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Fターム[4K023AA04]の内容

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Fターム[4K023AA04]に分類される特許

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【課題】向上された電気めっき組成物の安定性および堆積物の形状を提供するインジウム電気めっき方法を提供する。
【解決手段】インジウム電気めっき組成物においてインジウムイオンを補充する方法が開示される。特定の弱酸のインジウム塩を用いて、インジウムイオンが電気めっき中に補充される。この方法は可溶性陽極および不溶性陽極を用いて使用されうる。 (もっと読む)


【課題】 ニッケルめっき皮膜と同程度の白色外観および皮膜特性を有する銅−錫合金めっき皮膜、ならびにそれを形成するための非シアン系銅−錫合金めっき浴を提供する。
【解決手段】 銅−錫合金めっき皮膜をCuSnの結晶で構成し、錫の含有率を40体積%以上50体積%以下とし、銅の含有率を50体積%以上60体積%以下とする。この銅−錫合金めっき皮膜は、2価錫イオン換算で2g/L以上20g/L以下の2価錫塩と、2価銅イオン換算で5g/L以上30g/L以下の2価銅塩と、50g/L以上400g/L以下の無機酸と、2g/L以上50g/L以下の光沢剤と、0.5g/L以上20g/L以下の湿潤剤と、4価錫イオン換算で5g/L以上30g/L以下の4価錫塩とを含有し、pHが3以下であり、光沢剤がアルデヒド系化合物であり、湿潤剤がたとえば非イオン系アリールフェノール類である非シアン系銅−錫合金めっき浴を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】装飾3価クロムめっきを基本として、高い耐食性を有し、且つ6価クロムめっきと類似または同等の白銀色の意匠を呈することのできるクロムめっき部品を提供する。
【解決手段】素地2上に腐食電流分散を目的としたニッケルめっき層5aを形成するとともに、その表面に塩基性硫酸クロムを金属供給源とした膜厚0.05〜2.5μmの3価クロムの表面クロムめっき層6を形成し、さらにその上に陰極酸性電解クロメート処理により膜厚が7nm以上のクロム化合物皮膜7を形成する。腐食分散ニッケルめっき層5aは、表面クロムめっき層6に対しマイクロポーラス構造もしくはマイクロクラック構造、またはこれらの双方の構造を生じさせる機能を有する。 (もっと読む)


【課題】 高温において使用される、改良された添加剤系を含有する酸性銅電気めっき水性組成物を提案する。
【解決手段】 前記改良された添加剤系は、(a)少なくとも1種の高分子量ポリマーを含む抑制剤;(b)少なくとも1種の2価の硫黄化合物を含む光沢剤;及び(c)複素環式窒素化合物を含むレベリング剤とを含む。前記改良された電気めっき組成物は、プリント回路基板のスルーホールをめっきするのに使用可能である。 (もっと読む)


【課題】陰極電解処理によるニッケルヤケメッキの電流密度をさげて容易に電解処理ができ、リセックタブルフューズ材料として好適な金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属箔の少なくとも一方の面に、陰極電解ニッケルメッキ処理を施してニッケル平滑メッキ層を設け、該ニッケル平滑メッキ層の面にニッケル粗化処理を施して微細ニッケル粒子層を設けることを特徴とする金属箔の表面処理方法である。
前記ニッケル粗化処理は、硫酸浴にニッケル化合物が溶解され、更に添加金属として微量の銅、クロム、鉄の少なくとも一種類が添加されている電解浴で電解処理することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】熱履歴を経る場合にも優れた耐食性を維持するクロムめっき部品を高能率かつ安定して得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】有機スルフォン酸を含有するクロムめっき浴を用い、最初に、パルス電流を用いて、鋼母材Mの表面に、クラックがなくかつ100MPa以上望ましくは150MPa以上の圧縮残留応力を有する下地のクロム層を析出させ、次に、同じめっき浴中で、直流電流を用いて電気めっきを行い、前記下地のクロム層上にクラックを有する上クロム層を析出させる。 (もっと読む)


【課題】電気めっきによる自己制約型異方性ゲルマニウム・ナノ構造体を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム・ナノ構造体は、直径1ミクロン未満のワイヤ及び幅1ミクロン未満のウォールを含み、基板と接触してその基板の外側に延びる。さらに電気めっきによるゲルマニウム・ナノ構造体の作成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ロータリーピストンエンジンの燃焼室を構成するローターハウジングにおいて、Crめっき皮膜が形成された長円形状の内周面をシール部材が流体潤滑剤の存在下、長軸側内周面では短軸側内周面よりも小さな荷重で接触して且つ短軸側内周面よりも速い速度で周方向に摺動する摺動部材に関し、内周面の全周にわたって低摩擦化を図る。
【解決手段】ローターハウジング1の内周面3のCrめっき皮膜にクラックを形成し、長軸側内周面3aでは短軸側内周面3bよりも、クラック幅が大きく且つクラック数が多くなるようにする。 (もっと読む)


