【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物により構成される、光電子デバイス（例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、及び光検出器）、及び電子デバイス（例えば高移動度電子トランジスタ（ＨＥＭＴ））の製造に有用な、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系のＩＩＩ族単結晶、製品、及び膜が提供され、更には、このような結晶、製品、及び膜の作製方法が提供される。
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【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を５０℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板１上に、異なる窒素濃度をもつ複数の層を有して基底面転位密度を抑制する抑制層２と抑制層２上に形成された活性層３とを有する炭化珪素単結晶薄膜を形成してなるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、特に抑制層２が基板１側から活性層３側へと階段状に窒素濃度が低減した構造を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りや残留歪の少ない自立窒化物基板の作製方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＭｇＯバッファー層１２０上に、ＧａＮ等の窒化物バッファー層１３０を成長させる（ａ）。ＨＶＰＥ法により、窒化物バッファー層１３０上に、低い基板温度（７００〜９００℃）でＧａＮ等の窒化物層１４０を成長させる（ｂ）。ＺｎＯ膜は窒化物層１４０成長中にｉｎ−ｓｉｔｕによりリフトオフする（ｂ）〜（ｃ）。 高い基板温度（９００〜１５００℃）でのＨＶＰＥ法窒化物成長により、窒化物厚膜（１００ミクロン以上）１５０を作製する（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特性の優れた半導体素子を製造するための金属-絶縁膜-半導体構造を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板の表面に溝部を有するエピタキシャル薄膜を形成し、該溝部の内側面に絶縁膜、及び金属膜を順次形成してなる金属-絶縁膜-半導体構造である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたＧａＮ薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なＳｉ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於ける不純物の原子層成長及び原子層ドーピングに関して、原子レベルでの制御性を向上し、又高濃度ドーピングを可能とするものである。
【解決手段】
Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面を有する基板を処理室に搬入する工程と、少なくとも前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面に不純物がドーピングされたエピタキシャル膜を成長させる工程とを有し、該エピタキシャル膜を成長させる工程は、不純物の成長とエピタキシャル膜の成長工程とを交互に所要数繰返す工程を含み、前記ドーピングは、少なくとも所要の不純物を含むドーピングガスとキャリアガスとを前記処理室に供給する工程であり、前記成長工程は少なくとも、シリコンを含むガスを前記処理室に供給する工程である。
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【課題】高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。
【解決手段】（１）ストライプマスクＭを下地基板の上に設ける。（２）マスクの存在しない露呈部から窒化ガリウム結晶は成長を開始し、マスクの両側にファセットＦを形成する。（３）Ｃ軸が１８０゜反転した極性反転領域Ｊが形成される場合、予兆として、ファセットの傾斜面の途中に、ツメＱと呼ばれるゴツゴツとした突起が対向して発生する。このあと、（４）ツメＱが合体し、（５）これを種として同じ方位の結晶が縦方向に成長し、極性反転結晶Ｊからなる結晶欠陥集合領域Ｈを形成する。露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉナノワイヤバッファ層を備えたシリコン上に化合物半導体層を提供する。
【解決手段】この方法では、絶縁体層１０４は、先端が露出したＳｉナノワイヤ１０６と共に、Ｓｉ基板１０２に覆い被さって形成される。化合物半導体１１０は、Ｓｉナノワイヤの先端１０８に選択的に堆積される。横方向エピタキシャル拡散（ＬＥＯ）プロセスにより、絶縁体に覆い被さる化合物半導体層を形成するために、化合物半導体がコーティングされたＳｉナノワイヤの先端から、化合物半導体が成長する。通常、Ｓｉ基板に覆い被さる絶縁体層は、熱軟化性絶縁体（ＴＳＩ）、二酸化ケイ素、またはＳｉｘＮｙ（ｘ≦３およびｙ≦４）である。化合物半導体は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、またはＳｉＣでもよい。