【課題】転位密度が低く結晶性のよいＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板、およびそのＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の製造方法は、昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶の少なくとも一部で形成されているＡｌＮ種結晶基板３を用いて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ結晶４を成長させるＧａＮ結晶の製造方法であって、ＡｌＮ種結晶基板の反りの曲率半径が５ｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波ＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法であって、種結晶としてダイヤモンド(110)基板を用い、原料ガス流量比を、水素１００に対してメタン０．２〜２０、窒素０．１２未満とし、CVDチャンバー内の圧力を１３ｋＰａ〜３３ｋＰａ、成長温度を９５０℃〜１２５０℃として結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド単結晶の（110）面に平行であって、最大高さが１〜１０μｍの表面粗さの成長面を有するダイヤモンド単結晶が得られる。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
（もっと読む）

【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をＶ字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。 （もっと読む）

【課題】 バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】 表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、成長面の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体膜とを有し、凹部は、基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
（もっと読む）

【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む窒化物半導体基板には、以下の（１）の転位集中領域、および（２）の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板の表面は、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。
（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセッ ト面から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面の斜面を維持 させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させること で、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域
（２）転位集中領域を除く領域である低転位領域 （もっと読む）

【課題】結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。
【解決手段】基板１０上にＩＩＩ族窒化物結晶１１を成長させる方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１１であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の成長の際に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶に残留する転位の少なくとも一部をＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶の結晶成長面に対して実質的に平行な方向に伝搬させて、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶の外周部に排出させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法。 （もっと読む）

【課題】面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。
この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体層と下地基板との分離を容易にし、損傷の少ないIII族窒化物半導体層を形成することができる形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】マスク１１の第二被覆部１１３の幅寸法を、第一被覆部１１２の幅寸法よりも広くする。これにより、ＧａＮ半導体層１３により第二被覆部１１３を覆うのに要する時間が、ＧａＮ半導体層１３により第一被覆部１１２を覆うのに要する時間よりも長くなる。そのため、第二被覆部１１３上に、ＧａＮ半導体層１３により覆われていない露出部１１３Ａを形成して第一被覆部１１２、および第二被覆部１１３をエッチングすることができるので、空隙１４を確実に形成できる。 （もっと読む）

【課題】リーク不良を低減しうる炭化珪素基板およびそれを用いた縦型半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０をＳｉＣインゴットから切り出す際に、ＳｉＣ基板１０の主面をｂａｓａｌ面からオフさせて、かつ、転位列ＤＳＬの方向とエピタキシャル成長の際に生じるステップＳＴＰの方向とが実質的に一致しないように、平面視におけるオフ方向を設定して切り出す。これにより、ＳｉＣ基板１０上のエピタキシャル成長層を用いて形成されるショットキーダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどの縦型半導体装置において、転位列ＤＳＬの方向と、ステップＳＴＰの方向とが一致していることに起因するリーク不良がなくなる。 （もっと読む）

【課題】 転位を除去させるとともに、ＬＰＤおよびヘイズを低減することが可能な主表面が｛１１０｝のエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 種結晶として５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のボロンが添加された無転位単結晶をシリコン融液に浸漬させ、前記種結晶のボロン濃度と同一のボロン濃度を有する成長結晶を前記無転位単結晶の＜１１０＞方向を軸にして引き上げて単結晶シリコンインゴットを形成し、該単結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコン単結晶基板を切り出し、該シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 （０００１）ジャストでなくて（０００１）からずれた結晶方位を有するオフ角のＧａＮ単結晶自立基板をより低コストで作製すること。
【解決手段】 オフ角の（１１１）ＧａＡｓウエハを下地基板として、その上にＧａＮを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているＧａＮ結晶が成長する。また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体層を成長させる面方位をGaAs基板の(100)面から(110)面に最も近い方向に1.0°から2.0°微傾斜させたGaAs基板１０１上にカーボンドープする半導体層１０４を形成する化合物半導体基板の成長方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを供給してＡｌＮ（窒化アルミニウム）を成長させることにより、ＡｌＮの貫通転位を少なくし、結晶性の良いＡｌＮを得る方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ層４の成長は、ＳｉＣ基板２の基板温度が８５０℃、Ｇａの供給量が、０〜１．４×１０^−４Ｐａ、Ａｌの供給量が４．５×１０^−５Ｐａ、Ｎの供給量が電力１８０ワットで、Ｎ_２の流量が０．１９ｓｃｃｍとされる。この条件において、ＡｌＮ層４は、５００ｎｍの厚さ成長させられる。ＡｌおよびＧａの供給には、クヌードセンセルを用いた金属ＡｌおよびＧａの昇華、Ｎの供給には、ＲＦプラズマ銃による窒素プラズマを用いた。また、Ｎ／Ａｌ比は、１よりわずかに小さい条件とした。なお、Ｇａの照射は、ＡｌＮ層４の最初の１０ｎｍのみであり、ＡｌＮ層４が１０ｎｍ成長した時点で、Ｇａの供給量はゼロとされる。ＡｌＮ層４が成長する間、ＡｌおよびＮの供給量は一定である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法は、（Ａ）サファイア基板１０のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、離間したシード層１１を複数形成した後、（Ｂ）頂面が、Ａ面であり、且つ、サファイア基板１０のＲ面に対して略平行な状態にあるＧａＮ系化合物半導体層１２，１４を、各シード層１１から横方向エピタキシャル成長させ、次いで、（Ｃ）ＧａＮ系化合物半導体層１２，１４の頂面１４Ａを研磨して、サファイア基板１０のＲ面に対して傾斜した状態とする工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板の製造方法及びその方法を用いて製造した基板を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド基板の製造方法は、凹部となる第１の領域と、該第１の領域を取り囲む第２の領域とを含む主面を有するシリコン基板を用意し、第１の領域の凹部深さよりも板厚の厚い単結晶ダイヤモンド種基板を、第１の領域に載置する載置工程と、気相合成法を用いて前記単結晶ダイヤモンド種基板から気相合成ダイヤモンド層を形成すると共に、前記第２の領域上にも気相合成ダイヤモンド層を形成して互いを接続する接続工程と、単結晶ダイヤモンド種基板上の気相合成ダイヤモンド層全部と、第２の領域上の気相合成ダイヤモンド層の全部又は一部を機械的に研磨して双方を実質的に平坦化する研磨工程とを経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法による単結晶の製造方法、特に、気相合成法を利用したダイヤモンド単結晶の製造方法において、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】（１００）面が優先的に成長する単結晶のエピタキシャル成長法において、（１）単結晶の｛１００｝基板上に結晶を成長させ、（２）成長した結晶の側面に、成長方向の｛１００｝面と異なる他の｛１００｝面に平行な表面を形成し、（３）形成された｛１００｝面上に結晶を成長させる、ことによる単結晶の製造方法であって、上記（２）及び（３）の工程を１回又は２回以上行う。ダイヤモンド単結晶支持体として、結晶載置部が支持体の外周縁部に対して隆起した形状をなし、該載置部を支持体の外周縁部から離隔した位置に有し、該載置部が凹部によって形成されている金属製支持体を用いる。 （もっと読む）