オリゴマークロロホルメートを高分子量ポリカーボネートに転化させるための新しい方法を示す。オリゴマークロロホルメート中に存在するヒドロキシル基及びクロロホルメート基の相対濃度及び量を綿密に制御することで、本発明の方法はホスゲンの使用量を最小限に抑えながらポリカーボネートの効率的な製造を可能にする。本発明の方法で製造される生成物ポリカーボネートは、オリゴマークロロホルメート出発原料を製造するために必要な量を超える追加のホスゲンを要求することなく完全に封鎖される。本発明の方法は、検出不可能なレベル（＜５ｐｐｍ）の芳香族ヒドロキシル末端基、低い多分散性、並びに低いレベルの残留モノマー及び末端封鎖剤を有するポリカーボネートを与えることで、モノマー及び末端封鎖剤のリサイクルの必要性を排除する。 （もっと読む）

【課題】 ジエステルジオール含有モノマーを原料とする特定構造のＰＣ共重合体の製造方法において、生産性が向上した製造方法を提供すること。
【解決手段】 ヒドロキシ安息香酸類又はそのエステル化物とポリアルキレングリコールとの反応物であって、該ポリアルキレングリコールのヒドロキシル基のエステル化率が５０〜９０ｍｏｌ％であるジエステルジオール含有モノマーと、二価フェノールと、カーボネート前駆体とを界面重合法により反応させてポリカーボネート共重合体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 吸水に伴う膨張が小さく、線膨張係数が小さく、最大曲げ強度が大きく且つ一定のガラス転移温度を有するポリカーボネート樹脂からなる光ディスク用基板を提供する。
【解決手段】 光線が透過することのない基板と、基板上に形成された情報信号部と、その上層に形成された光透過性の保護層からなる光ディスクにおいて、該基板が２種類以上のビスフェニル構造単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)が30,000〜65,000、ガラス転移温度(Tg)が139℃〜170℃、30℃における線膨張係数が63ppm以下および最大曲げ強度が80MPa以上であるポリカーボネート樹脂からなることを特徴とする光ディスク用基板。 （もっと読む）

本発明は、流動性の改良されたコポリカーボネート、その製造方法、ある製品の製造へのその使用、それから得られる製品、およびポリカーボネートを提供する新規なビスフェノールに関する。 （もっと読む）

本発明は、少量の無機充填材で高弾性を有する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、芳香族ポリカーボネート（Ａ成分）１００重量部および珪酸塩充填材（Ｂ成分）０．０１〜５０重量部からなる樹脂組成物の製造方法であって、（Ｉ）Ｂ成分は、（ｉ）珪素原子に結合した加水分解性基および／または水酸基を含有する有機珪素化合物（Ｂ−１−ｉ成分）および（ｉｉ）有機チタネート化合物（Ｂ−１−ｉｉ成分）から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ−１成分）を、５０〜２００ミリ当量／１００ｇの陽イオン交換容量を有する層状珪酸塩（Ｂ−２成分）に導入してなる珪酸塩充填材であり、（ＩＩ）Ａ成分のポリマー前駆体を、Ｂ成分の存在下で、かつ重合触媒の実質的な非存在下において界面重縮合反応させる、ことを特徴とする樹脂組成物の製造方法および樹指組成物である。 （もっと読む）

本発明は、低硫黄含有量のビスフェノールＡ及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、フェノールとアセトンを、反応前に４８と５４℃の間の温度となすことによる、ビスフェノールＡの製造方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、吸水性を低減し、流動性を改良したポリカーボネートおよびコポリカーボネート、その調製方法および特定の製品を製造するためのその使用およびそこから得られる製品を提供するものである。さらに、本発明は新規のビスフェノールおよびその調製方法およびその使用を提供するものである。 （もっと読む）

１種以上のジヒドロキシ置換芳香族炭化水素成分と１種以上の芳香族二酸塩化物とを界面条件下で反応させてヒドロキシ末端停止ポリエステル中間体を得る、ブロックコポリエステルカーボネートの製造方法。ジヒドロキシ置換芳香族化合物は、二酸塩化物に対して約１０〜約１２５モル％過剰量で使用される。３０％を超える最終塩類レベルを与えるように水の存在量を制限することで、ヒドロキシ末端停止ポリエステル中間体の分子量制御の向上が達成される。最終塩類レベルは理論値であるが、容易に計算できる。次いで、ヒドロキシ末端停止ポリエステル中間体はホスゲンのようなカーボネート前駆体との反応でブロックコポリエステルカーボネートに転化される。 （もっと読む）