【課題】ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを製造する方法であって、ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、溶媒として炭化水素化合物を用い、かつハロゲン化アルキルとして塩化アルキルを用いても、収率良くトリアルキルガリウムを得ることができる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、少なくとも１種の塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムと塩化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】三塩化ガリウムとトリアルキルアルミニウムとの反応によりトリアルキルガリウムを合成する方法であって、三塩化ガリウムに対するトリアルキルアルミニウムの使用量を少なくしても、収率良くトリアルキルガリウムを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の炭化水素溶媒中又は無溶媒で、三塩化ガリウムに対するトリアルキルアルミニウムのモル比を１〜４にして、三塩化ガリウムと少なくとも１種のトリアルキルアルミニウムとを１０〜６０分間接触させる第１の工程と、三塩化ガリウムとこのトリアルキルアルミニウムとを第１の工程より高い温度で反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】トリアルキルガリウムの製造原料として従来用いられていない新たなガリウム原料を用いて収率良くトリアルキルガリウムを製造できる方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）
Ｇａ_２Ｒ_ｍＸ_６−ｍ (１）
（式中、Ｒはメチル基又はエチル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。ｍは１〜５の整数を示す）
で表される少なくとも１種のハロゲン化アルキルガリウム化合物と、少なくとも１種のアルキル金属化合物とを反応させることによりトリアルキルガリウム化合物を合成するトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 陽電子断層撮影法（ＰＥＴ）撮像などの診断薬として使用できる放射標識ガリウム錯体の製造方法の提供。
【解決手段】 Ｇａ^３＋放射性同位体とキレート剤との反応による放射標識ガリウム錯体の製造に当たり、マイクロ波による活性化を用いて反応を実施する。マイクロ波による活性化の利用によって、^６８Ｇａキレート剤の錯形成の効率と再現性が格段に向上する。マイクロ波による活性化によって、化学反応の時間がかなり短縮され、副反応が少なくなり、選択性の向上のために放射化学収率が増す。 （もっと読む）

【課題】反応溶媒としてエーテルを使用せず又は殆ど使用せずに、合金にしないガリウム及びマグネシウムからトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、ヨウ化アルキル及び臭化アルキルからなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応により高収率でトリアルキルガリウムを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】トリメチルガリウムを製造する方法であって、少なくとも１種のエーテル化合物中で、ガリウムとマグネシウムと少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させ、反応途中で反応系を少なくとも１種のエーテル化合物で希釈する方法。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化ガリウムのアルキル化によりトリアルキルガリウムを合成できる簡便な方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の溶媒中で、真空加熱処理されたマグネシウムと、少なくとも１種のハロゲン化ガリウムと、少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性に優れるとともに高い正孔注入・輸送能を有し、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を得ることができる、優れた電荷輸送膜用組成物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）等で表わされるイオン化合物と、電荷輸送性化合物とを少なくとも含有する。


（一般式（１）中、Ｒ¹¹は、Ａ¹と炭素原子で結合する有機基を表わす。Ｒ¹²は、任意の基を表わす。Ｒ¹¹及びＲ¹²が互いに結合して環を形成していても良い。
Ａ¹は、長周期型周期表の第１７族に属する第３周期以降の元素を表わす。
Ｚ₁^n1-は、対アニオンを表わす。
ｎ₁は、対アニオンのイオン価を表わす。） （もっと読む）

【課題】 有機ケイ素化合物含有量が少なく、ＧａＮ層を製造した場合にキャリア濃度を安定して調整できるトリメチルガリウム、およびこのトリメチルガリウムの製造方法、ならびにこのトリメチルガリウムを用いて成膜された窒化ガリウム薄膜を提供する。
【解決手段】 本発明のトリメチルガリウムは、全有機ケイ素化合物の濃度が０．１ｐｐｍ未満であることを特徴とし、このトリメチルガリウムの製造方法は、原料のトリメチルアルミニウムを加水分解し、含有する有機ケイ素化合物を溶媒に抽出後、ガスクロマトグラフ質量分析法によってメチルトリエチルシランを定量し、原料としてメチルトリエチルシラン濃度が０．５ｐｐｍ未満のトリメチルアルミニウムを選択し、蒸留精製後、塩化ガリウムと反応させ、反応液を蒸留してトリメチルガリウムを得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＢ族およびＩＩＩＡ族化合物の改良された製造法を提供する。
【解決手段】式Ｒ^１_ａ’Ｍ１^ｂ’Ｙ^１_ｃ’（式中、各Ｒ^１は独立して（Ｃ_１−Ｃ_１０）有機基であり、Ｍ１はＩＩＢ族またはＩＩＩＡ族金属であり、各Ｙ^１は独立して（Ｃ_１−Ｃ_４）カルボキシレートまたはハロゲンであり、ａ’＝０〜２であり、ｂ’はＭ１の価数であり、ｃ’＝１〜３であり、ａ’＋ｃ’＝ｂ’である）の化合物を式Ｒ^２_ＸＭ２Ｙ^２_３−ｘ（式中、各Ｒ^２は独立して（Ｃ_１−Ｃ_１０）有機基であり、Ｍ２はＩＩＩＡ族金属であり、各Ｙ^２は独立して（Ｃ_１−Ｃ_４）カルボキシレートまたはハロゲンであり、ｘ＝１〜３である）の化合物と第３級アミンまたは第３級ホスフィンの存在下で反応させる工程を含み、Ｍ１の電気陰性度がＭ２の電気陰性度以上である化合物の調製方法。 （もっと読む）

エレクトロルミネッセンス物質は、構造式(I)に示した、1-フェニル-3-メチル-4-トリメチルアセチル-ピラゾール-5-オン（ 1-phenyl-3-methyl-4-trimethylacetyl-pyrazol-5-one ）である。構造式(I)の化合物をルミネッセンス層に含むエレクトロルミネッセンス装置も、本発明の一部である。
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本発明は、式（Ｉ）（式中、Ｍは、Ｇａ（Ａ^１）から選択され、Ａ^１は、−ＯＨ、ハロゲン（好ましくはＣｌ）、−ＯＲ^３、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ^４、親水性リガンド、および／または共面相互作用を低減するのに好適なリガンドから選択される軸リガンドであり、Ｒ^１およびＲ^２は、同一であっても異なっていてもよく、水素またはＣ_１〜Ｃ_１２アルコキシ（好ましくはＣ_１〜Ｃ_６アルコキシ）から選択され、Ｒ^３は、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_５〜Ｃ_１２アリール、Ｃ_５〜Ｃ_１２アリールアルキルまたはＳｉ（Ｒ^ｘ）（Ｒ^ｙ）（Ｒ^ｚ）から選択され、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙおよびＲ^ｚは、同一であっても異なっていてもよく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_５〜Ｃ_１２アリール、Ｃ_５〜Ｃ_１２アリールアルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ、Ｃ_５〜Ｃ_１２アリールオキシまたはＣ_５〜Ｃ_１２アリールアルコキシから選択され、Ｗは、親水基であり、ｎ１は、０、１、２または３であり、ｎ２は、０、１、２または３であり、ｎ３は、０、１、２または３であり、ｎ４は、０、１、２または３である（但し、ｎ１、ｎ２、ｎ３またはｎ４の少なくとも１つは０より大きい））のＩＲ吸収ナフタロシアニン染料を提供する。この種の染料は、ネットページおよびＨｙｐｅｒｌａｂｅｌ（商標）システムに特に好適に使用される。


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【課題】 なし
【解決手段】
多座配位子に付随した半導体ナノクリスタル。該多座配位子は、該ナノクリスタルを安定化する。
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