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスムーズに除去することができるIII族窒化物半導体自立基板の製造方法、III族窒化物半導体自立基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板１０上に、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され組成ａが略一定である第一層１１と、第一層１１上に形成される第二層１２と、第二層１２上に形成され、組成ｂが略一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３とを積層させる工程と、第一〜第三層１１〜１３およびサファイア基板１０を冷却する工程と、サファイア基板１０を除去し、第三層１３を有するIII族窒化物半導体自立基板１を得る工程とを実施する。第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】３元以上の混晶組成を有する窒化物系化合物半導体を用いても、エピ特性の面内均一性を維持でき、デバイスの高い歩留まりと高信頼性を確保できる窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】 直径が２５ｍｍ以上の異種基板上に３元以上の混晶組成を有する窒化物系半導体結晶を２ｍｍ以下の厚さにエピタキシャル成長後、異種基板を取り除くことによって厚さ方向の熱抵抗値が０.０２Ｋｃｍ^２／Ｗ以上０.５Ｋｃｍ^２／Ｗ以下である窒化物系半導体基板を得る。この窒化物系半導体基板上に窒化物系半導体からなる発光層をエピタキシャル成長させて窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスムーズに除去することができるIII族窒化物半導体自立基板の製造方法、III族窒化物半導体自立基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板１０上に、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが略一定である第一層１１と、第一層１１上に形成される第二層１２と、第二層１２上に形成されたＧａＮ層である第三層１３とを積層させる工程と、第一〜第三層１１〜１３およびサファイア基板１０を冷却する工程と、サファイア基板１０を除去し、第三層１３を有するIII族窒化物半導体自立基板１を得る工程とを実施する。第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って、変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプと呼ばれる中空欠陥を有するＳｉＣ単結晶基板を用いても、この基板から継続した中空欠陥を低減させたＳｉＣ結晶を得る。
【解決手段】Ｃ／Ｓｉ原子比を結晶成長速度が炭素原子供給律速となる範囲に調整した原料ガスを接触させ、ＳｉＣ結晶の複数層をエピタキシャル成長させて積層し、ＳｉＣ単結晶基板の中空欠陥を小さなバーガーズベクトルの転位に分解し、結晶表面に継続させないようにした。更にＳｉＣ結晶をバッファー層とし、さらに、Ｃ／Ｓｉ比をバッファー層を形成するときのＣ／Ｓｉ比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく結晶性に優れた単結晶炭化シリコン膜を表面に有する自立型の複層構造炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、単結晶炭化シリコン膜６の上に気相成長法により多結晶炭化シリコン膜或いは非晶質炭化シリコン膜７を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３とを除去して、単結晶炭化シリコン膜５，６と多結晶炭化シリコン膜或いは非晶質炭化シリコン膜７とからなる積層構造を複層構造炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

【課題】より高品質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】縞状に複数の溝が形成された（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、ＡｌＩｎＮからなるバッファ層１２０を、ＭＯＣＶＤ装置を用いて常圧のもとで形成し、該バッファ層１２０上に、Ａｌ／Ｉｎ／Ｇａ／Ｎからなる中間層１３０を、パルス原子層エピタキシー法によって形成し、その中間層１３０の上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層を高温でエピタキシャル成長する。これによりＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好で高品質なＡｌＮ層及びこれに類する高熱伝導率の層を表面に有するIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、当該基板を使用した放熱性に優れた高出力のIII-Ｖ族窒化物系デバイス、及びこれらを安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１１上にＡｌＮ層１２を形成し、ＡｌＮ層１２の表面及びＧａＮ層１１の裏面を平坦に研磨して複合自立基板１０とする。発光デバイスは、この複合自立基板１０上にデバイス構造を形成した後、バックラップによりＧａＮ層１１の裏面からＡｌＮ層１２に到達するまでＧａＮ層１１を除去することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。
【解決手段】 担体基板の上面上に、酸化膜を介して形成された薄層Ｓｉ（１１１）を基板とし、前記薄層Ｓｉ（１１１）の一部を除去した後、該薄層Ｓｉ（１１１）の存在する基板表面上に厚膜の窒化ガリウム系半導体層、例えば、厚膜ＡｌＧａＮ層を形成することで、窒化ガリウム系半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 （もっと読む）