏＳｉ２層が３５ｎｍに形成され、４０ｎｍのｃ−Ｓｉ１８が残る。フィールド酸化物１２上に完全にＣｏＳｉ２を形成するのに必要な厚みより、若干、層１８，２２を薄くすることにより、シリサイドが高濃度にドープされたｃ−Ｓｉ層１８との直接コンタクトが確実となり、これは低オーミックコンタクトのために重要である。
【００２５】
従って、矢印２６に示されているように、上述の方法によるＳＥＧ及びＤＥＧプロセスによりエミッタ窓の角部のサリサイド化が制御される。
【００２６】
上述の本発明の好ましい実施形態は説明、記載のために示されたものである。これらは、それらがすべてではなく、また、本発明を詳細に開示されたものに限定するものではなく、上述の教示に照らして多くの変形、変更が可能であることは明らかである。当業者にとっては容易に理解できるそのような変形、変更は添付請求項で規定されたように本発明の範疇に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に従って高濃度にドープされた単結晶シリコンを適用してエミッタを形成する第一の工程を示す図である。
【図２】本発明に従って第二の犠牲シリコン層を適用してエミッタを形成する第二の工程を示す図である。
【図３】本発明に従ったサリサイド化工程を示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、
対向するシリコン酸化物の側壁を有するシリコン基板上にトレンチを設ける工程と、
前記トレンチ内部の前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、
前記シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、前記トレンチ上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程とを備えた方法。
【請求項２】
前記高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程は選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）を用いて達成される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択的エピタキシャル成長は、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＧｅＨ４、そして、ＳｉＨ３ＣＨ３から成るグループから選ばれた前駆ガスを用いる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程は傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）を用いて達成される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記単結晶層は実質的に前記シリコン基板上の活性領域上のみに成長する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
チタン、コバルト、そして、ニッケルから成るグループから選ばれたシリサイドを用いたサリサイド化工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記単結晶エミッタは燐（Ｐ）そしてヒ素（Ａｓ）から成るグループから選ばれた元素を用いてｎ型にドープされる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
半導体ウエハ内に高濃度にｎ型にドープされた層を形成する方法であって、
シリコン基板から成る第一の活性領域を設ける工程と、
シリコン酸化物から成る第二の領域を設ける工程と、
前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、
前記シリコン基板及び前記シリコン酸化物上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させて、前記シリコン酸化物上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成する工程とを備えた方法。
【請求項９】
前記高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程は選択的エピタキシャル成長を用いて達成される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択的エピタキシャル成長は、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＧｅＨ４、そして、ＳｉＨ３ＣＨ３から成るグループから選ばれた前駆ガスを用いる請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程は傾斜エピタキシャル成長を用いて達成される請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記単結晶層は実質的に前記シリコン基板上の活性領域上のみに成長する請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
チタン、コバルト、そして、ニッケルから成るグループから選ばれたシリサイドを用いたサリサイド化工程をさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記単結晶エミッタは燐（Ｐ）そしてヒ素（Ａｓ）から成るグループから選ばれた元素を用いてｎ型にドープされる請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、
対向するシリコン酸化物の側壁を有する基板上にトレンチを設ける工程と、
選択的エピタキシャル成長を用いて前記トレンチ内部の前記基板上に高濃度にドープされた層を成長させる工程と、
前記シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、傾斜エピタキシャル成長を用いて前記トレンチ上方に第二の層を成長させる工程とを備えた方法。
【請求項１６】
前記選択的エピタキシャル成長は、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＧｅＨ４、そして、ＳｉＨ３ＣＨ３から成るグループから選ばれた前駆ガスを用いる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記高濃度ドープ層は実質的に前記基板上の活性領域上のみに成長する単結晶層を備える請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
チタン、コバルト、そして、ニッケルから成るグループから選ばれたシリサイドを用いたサリサイド化工程をさらに備える請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記単結晶エミッタは燐（Ｐ）そしてヒ素（Ａｓ）から成るグループから選ばれた元素を用いてｎ型にドープされる請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記単結晶エミッタはボロン（Ｂ）用いてｐ型にドープされる請求項１５に記載の方法。
【請求項１】
バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、
対向するシリコン酸化物の側壁を有するシリコン基板上にトレンチを設ける工程と、
