【課題】 金属薄膜層と透明導電体を有する発光素子において、透明導電体の抵抗を増大させることなく金属薄膜層をオーミックコンタクトさせた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体をなす第二導電型層７上に設けた金属薄膜層９と、該金属薄膜層９上に設けた透明導電体１２とを少なくとも備えてなる発光素子１であって、前記透明導電体１２は、２層以上の透明導電膜１０、１１からなる。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、（１）貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を２種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、（２）２００〜５００℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして（３）固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 （もっと読む）

【解決手段】 Ｒ−Ｔ−Ｍ−Ｂ（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも一種、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏ、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａから選ばれる少なくとも一種の元素であって、各元素の含有量がそれぞれ５質量％≦Ｒ≦４０質量％、５０質量％≦Ｔ≦９０質量％、０質量％≦Ｍ≦８質量％、０．２質量％≦Ｂ≦８質量％）で表記される希土類永久磁石の表面に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ及びこれらの合金の中から選ばれる少なくとも一種のフレーク状微粉末とアルカリシリケートとを含む処理液による処理膜を加熱することによって得られるフレーク状微粉末／アルカリケイ酸塩ガラスの複合皮膜を形成してなることを特徴とする耐食性希土類磁石。
【効果】 本発明によれば、耐食性希土類磁石を安価に提供することができ、産業上その利用価値は極めて高い。 （もっと読む）

【解決手段】 Ｒ−Ｔ−Ｍ−Ｂ（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも一種、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏ、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａから選ばれる少なくとも一種の元素であり、各元素の含有量が５質量％≦Ｒ≦４０質量％、５０質量％≦Ｔ≦９０質量％、０質量％≦Ｍ≦８質量％、０．２質量％≦Ｂ≦８質量％）で表記される希土類永久磁石の表面に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ及びこれらの合金から選ばれる少なくとも一種のフレーク状微粉末と、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも一種の金属ゾルとを含む処理液による処理膜を加熱することにより得られるフレーク状微粉末／金属酸化物の複合皮膜を形成してなる耐食性希土類磁石。
【効果】 本発明によれば、耐熱性を有する耐食性希土類磁石を安価に提供でき、産業上その利用価値は極めて高い。 （もっと読む）

【課題】 基材の種類にかかわらず、短時間で、かつ薄膜金属層と、基材との間で優れた密着性を有する薄膜金属積層体が得られる薄膜金属積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上への薄膜金属積層体の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
（１）基材を準備する工程
（２）基材表面に対して、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付け処理するか、あるいは、ケイ素含有化合物の気体状物を、４００℃以上の熱源を介して吹き付け処理する工程
（３´）紫外線硬化型樹脂からなる下地層を形成する工程
（３）薄膜金属層を金属イオンの還元処理、例えば、銀鏡反応により形成する工程 （もっと読む）

シリコン、III族金属、IVA族金属、および／またはIVB族金属を含んで成る前駆体材料を、硬化、か焼、および／または熱分解することによって調製することができる、アモルファス（もしくは無定形）非ガラス質セラミック組成物。

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本発明は、次の段階：強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも１種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）