【課題】高品位の半導体等を製造することができる半導体製造装置用部材を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１０は反応容器１１内にある基板１９を載置するサセプタ１２と前記サセプタ１２を加熱するヒータ１３を備えているが、前記サセプタ１２は炭素材料からなり、少なくともガス導入管１４ａから導入される原料ガスと接する面に熱分解炭素層が形成されており、上記原料ガスと接する面のぬれ張力が、６２ｍＮ／ｍ以上にしてある。これにより原料ガスによるパーティクルを熱分解炭素層に付着させることが出来て剥離・飛散を防止し又クリーニングも大気開放することなく行える。 （もっと読む）

【課題】ガラス状カーボンをドライエッチング法にて加工した場合、ガラス状カーボン表面に存在する応力や不純物によって、局所的なエッチング速度の増加が生じ、エッチング斑や面粗度悪化が発生してしまう。
【解決手段】本ガラス状カーボン基材の微細加工方法は、ガラス状カーボン基材を用意し、ハロゲンガス雰囲気、２０００℃以上２５００℃以下の温度で１〜１０時間の熱処理を行う工程と、この工程後にドライエッチング加工を行う工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 苛酷な作業環境において極めて耐久性のある電極又は炉のライニング材等の黒鉛体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ２００×２００×２００ｍｍを超え又は直径２００ｍｍ×長さ２００ｍｍを超える寸法を有し、２００ｐｐｍ以下の灰分含量を有する黒鉛体。グリーン体を形成し、このグリーン体を炭化し、所望により一以上の緻密化工程を実施し、得られた炭素体を最後にハロゲンベースの黒鉛層間化合物を含有するＬＷＧ炉で黒鉛化工程に付する。 （もっと読む）

本発明は、炭素系成形体を製造するための方法に関し、特に、非ポリマー性フィラーと混合した有機ポリマー材料を炭化し、次いで、炭化された成形体からフィラーを取り除くことによって、多孔質炭素系成形体を製造するための方法に関する。もう一つの実施形態においては、本発明は、炭化の間に、実質的に完全に分解されるポリマー性フィラーを含む有機ポリマー材料を炭化することによる、多孔質炭素系成形体を製造するための方法に関する。有機ポリマー材料を炭化することによって多孔質炭素系成形体を製造するための方法がさらに開示されており、この炭素系成形体は、孔を形成するために炭化後に部分的に酸化される。最後に本発明は、当該方法の一つに従って製造される多孔質成形体およびその使用に関し、特に細胞培養担体システムおよび／または培養システムとしての使用に関する。 （もっと読む）