【課題】不純物が膜中にとりこまれることを防止し、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ装置内に、サファイア基板１０１を配置する工程と、室温で、ＭＯＣＶＤ装置内にＮＨ₃ガスを導入する工程と、サファイア基板１０１上に、ＮＨ₃ガスを反応させることにより、ＡｌＮからなるバッファ層１０２を形成する工程と、バッファ層１０２上に、少なくとも１層以上の窒化物系半導体層１０３、１０４、１０５、１０６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

【課題】マルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板を単純な工程で安価にかつ高収率で製造する方法を提供する。
【解決手段】基板の窒化ガリウム層の表面をエッチングして窒化ガリウム多孔質層に変質する工程と、窒化ガリウム多孔質層上に窒化ガリウム層を形成する工程とを複数回繰り返して実施して、基板上に窒化ガリウム多孔質層と窒化ガリウム層の積層を複数周期で形成する工程と、積層が形成された基板を冷却して窒化ガリウム層を自発的に分離する工程とを含むマルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）

３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するＳｉＣ単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるＳｉＣエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の面を、（０００１）面から５．７４度±１度以内または２．８６度±０．７度以内のオフ角に設定して、前記ＳｉＣの基板上にＳｉＣの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．５度以内または２．８６度±０．５度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．３度以内または２．８６度±０．３度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。ＳｉＣ基板が、ＳｉＣ基板上に改良レーリー法により堆積されたＳｉＣ結晶から作製されたものであるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光の吸収係数が小さく高い透明度を有すると共に、充分な導電性を確保することができる窒化物系半導体基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上１１にＧａＮ膜１２及びＴｉ膜１３を形成後、水素ガスとアンモニアガスとの混合雰囲気で加熱して、多孔質ＴｉＮ薄膜１４に変換後、多孔質ＴｉＮ薄膜１４上にファセット成長ＧａＮ１５を形成し、ｃ面以外のファセット面を形成しながら成長する成長初期段階のＧａＮ層の厚さが最終的に成長させたＧａＮ層の全厚の３０％以下となるように、ＧａＮ結晶を成長させてＧａＮ厚膜１７とし、ボイド１６を介してサファイア基板１１から剥離して、ＧａＮ自立基板とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】格子パラメータを変化させることのできる窒化ガリウムデバイス基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲基板を設け、この第１の犠牲基板上に窒化ガリウムの層を形成し、この窒化ガリウムの層上に、格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの第１の層を形成し、この格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの層に、代替基板を装着し、犠牲基板および窒化ガリウムの層を除去する。 （もっと読む）

【課題】 （０００１）ジャストでなくて（０００１）からずれた結晶方位を有するオフ角のＧａＮ単結晶自立基板をより低コストで作製すること。
【解決手段】 オフ角の（１１１）ＧａＡｓウエハを下地基板として、その上にＧａＮを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているＧａＮ結晶が成長する。また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のオリエンテーションフラットやインデックスフラットよりも容易に作製することができ且つ視認ができる表裏の判別手段を備えた半導体形成用基板、窒化物系半導体基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の周辺部に、前記基板の表面から裏面へ貫通する貫通孔５を設け、その貫通孔の数の相違をもって又は中心からの距離の相違をもって、表裏の判別を可能とする。上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程を必要とせず、高品質の３−５族窒化物半導体積層基板、３−５族窒化物半導体自立基板及び高性能の半導体素子を容易に得ること。
【解決手段】 下地基板１１上に無機粒子１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１と無機粒子１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上に無機粒子１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離することにより、３−５族窒化物半導体自立基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 工程を簡素化すると共に発光特性を改善する。
【解決手段】 下地基板１１上にマスク１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１とマスク１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。この構成を有する３−５族窒化物半導体自立基板の製造は、下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上にマスク１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、下地基板１０上に形成されたマスク１９、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１、第一層１１上に形成される第二層１２、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３を備える。第一層１１は、マスク１９の開口部１９１内部を埋め込むとともに、被覆部１９２の上面を覆っている。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布である。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法は、（Ａ）サファイア基板１０のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、離間したシード層１１を複数形成した後、（Ｂ）頂面が、Ａ面であり、且つ、サファイア基板１０のＲ面に対して略平行な状態にあるＧａＮ系化合物半導体層１２，１４を、各シード層１１から横方向エピタキシャル成長させ、次いで、（Ｃ）ＧａＮ系化合物半導体層１２，１４の頂面１４Ａを研磨して、サファイア基板１０のＲ面に対して傾斜した状態とする工程を具備する。 （もっと読む）

本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、ａ）支持基板となる第１基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、ｃ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、ｄ）結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び ｅ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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パターニングされたマスクを通してエッチングされたテンプレート材料の側壁からの選択横方向エピタキシャル成長法を用いることにより作製したＩＩＩ族窒化物のａ｛１１−２０｝面およびｍ｛１−１００｝面のような無極性の面、または｛１０−１ｎ｝面のような半極性の面における貫通転位密度を低減する方法を提供する。該方法は、無極性または半極性のＧａＮテンプレートのようなテンプレート材料上にパターニングされたマスクを成膜する工程と、マスク内の開口を通して色々な深さにテンプレート材料をエッチングする工程と、溝の底から垂直に成長する材料が側壁の上部に到達する前に、側壁の上部から横方向に成長した材料を合体させることによって無極性または半極性のＩＩＩ族窒化物を成長する工程を含む。合体した部分はマスクの開口を通して成長して、誘電体マスクの上を横方向に成長して、やがて完全に合体した連続的な膜が得られる。
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【課題】低密度の結晶欠陥と高品質の結晶性を有する窒化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

シリコン基板上に少なくとも２ミクロンの厚さの単結晶ＧａＮ薄膜を成長させる方法を開示する。該方法は、プレレイヤー、シリコン基板上のＡｌＮを含むバッファ層、及び、該ＡｌＮバッファ層の頂部に交互に堆積された複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層を成長させることを含む。複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層の堆積条件及びタイミングを制御することにより、単結晶ＧａＮ薄膜は、クラック又はピット無しで２ミクロンより厚く成長させることができる。
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少なくとも一つの半導体装置を製作する方法であって、リチウムアルミネートを有する犠牲成長基板を提供するステップと、前記犠牲成長基板に隣接して、ＩＩＩ族の窒化物を有する少なくとも一層の半導体層を形成するステップと、前記犠牲成長基板とは反対の側に、前記少なくとも一層の半導体層と隣接して取付基板を設置するステップと、前記犠牲成長基板を除去するステップと、を有する方法を示した。さらに当該方法は、前記取付基板とは反対の側の、前記少なくとも一層の半導体層の表面に、少なくとも一つの接続部を設置するステップ、あるいは、前記取付基板および少なくとも一層の半導体層を、複数の個々の半導体装置に分離するステップを有しても良い。当該方法は、さらに個々の半導体装置を含む前記取付基板を、放熱器に接合するステップを有しても良い。前記除去するステップは、前記犠牲成長基板を湿式エッチングするステップを有しても良い。
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