【課題】 ダイヤモンド基材の継ぎ目の直上部分における、ＣＶＤダイヤモンドの機械的強度を高めること。
【解決手段】ダイヤモンド基材２の主面が（００１）面と略平行な面を有し、該ダイヤモンド基材２の４つの側面として（０１０）面と略平行な結晶面および（１００）面と略平行な結晶面とを各々２面ずつ有し、該ダイヤモンド基材２の主面を共有するように複数の該ダイヤモンド基材２を配置し、該主面が単一の表面を有するようにしたダイヤモンドＣＶＤ成長用基板１であって、該ダイヤモンド基材２の主面は（００１）面から＜１１０＞方向に０．０５°〜１０°オフアングルされた同一の面を各々有し、かつ該ダイヤモンド基材２の主面の公差が±０．０５°以下であることを特徴とするダイヤモンドＣＶＤ成長用基板１である。 （もっと読む）

成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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【課題】 優れた電気機械的及び電気光学的特性とともに高い誘電常数を有する強誘電性単結晶を用いて強誘電性膜構造物を製造する新規な方法の提供。
【解決手段】 軸がずれた（off-axis）結晶構造を有するなどのように研磨されたシリコン又は強誘電性単結晶からなる基板上に、ペロブスカイト（perovskite）結晶構造を有する電極層を形成し、その上にパルスレーザ蒸着法（ＰＬＤ）又は有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）によって強誘電性単結晶層をエピタキシャル成長させることによって、高性能電気電子部品及び素子の製作に有用に使用し得る強誘電性単結晶膜構造物を製造できる。
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【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】表面にステップバンチングがないエピタキシャルＳｉＣ膜を提供すること。さらにその膜を用いてリーク電流が低く、ＭＯＳ界面の移動度が高いデバイスを提供すること。
【解決手段】 六方晶系結晶構造を有するＳｉＣ基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルＳｉＣ膜であって、前記ＳｉＣ基板のオフカット面が、（０００１）面から０．５°以上１０°以下のオフカット角度を有し、前記オフカット面の結晶方向が、前記ＳｉＣ基板の１２種の等価な＜２１−３０＞方向（［２１−３０］、［−２−１３０］、［２−３１０］、［−２３−１０］、［１２−３０］、［−１−２３０］、［１−３２０］、［−１３−２０］、［−３１２０］、［３−１−２０］、［−３２１０］および［３−２−１０］方向）のいずれかの方向から±７．５°以下のうちの１方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルＳｉＣ膜。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。
【解決手段】 １４００〜１８００℃に加熱した金属触媒体に水素ガスを接触させて生成した水素ラジカルにより、７００℃以上９００℃未満に加熱したケイ素基板の表面近傍でモノメチルシランを分解してケイ素基板表面に立方晶炭化ケイ素結晶膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。
【解決手段】本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアのａ軸に[２．−１．−１．０．]方位を平行にして画一的な方向に配向したＡｌをＧａに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_XＧａ_YＮ（０．５＜Ｘ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第１の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の成長を中断し、第１の層の厚みを減少させるために該第１の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断／エッチング／再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも１つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

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優先的な方向への成長を抑制するために核形成条件を規則することによって、ナノウィスカーが非優先成長方向に成長する。好ましい実施例において、＜００１＞III-Ｖ半導体ナノウィスカーは、優先的な＜１１１＞Ｂ方向への成長を有効に抑制することによって、（００１）III-Ｖ半導体基板上に成長する。一例として、金属−有機物の蒸気相エピタキシーによって、＜００１＞ＩｎＰナノワイヤが直接（００１）ＩｎＰ基板上に成長する。走査電子顕微鏡と透過電子顕微鏡による特徴付けによって、ほぼ正方形の断面と積層欠陥のない完壁なせん亜鉛鉱結晶の構造を持つワイヤが明らかになった。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＳｉＣ半導体１のイオン注入層２は、４Ｈ型ＳｉＣの｛０３−３８｝面から１０°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 （もっと読む）