前記トレンチ内部の前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、
前記シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、前記トレンチ上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程とを備えた方法。
【請求項２】
前記高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程は選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）を用いて達成される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択的エピタキシャル成長は、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＧｅＨ４、そして、ＳｉＨ３ＣＨ３から成るグループから選ばれた前駆ガスを用いる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程は傾斜エピタキシャル成長（ＤＥＧ）を用いて達成される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記単結晶層は実質的に前記シリコン基板上の活性領域上のみに成長する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
チタン、コバルト、そして、ニッケルから成るグループから選ばれたシリサイドを用いたサリサイド化工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記単結晶エミッタは燐（Ｐ）そしてヒ素（Ａｓ）から成るグループから選ばれた元素を用いてｎ型にドープされる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
半導体ウエハ内に高濃度にｎ型にドープされた層を形成する方法であって、
シリコン基板から成る第一の活性領域を設ける工程と、
シリコン酸化物から成る第二の領域を設ける工程と、
前記シリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程と、
前記シリコン基板及び前記シリコン酸化物上方に第二のシリコン層を非選択的に成長させて、前記シリコン酸化物上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成する工程とを備えた方法。
【請求項９】
前記高濃度にドープされた単結晶層を選択的に成長させる工程は選択的エピタキシャル成長を用いて達成される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択的エピタキシャル成長は、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＧｅＨ４、そして、ＳｉＨ３ＣＨ３から成るグループから選ばれた前駆ガスを用いる請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第二のシリコン層を非選択的に成長させる工程は傾斜エピタキシャル成長を用いて達成される請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記単結晶層は実質的に前記シリコン基板上の活性領域上のみに成長する請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
チタン、コバルト、そして、ニッケルから成るグループから選ばれたシリサイドを用いたサリサイド化工程をさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記単結晶エミッタは燐（Ｐ）そしてヒ素（Ａｓ）から成るグループから選ばれた元素を用いてｎ型にドープされる請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
バイポーラトランジスタのための単結晶エミッタを成長させる方法であって、
対向するシリコン酸化物の側壁を有する基板上にトレンチを設ける工程と、
選択的エピタキシャル成長を用いて前記トレンチ内部の前記基板上に高濃度にドープされた層を成長させる工程と、
前記シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、傾斜エピタキシャル成長を用いて前記トレンチ上方に第二の層を成長させる工程とを備えた方法。
【請求項１６】
前記選択的エピタキシャル成長は、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ３、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＧｅＨ４、そして、ＳｉＨ３ＣＨ３から成るグループから選ばれた前駆ガスを用いる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記高濃度ドープ層は実質的に前記基板上の活性領域上のみに成長する単結晶層を備える請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
チタン、コバルト、そして、ニッケルから成るグループから選ばれたシリサイドを用いたサリサイド化工程をさらに備える請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記単結晶エミッタは燐（Ｐ）そしてヒ素（Ａｓ）から成るグループから選ばれた元素を用いてｎ型にドープされる請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記単結晶エミッタはボロン（Ｂ）用いてｐ型にドープされる請求項１５に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公表番号】特表２００７−５１９２５２（Ｐ２００７−５１９２５２Ａ）
【公表日】平成１９年７月１２日（２００７．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５５０４３６（Ｐ２００６−５５０４３６）
【出願日】平成１７年１月２２日（２００５．１．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００５／０５０２５９
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０７１７２５
【国際公開日】平成１７年８月４日（２００５．８．４）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年７月１２日（２００７．７．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１月２２日（２００５．１．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００５／０５０２５９
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０７１７２５
【国際公開日】平成１７年８月４日（２００５．８．４）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
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