【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】微細凹凸構造を表面に有する表層と中間層との界面および中間層と基材との界面における密着性に優れる積層体を提供する。
【解決手段】基材２と、複数の凸部３からなる微細凹凸構造を表面に有する表層４と、基材２と表層４との間に設けられた中間層５とを有し、中間層５が、（ポリ）アルキレングリコール鎖中にオキシプロピレン基を少なくとも１つ有する（ポリ）アルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート（Ａ）の４０〜９５質量％とＮ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド（Ｂ）の５〜６０質量％とを含む中間層形成用組成物を硬化させてなる層である積層体１。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）がより良好なレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】酸分解性基を有する樹脂（Ａ）と、式（Ｂ４）


［式（Ｂ４）中、Ａ^＋は、酸分解性基及び窒素原子を有さない有機カチオンを表す。Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^ｂ１は、窒素原子を有さない２価の連結基を表す。Ｘ^ｂ１は、窒素原子を有さない酸分解性基を表す。］で表される塩（Ｂ４）と、式（Ｅ２）


［式（Ｅ２）中、Ａ_ａ^＋は、窒素原子を有さない有機カチオンを表す。Ｘ_Ｎ⁻は窒素原子を有する有機スルホン酸アニオンを表す。］で表される塩（Ｅ２）と、を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】欠陥の発生数が少なく、優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基；Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１）で表される基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、相互侵入高分子ネットワーク（ＩＰＮ）およびそれに関係する方法および組成物を提供する。
【解決手段】本発明のヒドロゲル素材は、２つ以上の高分子ネットワークの相互侵入ネットワークを含み、その高分子ネットワークの少なくとも１つが、バイオポリマーをベースとする。第１高分子ネットワークと第２高分子ネットワークとを結合することを含む、ヒドロゲル素材を製造する方法であって、第１高分子ネットワークまたは第２高分子ネットワークがバイオポリマーをベースとする、方法も提供される。本出願は、ＩＰＮヒドロゲル素材から製造されるデバイスおよびその使用もまた開示する。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＡ）で表されるアニオンを有する塩を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】透明性および分散性に優れた顔料組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）顔料と、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される構造単位と一般式（ｂ−２）で表される構造単位とを含む共重合体と、（Ｃ）溶剤とを含む顔料組成物。




[式中、Ｒ1は、水素原子またはメチル基を表す。Ｌは、−アルキレン基−Ｏ−で表される基である。Ｗは、アルキレン基であり、ｎは１〜１２の整数である。] （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）の構造単位を有する樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】パターン倒れ及び欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


アルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性でレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥発生数が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】位相差が低くかつ輝度が高いカラーフィルタが得られる着色樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）色材、（Ｂ）溶剤及び（Ｃ）バインダー樹脂を含有する着色樹脂組成物であって、（Ｃ）バインダー樹脂が、二重結合当量が５５０以上である重合体を含有し、更に、該重合体が多価チオール化合物の存在下、ガラス転移温度が２０℃以下の化合物を単量体成分として重合してなり、且つ、該化合物の仕込みモノマー比が３０重量％以上の重合体である着色樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が良好で変色がなく、現像性に優れ、基板上、および他色の画素上に現像残渣のない着色感放射線性組成物を提供しうる着色組成物を提供する、
【解決手段】（Ａ）色素骨格を有する重合体、および（Ｂ）有機溶剤を含み、前記（Ａ）色素骨格を有する重合体を形成しうる未反応の色素骨格を有するモノマー成分が、前記（Ａ）色素骨格を有する重合体に対して、１質量％以下含有するカラーフィルタ用着色組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、２価の飽和炭化水素基；Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、互いに独立に、フッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＥＬに優れると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減し、リソグラフィー特性を向上させることができるフォトレジスト組成物を与え得る感放射線性酸発生剤を提供することである。
【解決手段】本発明の化合物は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）におけるＲ^２は、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましい。さらに、本発明は、［Ａ］本発明の化合物、及び［Ｂ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物も含む。
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【課題】導電率、耐熱性及び耐光性に優れる有機導電膜を形成可能な導電膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ］共役系高分子、及び［Ｂ］式（１）で表される構造単位（Ｉ）を含む共重合体を含有する有機導電膜形成用組成物である。式（１）中、Ｒ^１はメチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、炭素数４〜２０の２価の脂環式基、フェニレン基又はナフチレン基である。Ｒ^２は、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノ基又はこれらの基の塩である。
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【課題】他の樹脂と混合して樹脂組成物とし、基材の表面に塗布し硬化させてコーティング膜を形成させた場合に、該コーティング膜が経時的に黄変しない、アクリロイルモルホリンを得る。
【解決手段】アクリロイルモルホリンに、フェノール系酸化防止剤を０．５〜５．０重量％、望ましくはさらに紫外線吸収剤を０．０５〜０．５重量％含有させる。フェノール系酸化防止剤は、２，５’−ジ−ｔ−ブチルハイドロキノンまたは２，５’−ジ−ｔ−アミルハイドロキノンが望ましい。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルプロピオン酸スルホニウム塩、（Ｂ）式（１−２）で示される酸発生剤、


（式中、Ｒ⁴はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜３０のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。Ｒ⁵は水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ａｒ’はヘテロ原子を含んでもよい非置換又は置換の炭素数６〜２０のアリール基を示す。）（Ｃ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、（Ｄ）有機溶剤を必須成分として含有するＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
【効果】疎水性が高く、液浸水への溶出が低く、酸拡散を制御できるため、高解像性のパターンプロファイルを構築できる。 （もっと読む）