【課題】適用する電流のプロフィールを変えることにより、銅の電解メッキの硬度の制御が容易な電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】酸性の銅の電解メッキ浴を用いた物品への電解メッキ方法であって、下記工程（ａ）および（ｂ）を含む電解メッキ方法である。
（ａ）酸性の銅の電解メッキ浴中に、物品を懸架する工程
（ｂ）物品の表面に、所定厚さの銅メッキをするために、逆電流パルスのプロフィールを有する電流を所定時間流して、電解メッキする工程であって、（ｉ）カソードのパルス電流の印加時間、（ｉｉ）アノードのパルス電流の印加時間、（ｉｉｉ）カソードのパルス電流密度、（ｉＶ）アノードのパルス電流密度からなる群から選択される少なくとも一つの要因を変えることにより、銅メッキの硬度を調整または変更する電解メッキする工程 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウイスカ成長を効果的に抑制することができる錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の錫めっき皮膜は、金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、錫めっき皮膜の結晶配向面が（２２０）面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下であり、その電子部品は、該錫めっき皮膜を有する構成とした。また、本発明の錫めっき皮膜の製造方法は、銅基材上に錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜の製造方法であって、錫めっき皮膜の結晶配向面を（２２０）面に優先配向させると共に、錫めっき皮膜形成後の皮膜応力を−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下とする構成とした。 （もっと読む）

構造化硬質クロム層の製造方法を開示する。この方法によって、電解液から加工物の上にクロムを析出させる。電解液は、（ａ）５０ｇ／Ｌ〜６００ｇ／Ｌのクロム酸無水物に対応する量のＣｒ（VI）化合物、（ｂ）０．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの硫酸、（ｃ）１ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌの、１〜６個の炭素原子を有する脂肪族スルホン酸、および（ｄ）密なカソード皮膜を形成する、１０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌの少なくとも１つの化合物であって、モリブデン酸アンモニウム塩、アルカリ塩、およびアルカリ土類金属塩、バナジウム酸アンモニウム塩、アルカリ塩、およびアルカリ土類金属塩、ならびにジルコン酸アンモニウム塩、アルカリ塩、およびアルカリ土類金属塩から選択される化合物を含有する。さらに本発明は、この方法によって得られる構造化硬質クロム層およびこの方法を実行するための電解液に関する。
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【課題】金属性プラスチック等の基質上に、引抜（ｐｕｌｌ−ｔｈｒｏｕｇｈ）装置中で、酸性電解質からの艶のない又は半光沢の銅層を電解析出するための方法及び電解質を提供する。
【解決手段】高速引抜装置中で、少なくとも銅、スルホン酸アルキル、ハロゲン化物イオン、エトキシレート、ナフタレン縮合生成物成分からなる電解液を用い、１０から１００Ａ／dm²の間からなる電流密度で、電解温度２２から６０℃で電解することにより、基質上に艶のない又は半光沢の銅層を電解析出させる。 （もっと読む）

【課題】
プリント配線板の電気めっきに際して、ビアホールやめっきレジスト等が存在する基板に対しても良好なビアホール充填性とめっき膜の平坦性を再現性良く保証する電気銅めっき法を提供する。
【解決手段】
プリント配線板の電気めっきに際して用いるめっき液に、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム，ビピリジニウム，フェナンスロリニウム，キノリニウム，フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種の化合物、および有機色素化合物の少なくとも１種を含ませる。 （もっと読む）

本発明は構造化硬質クロム層の生成方法に関し、該方法において、クロムは電解質から被加工物上に析出され、該電解質は、ａ）５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌの無水クロム酸に相当する量のＣｒ（ＶＩ）化合物と、ｂ）０．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの硫酸と、ｃ）５ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの、１〜６個の炭素原子を有する脂肪族スルホン酸とを含む。電解質は、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸のアルカリ金属塩、モリブデン酸のアルカリ土類金属塩、バナジウム酸アンモニウム、バナジウム酸のアルカリ金属塩、バナジウム酸のアルカリ土類金属塩、ジルコン酸アンモニウム、ジルコン酸のアルカリ金属塩およびジルコン酸のアルカリ土類金属塩より選択される化合物のいずれも実質的に含まず、１２％以下のカソード電流効率で処理される。本発明は、コーティングの生成方法、構造化硬質クロム層、コーティングおよび電解質にも関する。
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