【課題】 有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼすことなく封止を行うことにより、ダークスポットの発生・成長を確実に抑制して、高透過率を保持させることにより長期間にわたって安定な発光特性を維持することができる有機ＥＬ素子封止用の硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）分子中にグリシジル基を有する化合物、（Ｂ）平均粒径７μｍ以下、最大２０μｍ以下の２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、（Ｃ）テトラブチルアンモニウムブロマイドもしくはテトラブチルホスホニウムブロマイドまたは混合物、及び（Ｄ）シランカップリング剤の上記（Ａ）〜（Ｄ）を主成分とする有機ＥＬ素子封止用の一液型硬化性樹脂組成物とした。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼすことなく、効果的な封止を行うことにより、ダークスポットの発生・成長を確実に抑制して、長期間にわたって安定な発光特性を維持することが出来る有機ＥＬ素子封止用の硬化性樹脂性組成物を得ること。
【解決手段】 ガラスもしくはフィルム基板１上に透明電極２、正孔輸送層３、有機物ＥＬ層４及び背面電極５からなる有機ＥＬ層を形成し、有機ＥＬ素子封止材層７を積層して非透水性ガラスもしくはフィルム６と貼り合わせることにより得られる有機ＥＬ素子に使用することができる有機ＥＬ素子封止材であり、該有機ＥＬ素子封止材が、（Ａ）分子中にグリシジル基を有する化合物：１００重量部（Ｂ）酸無水物硬化剤：５０〜１５０重量部を主成分とすることを特徴とする有機ＥＬ素子封止材。 （もっと読む）

【課題】ズリ速度依存性の少ない（チクソトロピー性の小さい）流動特性を有し、しかも低温硬化可能で、しかも長時間の可使時間性にも優れた低粘度の一液無溶剤型のエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止されてなる電子部品装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１に設けられた接続用電極部（半田バンプ）３と配線回路基板２に設けられた接続用電極部（半田パッド）５を対向させた状態で上記配線回路基板２上に半導体装置１が搭載された電子部品装置である。そして、上記配線回路基板２と半導体装置１との空隙が、下記の（Ａ）および（Ｂ）成分とともに下記の（Ｄ）〜（Ｅ）成分を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂層４によって樹脂封止されている。（Ａ）液状エポキシ樹脂。（Ｂ）液状フェノール樹脂。（Ｃ）固体分散型アミンアダクト系硬化促進剤粉末粒子。（Ｄ）アミン系シランカップリング剤。（Ｅ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】難燃性、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性に優れ、ＶＬＳＩの封止用に好適な封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）水酸化マグネシウムを含有し、（Ｃ）水酸化マグネシウムがＸ線回折での[101]/[001]ピーク強度比が０.９以上で、ＢＥＴ比表面積が１〜４ｍ²/ｇ、かつ平均粒子径が５μｍ以下であるものを含む封止用エポキシ樹脂成形材料。 （もっと読む）

【課題】 封止成形時において良好な流動性、硬化性を有し、かつ無鉛半田に対応する高温の半田処理によってもクラックが発生しない良好な耐半田性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、（Ｅ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物、（Ｆ）シランカップリング剤を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 密着性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、示差走査熱量計で昇温速度を３℃／ｍｉｎとした場合における２００℃を超える温度域の発熱ピークの発熱量が１０ｍＪ／ｍｇ以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 成形時の離型性、連続成形性が良好で、且つ耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、（Ｅ）酸化ポリエチレンワックス、（Ｆ）シランカップリング剤及び（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を必須成分とし、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂のうちの少なくとも片方が、主鎖にビフェニレン骨格を有するノボラック構造の樹脂であり、（Ｅ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１重量％含み、かつ（Ｇ）成分を全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１重量％含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】金属フレーム部・放熱板との接着力が向上し、成形時の金属フレーム部・放熱板との間での剥離の発生を抑制することのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の式（１）で表される無水トリメリット酸および下記の式（２）で表されるトリメリット酸の少なくとも一方からなる接着付与剤。
【化１】