【課題】クロム層に対してより高い圧縮残留応力を安定して付与することができるクロムめっき装置を提供する。
【解決手段】パルス電源3内部のインダクタンスと、パルス電源3から第5,第6アノード電極Y5,Y6に至る配線のインダクタンスと、パルス電源3から第1,第10カソード電極K1,K10に至る配線のインダクタンスとを合計した往復インダクタンスを、0.5〜6.8μH範囲の所定値に設定するか、パルス波形の立上り・立下り時間の合計を0.04〜0.38ms範囲の所定値に設定し、アノード電極Yに挿入された各ワークWの表層部に250MPa以上の圧縮残留応力を有する、クラックのないクロム層を析出させる。 (もっと読む)


本発明は式:N(R14X・(m−n−o)Al(C253・nAlR23・oAlR33(I)(式中、R1は、C1〜C4アルキル基であり、Xは、F、Cl又はBrであり、mは、1〜3、好ましくは1.7〜2.3に等しく、nは、0.0〜1.5、好ましくは0.0〜0.6に等しく、oは、0.0〜1.5、好ましくは0.0〜0.6に等しく、R2、R3は、C1又はC3〜C6アルキル基であり、ここでR2はR3と等しくない)で示される化合物を有機溶媒中に含有する非プロトン性溶媒でのアルミニウムの電着のための電解質に関する。本発明のさらなる目的は前記電解質を製造する方法、被覆方法、及び被覆材料部品である。 (もっと読む)


【課題】チップオンフィルム(COF)の折り曲げ実装時に求められる耐屈曲性において、MIT耐折性試験(JIS C 5016)により200回以上の折曲げ性が得られ、折曲げに対する耐久性に優れる半導体実装用の銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム1の少なくとも片面に、スパッタリング法によってニッケル−クロム系合金層2及び銅層3を形成し、さらにその上に電気めっき法、或いは電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅皮膜4を形成してなる銅被覆ポリイミド基板において、前記銅皮膜4中の結晶の平均結晶粒径は、160〜700nmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 金バンプが相手基板等と接合する際、圧着力で潰れて広がり短絡するという信頼性低下をカバーするために十分な皮膜硬度を達成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムからなる金源と、水溶性アミンからなるスタビライザと、結晶調整剤と、亜硫酸塩及び硫酸塩からなる伝導塩と、緩衝剤とを含有すると共に、ポリアルキレングリコール及び/又は両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴であって、平均分子量300〜900未満のポリアルキレングリコールを1.5〜20g/L含有、又は、平均分子量900〜10000のポリアルキレングリコールを0.01g/L以上含有し且つ両性界面活性剤を0.1〜1000mg/L含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴とする。 (もっと読む)


【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、(メタ)アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと(メタ)アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 (もっと読む)


【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 (もっと読む)


【課題】陽極酸化する前のめっき膜が十分に硬く、取り扱い中に傷付きにくい電気アルミニウムめっき膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有率が97wt.%以下でビッカース硬さが300以上であるアルミニウムめっき膜である。めっき膜中に酸素、炭素、硫黄および塩素が不純物として含まれることによりめっき膜の硬度が増す。めっき膜中の不純物濃度は電流密度、めっき温度、液組成などにより設定することができる。 (もっと読む)


【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴(A)を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴(B)を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 (もっと読む)


【課題】光沢化等の他の特性を大きく変化させずに、また、電流効率を大きく低下させずに、高い白色度を有する電気亜鉛めっき鋼板を製造できるようにする。
【解決手段】酸性めっき浴中で鋼板を陰極として電解して電気亜鉛めっき層を形成するに際し、メルカプト基(−SH)を有する有機化合物の1種又は2種以上を合計で0.5〜30mg/l含有する酸性めっき浴中で、電解を5回以上に分割して行うとともに、前記各々の電解の間に、鋼板を前記酸性めっき浴中に0.2秒以上浸漬する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】 強度、導電率、曲げ加工性に優れた銅条又は銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき添加剤を含むめっき浴を用いた電解により平均結晶粒径0.3μm以下の電解銅条又は電解銅箔を製造し、電解銅条又は電解銅箔を冷間圧延した後、熱処理を行わないか又は熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】Crめっき摺動部材の摩擦係数を下げる。
【解決手段】摺動部材のCrめっき層の、X線回折分析により特定される(222)面が表面側を向いた(222)配向結晶1の存在率を60%以上80%以下とし、該Crめっき層表面に形成されるCr酸化皮膜3の厚さを薄くする。 (もっと読む)


【課題】生成するアルミニウムめっき膜への水分の影響を抑制し、未析のないアルミニウムめっき膜を得ることのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。また、L字型あるいは凹型断面形状のある試料へのアルミニウムめっき膜の付き回り性を改善することのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。
【解決手段】ジメチルスルホンとアルミニウムハロゲン化物からなる非水溶媒系電解アルミニウムめっき液に、2,2’-ビピリジル構造を基本骨格に持つ有機化合物またはその誘導体を加えることで、めっき液中の水分の電気分解がアルミニウムめっき膜へ及ぼす影響を抑制し、さらにめっき膜の付き回り性を改善することができる。 (もっと読む)


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