【課題】高伸度かつ均一性の高い孔を有する全芳香族ポリアミド多孔質膜を提供すること。
【解決手段】下記式（１）で示される繰り返し単位を有するポリマーで形成された全芳香族ポリアミド多孔質膜とする。
−ＮＨ−Ａｒ^１−ＮＨ−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ− ・・・（１）
ただし、
Ａｒ^１およびＡｒ^２はいずれも芳香族基であり、
Ａｒ^１の１０モル％以上が４，４’−ジフェニルエーテル基であり、
Ａｒ^２の２０モル％以上がベンゼン環に対しメタ配向性を有する基であり、
Ａｒ^１とＡｒ^２の合計の５０モル％以上がベンゼン環に対しパラ配向性を有する基である。 （もっと読む）

【課題】α−付加体とβ−付加体の混合物の形態である両末端アミノ基封鎖ジオルガノポリシロキサンの有効利用。
【解決手段】（ａ１）分子鎖両末端にケイ素原子結合水素原子を有するジオルガノポリシロキサン、及び、（ａ２）式：Ｒ^１−ＮＨ_２（Ｒ^１は一価不飽和炭化水素基を表す）で表される活性水素非保護アミンを付加反応させて得られた（Ａ）分子鎖両末端に式：−Ｂ−ＮＨ_２（Ｂは二価炭化水素基を表す）で表される基を有する両末端アミノ変性ジオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）芳香族又は脂肪族ジアミン、並びに、
（Ｃ）芳香族若しくは脂肪族ジカルボン酸又はその反応性誘導体
を反応させることを特徴とする、ポリアミドシリコーンポリマーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属含有基が全芳香族サーモトロピック液晶性ポリエステルアミドの分子構造中に共有結合しており、線膨張係数が顕著に低減された有機−無機ハイブリッド材料と、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る有機−無機ハイブリッド材料の製造方法は、芳香族ヒドロキシカルボン酸および芳香族ジカルボン酸からなる群より選択される１または２以上の単量体Ａ、並びに芳香族ジアミンおよび芳香族ヒドロキシアミンからなる群より選択される１または２以上の単量体Ｂを含む単量体群（但し、芳香族ジカルボン酸のみと芳香族ジアミンのみとの組み合わせを除く）を重合させ、全芳香族ポリエステルアミドを得る工程；および、得られた全芳香族ポリエステルアミドに特定のイソシアネート化合物を反応させる工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱的、電気的および機械的特性に優れた基板形成用組成物と、これを用いたプリプレグおよび基板を提供すること。
【解決手段】本発明の基板形成用組成物は、主鎖に少なくとも一つの可溶性構造単位を有し、主鎖の末端の少なくとも一つに熱硬化性基を有する熱硬化性液晶オリゴマー、および前記熱硬化性基と共有結合が可能な反応基を有するアルコキシド金属化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・衝撃強度・低吸水性・流動性・低線膨張性に優れ、さらに非ハロゲンで優れた難燃性を有し、金属腐食性を大幅に低減した樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族ポリアミド、（Ｂ）ポリフェニレンエーテル、（Ｃ）ホスフィン酸金属塩類、及び（Ｄ）金属水酸化物を含む樹脂組成物であって、（Ａ）が、テレフタル酸単位を６０〜１００モル％含有するジカルボン酸単位（ａ）と、１，９−ノナメチレンジアミン単位（ｂ−１）及び／又は２−メチル−１，８−オクタメチレンジアミン単位（ｂ−２）を６０〜１００モル％含有するジアミン単位（ｂ）とから構成され、（Ａ）の末端アミノ基濃度が４５μモル／ｇ以上、７０μモル／ｇ以下であり、（Ｄ）が、前記（Ｃ）１００質量部に対し、１〜２０質量部の範囲内である樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンイオンを実質的に含有しない芳香族ポリアミドを提供する。あわせて、芳香族ジアミンと芳香族カルボン酸から溶融重合工程を経て芳香族ポリアミドを製造する際に、モノマーの分解や副反応を防ぎ、高重合度かつ高い耐熱性や剛性を発現し、ハロゲンイオンを実質的に含有しない芳香族ポリアミドを容易に得ることができる芳香族ポリアミドの製造方法を提供する。
【解決手段】芳香族ジアミンと芳香族カルボン酸とから芳香族ポリアミドを直接合成するに際し、窒素雰囲気下で以下の工程１〜３をこの順に経て合成する。
工程１：芳香族ジアミンと芳香族カルボン酸とを１３０〜１８０℃で１〜２時間撹拌する。
工程２：２００〜２３０℃に昇温し、１〜２時間攪拌する。
工程３：３００〜３３０℃に昇温し、２〜７時間攪拌する。 （もっと読む）

【課題】光学特性、耐熱性等に優れる光学部品用組成物を提供する。
【解決手段】熱及び／又は活性エネルギー線により架橋反応し得る不飽和炭化水素基を有する式（Ａ）で表されるヒドロキシアミド重合体及び溶剤を含む光学部品用組成物。


［Ｘは式（Ｂ）で表される基の中から選ばれ、２つのＸは同一でも異なっていてもよい。Ｙは式（Ｃ）、式（Ｄ）、式（Ｅ）及び式（Ｆ）で表される基の中から選ばれ、Ｚは式（Ｇ）で表される基の中から選ばれる。ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、かつ、ｍ＋ｎが４以上の整数を示す。］ （もっと読む）

【課題】 均一窪みを多数形成して表面突起形成による弊害を除去し、加工性に優れたフィルムを提供すること。
【解決手段】 少なくとも片面に平均径が２０〜５００ｎｍで深さが５ｎｍ以上ある窪みが１０⁶〜２×１０⁸個／ｍｍ²存在し、かつ縁の高さが１０ｎｍを越える窪みの数が５×１０⁶個／ｍｍ²以下である芳香族ポリアミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 フィルムの主成分である芳香族ポリアミドに突起形成用の芳香族ポリアミドをブロック共重合することにより、耐熱性の高くかつ脱落しにくい突起を形成し、走行性を確保しつつ、耐熱性等の物性も優れた芳香族ポリアミドフィルムを提供する。
【解決手段】 特定構造を有する突起形成用芳香族ポリアミドを３重量％以上２０重量％以下の割合でブロック共重合されたポリマーを含み、少なくとも一方の表面の高さ１０ｎｍ以上の突起個数が１×１０⁶個／ｍｍ²以上５×１０⁷個／ｍｍ²以下である芳香族ポリアミドフィルムとする。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性を維持し、低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜、およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位を有する特定構造のポリアミドを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。また、前記絶縁膜用樹脂組成物と、該絶縁膜用樹脂組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒からなるコーティングワニス、及びこれらを用いて、加熱処理して縮合反応及び架橋反応せしめて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなる絶縁膜、並びに前記絶縁膜を用いた半導体装置である。 （もっと読む）