【化２】


（Ｄ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】 室温における貯蔵安定性を有しつつ、即硬化性があり、硬化後は接着信頼性を発現する硬化性樹脂組成物、及びこの硬化性樹脂組成物を用いた接着性エポキシ樹脂シート、並びにこれらを用いて得られた回路基板接合体を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂( 好ましくは多環式炭化水素骨格を主鎖に有する) と、エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマー( 好ましくはエポキシ当量が１００〜１０００であるアクリル系ポリマー) と、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂用硬化剤が融点１１０℃以下の固形脂環式酸無水物（特に好ましくは１−イソプロピル−４−メチルビシクロ−［2.2.2 ］−オクト−５−エン-2, 3-ジカルボン酸無水物）である、硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂シート及び回路基板接合体。 （もっと読む）

【課題】 硬化前は取り扱い性に優れ、硬化後は、各種接着信頼性を発現し得る硬化性樹脂フィルム、及びこの硬化性樹脂フィルムからなる接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性フィルム、並びにダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂と、エポキシ基を有しエポキシ当量が100 〜1000のポリマー（好ましくは、Ｍｗが20万以上100 万未満でアクリルニトリルに由来する構造単位を有する）と、エポキシ樹脂用硬化剤とを有する硬化性樹脂組成物がフィルム状に成形されてなる硬化性樹脂フィルムであって、上記ポリマーの配合部数が好ましくは上記エポキシ樹脂との合計量100 重量部に対し10重量部以上50重量部未満であり、かつ、硬化前のフィルムの温度23℃の被膜強度が9.8 ×10⁵ N/ｍ² 以上で伸び率が10％以上であるフィルム。 （もっと読む）

【課題】従来のエポキシ樹脂に比べて短波長領域の透過率が高く、且つ紫外線及び熱による変色（黄変）が少ないと共に、樹脂クラックなどの発光ダイオードとしての信頼性を低下させる不良要因を生じさせない発光ダイオード用封止樹脂及びそれを使用した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】エポキシ基とオキセタニル基のうち何れか一方または両方の置換基を有するシロキサン誘導体を主成分とする発光ダイオード用封止樹脂及びそれを使用した発光ダイオードを実現した。 （もっと読む）

【課題】表面硬化性が良好で、高い接着強さを有し且耐湿性、耐変色性を有する光硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（１）水素添加されたビスフェノールＡ型ジグリシジルエーテル化合物と、（２）１分子中に１以上のエポキシ基を有する反応性希釈剤と、（３）光カチオン系重合開始剤とを含有することを特徴とする光硬化性樹脂組成物であり、好ましくは、（１）水素添加されたビスフェノールＡ型ジグリシジルエーテル化合物の水素添加割合が、９９％以上であることを特徴とする前記の光硬化性樹脂組成物であり、（２）１分子中に１以上のエポキシ基を有する反応性希釈剤が、エポキシシクロヘキサン又はピネンオキシドであることを特徴とする前記の光硬化性樹脂組成物であり、更に、（４）シランカップリング剤を含有することを特徴とする前記の光硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】 接着性、低イオン性、貯蔵安定性等に優れ、フリップチップ実装用材料や基板接着用材料として特に好適に用いることができる液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 下記式（１）で示されるエポキシ樹脂（Ａ１）及び１分子中にグリシジルエーテル基を２個以上有する他のエポキシ樹脂（Ａ２）からなる常温で液状の液状エポキシ樹脂（Ａ）と、硬化剤及び硬化触媒の1種以上から選ばれる硬化剤類（Ｂ）を主成分とする液状エポキシ樹脂組成物であって、溶剤（Ｃ）を０．１〜５重量％含有し、液状エポキシ樹脂（Ａ）中のエポキシ樹脂（Ａ１）の含有割合が５〜７５重量％の範囲にある液状エポキシ樹脂組成物。
【化１】


（式中、Ｒ₁〜Ｒ₅の１個以上は下記式（２）で表される基であり、その他は炭素数１〜６の炭化水素基又は水素原子を示す）
【化２】
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