【課題】クラックを生じさせることなく良質な結晶を歩留まりよく製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。また、摩擦配向層３の厚さは１〜２０ｍｍとし、その形成工程において、第１の薄膜２をダイアモンド、サファイアまたはＳｉＣで摩擦する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル膜中の結晶欠陥を減少させて結晶品質を改善させたＳｉＣエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 （もっと読む）

【課題】良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｃ３結晶軸に対して−０．１°〜０．９°のオフ角を有する（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、サファイア基板１１０の温度を１１００℃〜１４００℃の範囲内に制御しつつ、トリメチルガリウムを２００〜５００μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で導入することにより、サファイア基板１１０上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層１２０をエピタキシャル成長させる。これにより良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜（ａ面ＧａＮ層）を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、複数の第１種類と複数の第２種類のＩＩＩ族窒化物結晶基板１１，１２を接触させて集合基板１０を形成する工程を含み、集合基板１０の結晶成長表面１０ｓにおいて、第１種類の基板１１は（０００１）表面１１ｐを有し、第２種類の基板１２は（０００−１）表面１２ｑを有し、第１種類の基板１１と第２種類の基板１２の複数の接触面１３が互いに平行な線として現われ、結晶成長表面１０上において接触面１３に繋がる位相境界２３を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、平坦かつ反位相領域の存在しない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜を簡便に形成する方法を提供する。
【解決手段】面方位（００１）からのオフ角度が０．２°以上１°未満であり、オフ方向が＜１００＞以外の方向であるＳｉ単結晶基板上に、前記Ｓｉ単結晶基板を１００％水素ガス雰囲気中でアニール処理した後、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させることにより、高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜を得る。 （もっと読む）

層状半導体デバイスの製造方法であって、（ａ）複数の半導体ナノ構造を含む基体を用意する工程と、（ｂ）エピタキシャル成長法によって前記ナノ構造上に半導体材料を成長させる工程と、（ｃ）エピタキシャル成長法によって前記半導体材料上に前記半導体デバイスの層を成長させる工程と、を含む方法。
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本発明は、第１の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第１の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
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【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板１０の上にクロム層２０を成膜するクロム層成膜工程と、クロム層２０を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜３０にする窒化工程とを備え、窒化工程では、下地基板１０とクロム窒化物膜３０との間に中間層が形成される。さらに、クロム窒化物膜３０の上にＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を成長させる結晶層成長工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、（１００）面の上にＧａＮが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性を良好に維持するとともに、成長させる結晶の面積を大きくする結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。そして、成長工程では、複数の種基板１０の各々の表面１２上に成長した結晶の各々が一体化するように成長させる。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤによって成長させられるＮ面ＧａＮ膜の平滑な高品質膜のヘテロエピタキシャル成長のための方法を開示する。誤配向基板の使用、およびおそらく基板を窒素化させるステップは、本明細書で開示されるような、平滑なＮ面ＧａＮおよび他のＩＩＩ族窒化物膜の成長を可能にする。本発明はまた、Ｎ面ＧａＮをデバイス応用に対して容認不可能にする、典型的な大型（μｍサイズの）六方晶特徴を回避する。本発明は、Ｎ面デバイスの開発を可能にする、平滑な高品質膜の成長を可能にする。
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【課題】均質で高品質な塊状のＩＩＩ族窒化物結晶を安価に製造する。
【解決手段】製造装置１０００は、結晶作製装置１００と結晶成長装置５００を備えている。結晶作製装置１００は、金属Ｎａと金属Ｇａとを含む混合融液に窒素ガスを供給して第１のＧａＮ結晶を作製する。この第１のＧａＮ結晶は、転位密度が小さく（≦１０^５ｃｍ^−２）高品質である。第１のＧａＮ結晶は、スライス及び研磨され、ＧａＮウエハが作製される。結晶成長装置５００は、作製されたＧａＮウエハを基板として、ＨＶＰＥ法によって基板上に第２のＧａＮ結晶を結晶成長させ、塊状のＧａＮ結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】その面上に積層させて得られるIII族窒化物系化合物半導体の結晶性が向上するサファイア単結晶基板と、この基板を用いて得られるIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】上記サファイア単結晶基板はサファイア結晶の（００６）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２０arcsec以下であることを特徴とする。また、ＡｌＮ、ＧａＮ等一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１, ０≦ｙ≦１, ０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されかつＬＥＤの発光素子等として用いられるIII族窒化物系化合物半導体は、サファイア結晶の（００６）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２０arcsec以下であるところの面指数のばらつきや格子面間隔のばらつき等が小さいサファイア単結晶基板上に積層させて得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための高品質炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝ウェーハにおいて、１００ｎｍ以下のＬＰＤ測定可能とし、表面ラフネスの劣化を防止し、表面状態を判断可能とし、ウェーハの品質評価を可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶の｛１１０｝面を傾けた面を主面とするシリコンウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルシリコンウェーハであって、
エピタキシャル層を成長させるシリコンウェーハは、前記｛１１０｝面を傾ける傾角度方位が、該｛１１０｝面に対して平行な＜１００＞方位から＜１１０＞方向に対して０〜４５°の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を５０℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝ウェーハにおいて、１００ｎｍ以下のＬＰＤ測定可能とし、表面ラフネスの劣化を防止し、表面状態を判断可能とし、ウェーハの品質評価を可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶の｛１１０｝面を傾けた面を主面とするシリコンウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルシリコンウェーハであって、
エピタキシャル層を成長させるシリコンウェーハは、前記｛１１０｝面を傾ける傾角度方位が、該｛１１０｝面に対して平行な＜１００＞方位から＜１１０＞方向に対して０〜４５°の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】従来のＨＶＰＥ装置の欠点を解決したIII族窒化物半導体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】成長炉３内に原料となるIII族ガスｇ３とＶ族ガスｇ５を供給し、これらガスｇ３，ｇ５で基板２上にIII族窒化物半導体結晶Ｃを成長させるIII族窒化物半導体の製造装置１において、成長炉３は、隔壁４で相互に分離されたIII族ガスｇ３が供給されるＡ室５ａと、Ｖ族ガスｇ５が供給されるＢ室５ｂとの少なくとも２室を備え、Ａ室５ａおよびＢ室５ｂの両ガス出口７，９を隣接させ、これら両ガス出口７，９近傍に基板２を配置したものである。 （もっと読む）

【課題】平坦度の向上と、LPD の検出サイズの縮小化を図ることができるエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンをエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル成長工程と、前記ウェーハの主表面を特定の処理液で１００℃以下の温度で処理し、前記ウェーハの主表面上に付着したパーティクルを除去しつつ、所定膜厚の酸化膜を形成するウェーハ平坦化前処理工程と、前記主表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを具えるエピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）