【課題】シロキサンブロック間に新たな官能基が導入された構造を有し、目的とする共重合体中に分散させると、前記共重合体の物性調節が可能となるビスヒドロキシアリールシロキサンおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるビスヒドロキシアリールシロキサン。


（前記式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ａ、Ｚ、Ｙ、およびｎは明細書中で定義した通りである。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な圧電特性を有し、取扱性および耐熱性に優れた圧電体およびそれを用いた超音波振動子ならびに測定の安定性に優れる超音波探触子および超音波画像検出装置を提供することにある。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物であることを特徴とする有機圧電体。
【化１】
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【課題】低複屈折性、耐熱性に極めて優れ、さらに好ましい態様においては透明性にも優れた熱可塑性樹脂および該熱可塑性樹脂を含む成型体およびフィルムを提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるトリシクロデカンビスフェノール残基を含んでなる樹脂であって、該樹脂のガラス転移温度が１６０℃以上であり、かつ数平均分子量が１００００以上であることを特徴とする樹脂。 （もっと読む）

【課題】低複屈折性、耐熱性に極めて優れ、さらに好ましい態様においては透明性にも優れた熱可塑性樹脂および該熱可塑性樹脂を含む成型体およびフィルムを提供。
【解決手段】アダマンチリデンビスフェノール残基を含んでなり、該樹脂のガラス転移温度が１６０℃以上であり、かつ数平均分子量が１００００以上であることを特徴とする樹脂。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法によりキャリア移動度が高い半導体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされる金属錯体からなる半導体薄膜。一般式（Ｉ）中、Ｍは遷移金属原子を含有する基を、Ｌは配位子を表わす。Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、ヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基を表わす。Ｂ^１−Ｑ（Ａ^１）（Ａ^２）−Ｂ^２は、共役系を構成している。ｍは、０〜４の整数であり、ｎは、正の整数である。
【化１】
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【課題】低誘電率性、耐湿性、耐水性及び耐熱性という、いずれの特性にも優れた被膜を形成するのに適当な材料となる化合物を含む膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】ボラジン環及びアダマンタン環を含む化合物、並びに前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、ボラジン環を含有する化合物とアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とボラジン環を含有する化合物及び／またはアダマンタン環を含有する化合物とを含むかのいずれかである膜形成用組成物である。 （もっと読む）

本開示は一般的には、有機骨格を含む材料に関する。本開示はまた、気体分子を保存および分離するのに有用である材料ならびにセンサーに関する。 （もっと読む）

本発明の樹脂は、ビシクロアルキル構造を有するリン含有残基、および、特定の２価フェノール残基を含むことを特徴とする。本発明は、無色透明で、高屈折率を有し、かつ、光学的に低分散である優れた光学特性を有する樹脂、およびその成型体を提供する。 （もっと読む）