【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口グループと前記金属層を露出しない第１の非開口部と前記金属層をそれぞれ露出しない複数の第２の非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、窒化工程と、第２バッファー層形成工程と、成長工程とを備え、前記開口グループは、六角形に沿った形状をそれぞれ有した複数の開口を含み、前記第１の非開口部は、前記複数の開口グループの間に配され、前記第２の非開口部は、前記開口グループ内の前記複数の開口の間に配され、前記マスク形成工程では、各開口グループ内の各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下になり、各開口グループ内の隣接する前記開口の間における前記第２の非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になり、隣接する前記開口グループの間における前記第１の非開口部の幅が１０μｍ以上になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】内部電界が小さくかつ平坦性の優れたエピタキシャル基板およびこれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】Ｒ面に対する基材１の表面の傾角を、基材１の表面がＣ面から遠ざかる場合に正の値をとり、基材１の表面がＣ面に近づく場合に負の値をとるように定義するとき、基材１の表面の傾角が−２５°以上−１５°以下であるサファイア単結晶基材１を準備し、サファイア単結晶基材１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ａ軸方向がサファイア単結晶基材１のｒ軸方向に略平行であるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１．０）からなる基板表面層を形成することにより、エピタキシャル基板を得る。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からなる主面１０６を有し、主面に凹部１１０ａが設けられたサファイア基板１０５と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のＡｌＮからなる第１バッファ層１１０と、第１バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層１９０と、を備えた半導体素子が提供される。第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長におけるクラックの発生を低減することができ、高品質なＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を高速に製造できるＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程Ｓ１０と、結晶成長面上にＩＩＩ族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程Ｓ２０とを備え、結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながらＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、低指数面は、結晶面を表す個々の面指数をいずれも３以下とすることにより、結晶成長時の微細クラックの発生が抑制された高品質のＧａＮインゴットが得られる。続いて、ＧａＮインゴットを切断工程Ｓ３０で切断、スライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶のウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する方法を提供する。
【解決手段】貫通転位３の転位線の方向が揃えられ、貫通転位３の転位線の方向と［０００１］ｃ軸との為す角度θが２２．５°以下となるようにする。［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 （もっと読む）

【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【課題】
光学的特性に優れたＺｎＯ系結晶を提供する。
【解決手段】
（０００１）（＋Ｃ面）を主面とするＺｎＯ単結晶基板を準備し、熱処理する工程と、 加熱した前記主面上にＩＩ−ＶＩ族半導体結晶をＩＩ族原子の極性面で成長する工程と、を含み、前記熱処理する温度は、前記ＩＩ−ＶＩ族の半導体結晶の成長工程における結晶成長温度よりも高い温度である半導体結晶の成長方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、育成されたIII 族金属窒化物単結晶を容易にテンプレート基板から剥離させ得る方法を提供する。
【解決手段】成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。次いで、下地膜上にフラックス法または気相法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

配向金属基板の曲面状の表面に、少なくとも一つの金属よりなる酸化物膜を堆積する方法であって、次の各ステップを含んでおり、(1)少なくとも一つの金属酸化物よりなるプリカーサ膜は、上記金属からなる少なくとも一つの上記プリカーサの有機溶液を用いて堆積され、上記溶液は、好ましくは、当該方法の温度で測定され、1mPa・s〜20mPa・sの間の値、さらに好ましくは２mPa・s〜10mPa・sの間の値の粘度を有しており、(2)上記酸化物プリカーサ膜は、好ましくは80℃〜100℃との間の値の温度にて、乾燥に晒され、(3)上記酸化物プリカーサ膜を熱分解すると共に上記金属酸化物を形成するために、熱処理が実行され、上記熱処理の少なくとも一部は、還元ガス流の下で実行され、上記還元ガスは、好ましく0.005cm/sよりも大きい流量を好ましくは有し、好ましく0.012cm/sと0.1cm/sとの間、より好ましくは0.04cm/sと0.08cm/sとの間の値の流量を有する。
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配向金属基板の機能化表面上にエピタキシャル金属酸化物からなるバッファ膜を堆積する方法であって、前記方法は次の各ステップを含む、（１）Ａ_２−ｘＢ_２＋ｘＯ_７タイプの酸化物からなるプリカーサ膜が堆積され、ここでＡは、価数３の金属又はこれらの金属のうちの複数の金属混合物を表しており、Ｂは、価数４の金属を表しており、ｘは−０．１と＋０．１の間の数値であり、前記酸化物は、前記金属Ａ及びＢからなるカルボン酸塩溶液から得られ、（２）前記酸化プリカーサ膜は乾燥に晒され、（３）前記酸化プリカーサ膜を熱分解すると共に前記酸化物を形成するために、熱処理が実行され、前記熱処理の少なくとも一部は、還元ガス流の下で実行される。
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【課題】ＥＬＯＧ法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上を部分的に覆う選択成長用のマスクを成長用基板上に形成する。次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部において、マスクの膜厚よりも厚い緩衝層を成長させた後、緩衝層の表面に所定のファセットを表出させる。次に、緩衝層を起点として半導体膜を横方向成長させてマスク上部に空洞を形成しつつマスクを覆う横方向成長層を形成する。横方向成長層の上にデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。空洞形成工程は、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】気相成長する窒化物体の縮径を抑制し、品質再現性を向上させるとともに、均質性が高く、割れの発生を抑制する大口径な窒化物体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法によって窒化物単結晶体を種結晶１に成長させて単結晶体をバルク状に作製する窒化物単結晶体の製造方法であって、種結晶１が角錐台形状部１ａを有し、角錐台形状部１ａに窒化物単結晶体を成長させる。角錐台形状部１ａは、（１０−１１）面を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）